（通用版）2022高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 跟蹤檢測（六十六）教材基礎(chǔ)（4）晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（含解析）

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1、（通用版）2022高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 跟蹤檢測（六十六）教材基礎(chǔ)（4）晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（含解析） 1．下列晶體分類中正確的一組是(　　) 選項(xiàng) 離子晶體 原子晶體 分子晶體 A NaOH Ar SO2 B H2SO4 石墨 S C CH3COONa 水晶 D Ba(OH)2 金剛石 玻璃 解析：選C　A項(xiàng)中固態(tài)Ar為分子晶體；B項(xiàng)中H2SO4為分子晶體，石墨是混合型晶體；D項(xiàng)中玻璃是非晶體。 2．下列各組晶體物質(zhì)中，化學(xué)鍵類型相同，晶體類型也相同的是(　　) ①SiO2和SO3　②晶體硼和HCl?、跜O2和SO2　 ④晶體硅和金剛石?、菥w氖

2、和晶體氮?、蘖螯S和碘 A．①②③　　　　　　　 　B．④⑤⑥ C．③④⑥ D．①③⑤ 解析：選C　屬于分子晶體的有SO3、HCl、CO2、SO2、晶體氖、晶體氮、硫黃、碘，屬于原子晶體的有SiO2、晶體硼、晶體硅、金剛石，但晶體氖中不存在化學(xué)鍵。 3．氮氧化鋁(AlON)屬原子晶體，是一種超強(qiáng)透明材料，下列描述錯誤的是(　　) A．AlON和石英的化學(xué)鍵類型相同 B．AlON和石英晶體類型相同 C．AlON和Al2O3的化學(xué)鍵類型不同 D．AlON和Al2O3晶體類型相同 解析：選D　AlON與石英(SiO2)均為原子晶體，所含化學(xué)鍵均為共價鍵，故A、B項(xiàng)正確；Al2O3

3、是離子晶體，晶體中含離子鍵，不含共價鍵，故C項(xiàng)正確、D項(xiàng)錯誤。 4．下列說法中正確的是(　　) A．離子晶體中每個離子周圍均吸引著6個帶相反電荷的離子 B．金屬導(dǎo)電的原因是在外電場作用下金屬產(chǎn)生自由電子，電子定向運(yùn)動 C．分子晶體的熔、沸點(diǎn)很低，常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài) D．原子晶體中的各相鄰原子都以共價鍵相結(jié)合 解析：選D　A項(xiàng)，離子晶體中每個離子周圍不一定吸引6個帶相反電荷的離子，如CsCl晶體中，每個Cs＋吸引8個Cl－；B項(xiàng)，金屬晶體中的自由電子不是因?yàn)橥怆妶鲎饔卯a(chǎn)生的；C項(xiàng)，分子晶體在常溫下不一定是液態(tài)或氣態(tài)，可能為固態(tài)，如I2、S8等。 5．下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序中，

4、正確的是(　　) A．金剛石＞晶體硅＞二氧化硅＞碳化硅 B． C．MgO＞H2O＞O2＞Br2 D．金剛石＞生鐵＞純鐵＞鈉 解析：選B　A項(xiàng)，同屬于原子晶體，熔、沸點(diǎn)高低由共價鍵的強(qiáng)弱即鍵能大小決定，鍵能由小到大也是熔、沸點(diǎn)由低到高的順序?yàn)榫w硅＜碳化硅＜二氧化硅<金剛石，錯誤；B項(xiàng)，形成分子間氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高于形成分子內(nèi)氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)，正確；C項(xiàng)，熔、沸點(diǎn)高低順序?yàn)镸gO＞H2O＞Br2＞O2，錯誤；D項(xiàng)，生鐵為鐵合金，熔點(diǎn)低于純鐵，錯誤。 6．下列數(shù)據(jù)是對應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)(℃)： BCl3 Al2O3 Na2O NaCl AlF3 AlCl3 干冰 Si

5、O2 －107 2 073 920 801 1 291 190 －57 1 723 據(jù)此做出的下列判斷中錯誤的是(　　) A．鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體 B．表中只有BCl3和干冰是分子晶體 C．同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體 D．不同族元素的氧化物可形成相同類型的晶體 解析：選B　A項(xiàng)，氧化鋁的熔點(diǎn)高，屬于離子晶體，則鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體，正確；B項(xiàng)，表中BCl3、AlCl3和干冰均是分子晶體，錯誤；C項(xiàng)，同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體，如CO2是分子晶體，SiO2是原子晶體，正確。 7．下列關(guān)于CaF2的表述正確的是(　　)

6、 A．Ca2＋與F－間僅存在靜電吸引作用 B．F－的離子半徑小于Cl－，則CaF2的熔點(diǎn)低于CaCl2 C．陰、陽離子數(shù)之比為2∶1的物質(zhì)，均與CaF2晶體構(gòu)型相同 D．CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵，因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電 解析：選D　Ca2＋與F－之間既有靜電吸引作用，也有靜電排斥作用，A錯誤；離子所帶電荷相同，F(xiàn)－的離子半徑小于Cl－，所以CaF2晶體的晶格能大，熔點(diǎn)高，B錯誤；晶體構(gòu)型還與離子半徑的相對大小有關(guān)，所以陰、陽離子數(shù)之比為2∶1的物質(zhì)，不一定與CaF2晶體構(gòu)型相同，C錯誤；CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵，在熔融狀態(tài)下發(fā)生電離，因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電，D正確。

7、 8．有一種藍(lán)色晶體[可表示為MxFey(CN)6]，經(jīng)X-射線研究發(fā)現(xiàn)，它的結(jié)構(gòu)特征是Fe3＋和Fe2＋互相占據(jù)立方體互不相鄰的頂點(diǎn)，而CN－位于立方體的棱上。其晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示。下列說法不正確的是(　　) A．該晶體的化學(xué)式為MFe2(CN)6 B．該晶體屬于離子晶體，M呈＋1價 C．該晶體屬于離子晶體，M呈＋2價 D．晶體中與每個Fe3＋距離最近且等距離的CN－為6個 解析：選C　由題圖可推出晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元中含F(xiàn)e2＋個數(shù)：4×＝，含F(xiàn)e3＋個數(shù)：4×＝，含CN－個數(shù)：12×＝3，因此陰離子為[Fe2(CN)6]－，則該晶體的化學(xué)式只能為MFe2

8、(CN)6，由陰、陽離子形成的晶體為離子晶體，M的化合價為＋1價，故A、B兩項(xiàng)正確，C項(xiàng)錯誤。由圖可看出與每個Fe3＋距離最近且等距離的CN－為6個，故D項(xiàng)正確。 9．(1)鈉、鉀、鉻、鉬、鎢等金屬晶體的晶胞屬于體心立方，則該晶胞中屬于1個體心立方晶胞的金屬原子數(shù)目是________。氯化銫晶體的晶胞如圖1，則Cs＋位于該晶胞的________，而Cl－位于該晶胞的________，Cs＋的配位數(shù)是________。 (2)銅的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，寫出此氫化物在氯氣中燃燒的化學(xué)方程式：_________________________________________________

9、_______________________。 (3)圖3為F－與Mg2＋、K＋形成的某種離子晶體的晶胞，其中“○”表示的離子是________(填離子符號)。 (4)實(shí)驗(yàn)證明：KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖4所示)，已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表： 離子晶體 NaCl KCl CaO 晶格能/(kJ·mol－1) 786 715 3 401 則這4種離子晶體(不包括NaCl)熔點(diǎn)從高到低的順序是________________________。 其中MgO晶體中一個Mg2＋周圍和它最鄰近且等距離的Mg2＋有____

10、____個。 解析：(1)體心立方晶胞中，1個原子位于體心，8個原子位于立方體的頂點(diǎn)，故1個晶胞中金屬原子數(shù)為8×＋1＝2；氯化銫晶胞中，Cs＋位于體心，Cl－位于頂點(diǎn)，Cs＋的配位數(shù)為8。(2)由晶胞可知，粒子個數(shù)比為1∶1，化學(xué)式為CuH，CuH與Cl2反應(yīng)，產(chǎn)物為CuCl2和HCl，化學(xué)方程式為2CuH＋3Cl22CuCl2＋2HCl。(3)由晶胞結(jié)構(gòu)可知，黑球有1個，灰球有1個，白球有3個，由電荷守恒可知n(Mg2＋)∶n(K＋)∶n(F－)＝1∶1∶3，故白球?yàn)镕－。(4)從3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)知道，離子所帶電荷越多、離子半徑越小，離子晶體的晶格能越大，離子所帶電荷數(shù)：Ti

11、3＋>Mg2＋，離子半徑：Mg2＋＜Ca2＋，所以熔點(diǎn)：TiN>MgO>CaO>KCl；MgO晶體中一個Mg2＋周圍和它最鄰近且等距離的Mg2＋有12個。 答案：(1)2　體心　頂點(diǎn)　8 (2)2CuH＋3Cl22CuCl2＋2HCl (3)F－　(4)TiN>MgO>CaO>KCl　12 10．(2017·海南高考)ⅣA族元素及其化合物在材料等方面有重要用途?；卮鹣铝袉栴}： (1)碳的一種單質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖(a)所示。該單質(zhì)的晶體類型為________，原子間存在的共價鍵類型有________，碳原子的雜化軌道類型為____________________。 (2)SiCl4分子的中

12、心原子的價層電子對數(shù)為________，分子的立體構(gòu)型為________，屬于________分子(填“極性”或“非極性”)。 (3)四鹵化硅SiX4的沸點(diǎn)和二鹵化鉛PbX2的熔點(diǎn)如圖(b)所示。 ①SiX4的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高的原因是________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 ②結(jié)合SiX4的沸點(diǎn)和PbX2的熔點(diǎn)的變化規(guī)

13、律，可推斷：依F、Cl、Br、I次序，PbX2中的化學(xué)鍵的離子性________、共價性________。(填“增強(qiáng)”“不變”或“減弱”) 解析：(1)該單質(zhì)為石墨，石墨屬于混合型晶體，層內(nèi)碳原子之間形成σ鍵和π鍵；石墨中碳原子有3個σ鍵，無孤電子對，因此雜化類型為sp2；(2)SiCl4中心原子是Si，有4個σ鍵，孤電子對數(shù)為＝0，價層電子對數(shù)為4，空間構(gòu)型為正四面體；屬于非極性分子；(3)①SiX4屬于分子晶體，不含分子間氫鍵，范德華力越大，熔沸點(diǎn)越高，范德華力隨著相對分子質(zhì)量的增大而增大，即熔沸點(diǎn)增高；②同主族從上到下非金屬性減弱，得電子能力減弱，因此PbX2中化學(xué)鍵的離子性減弱，共價性增強(qiáng)。 答案：(1)混合型晶體　σ鍵、π鍵　sp2　(2)4　正四面體　非極性　(3)①均為分子晶體，范德華力隨相對分子質(zhì)量增大而增大　②減弱　增強(qiáng)