2013年高考物理 臨考沖刺模擬五

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1、2013年高考物理臨考沖刺模擬五 1.第29屆奧運(yùn)會(huì)將于今年8月在北京舉行，跳水比賽是我國(guó)的傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目．某運(yùn)動(dòng)員正在進(jìn)行10m跳臺(tái)訓(xùn)練，下列說(shuō)法正確的是 A．為了研究運(yùn)動(dòng)員的技術(shù)動(dòng)作，可將正在比賽的運(yùn)動(dòng)員視為質(zhì)點(diǎn) B．運(yùn)動(dòng)員在下落過(guò)程中，感覺(jué)水面在勻速上升 C．前一半時(shí)間內(nèi)位移大，后一半時(shí)間內(nèi)位移小 D．前一半位移用的時(shí)間長(zhǎng)，后一半位移用的時(shí)間短 2.下列敘述正確的是： A．太陽(yáng)輻射的能量主要來(lái)自太陽(yáng)內(nèi)部的核聚變反應(yīng) B．光電效應(yīng)現(xiàn)象表明光具有波動(dòng)性 A V L R E r S C P C．貝克勒爾

2、發(fā)現(xiàn)了鈾和含鈾礦物的天然放射現(xiàn)象 D．普朗克在研究黑體的熱輻射問(wèn)題時(shí)提出了能量子假說(shuō) 3.如圖所示的電路，閉合開(kāi)關(guān)S，滑動(dòng)變阻器滑片P向左移 動(dòng)， 下 列結(jié)論正確的是 A．電流表讀數(shù)變小，電壓表讀數(shù)變大 B．小電泡L變亮 C．電容器C上電荷量減小 D．電源的總功率變大 4.小球自由落下，在與地面發(fā)生碰撞的瞬間，反彈速度與落地速度大小相等。若從釋放時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)，不計(jì)小球與地面發(fā)生碰撞的時(shí)間及空氣阻力。則下圖中能正確描述小球各物理量與時(shí)間的關(guān)系是 動(dòng)能 時(shí)間 0 時(shí)間 0 位移 時(shí)間 0 重力勢(shì)能 時(shí)間

3、0 速度 A B C D · · · · · · · E +Q d c a b f e o 5.如圖所示勻強(qiáng)電場(chǎng)E的區(qū)域內(nèi)

4、，在O點(diǎn)處放置一點(diǎn)電荷+Q，a、b、c、d、e、f為以O(shè)點(diǎn)為球心的球面上的點(diǎn)，aecf平面與電場(chǎng)平行，bedf平面與電場(chǎng)垂直，則下列說(shuō)法中正確的是 A．b、d兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度相同 B．a(chǎn)點(diǎn)的電勢(shì)等于f點(diǎn)的電勢(shì) C．點(diǎn)電荷+q在球面上任意兩點(diǎn)之間移動(dòng)時(shí)，電場(chǎng)力 一定做功 F L D．將點(diǎn)電荷+q在球面上任意兩點(diǎn)之間移動(dòng)，從球面上 a 點(diǎn)移動(dòng)到c點(diǎn)的電勢(shì)能變化量一定最大 6.如圖所示，質(zhì)量m=1kg、長(zhǎng)L=0.8m的均勻矩形薄板靜止在水平桌面 上，其右端與桌子邊緣相平．板與桌面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ=0.4．現(xiàn) 用F=5N的水平力向右推薄板，使它翻下桌子，力F做的功至少為 （g取

5、10m/s2） A．1J B．1.6J C．2J D．4J 7.某制藥廠的污水處理站的管道中安裝了如圖所示的流量計(jì)，該裝置由絕緣材料制成，長(zhǎng)、寬、高分別為a、b、c，左右兩端開(kāi)口，在垂直于上下底面方向加磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，在前后兩個(gè)面的內(nèi)側(cè)固定有金屬板作為電極，當(dāng)含有大量正負(fù)離子（其重力不計(jì)）的污水充滿(mǎn)管口從左向右流經(jīng)該裝置時(shí)，利用電壓表所顯示的兩個(gè)電極間的電壓U，就可測(cè)出污水流量Q（單位時(shí)間內(nèi)流出的污水體積）．則下列說(shuō)法正確的是 A．后表面的電勢(shì)一定高于前表面的電勢(shì)，與正負(fù)哪種離子多少無(wú)關(guān) B．若污水中正負(fù)離子數(shù)相同，則前后表面的電勢(shì)差為零 C．流量Q越大，兩

6、個(gè)電極間的電壓U越大 D．污水中離子數(shù)越多，兩個(gè)電極間的電壓U越大 8.如圖所示，一個(gè)金屬薄圓盤(pán)水平放置在豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，下 列做法中能使圓盤(pán)中產(chǎn)生感應(yīng)電流的是 A．圓盤(pán)繞過(guò)圓心的豎直軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng) B．圓盤(pán)以某一水平直徑為軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng) C．圓盤(pán)在磁場(chǎng)中向右勻速平移 D．勻強(qiáng)磁場(chǎng)均勻增加 A B C h R 地球 9.如圖所示，從地面上A點(diǎn)發(fā)射一枚遠(yuǎn)程彈道導(dǎo)彈，在引力作用下， 沿ACB橢圓軌道飛行擊中地面目標(biāo)B，C為軌道的遠(yuǎn)地點(diǎn)，距地面高 度為h．已知地球半徑為R，地球質(zhì)量為M，引力常量為G．設(shè)距地 高度為h的圓軌道上衛(wèi)星運(yùn)動(dòng)周期為T(mén)0．下列結(jié)論正確的是

7、A．導(dǎo)彈在C點(diǎn)的速度大于 B．導(dǎo)彈在C點(diǎn)的加速度等于 C．地球球心為導(dǎo)彈橢圓軌道的一個(gè)焦點(diǎn) D．導(dǎo)彈從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)的時(shí)間一定小于T0 10如圖所示，一網(wǎng)球運(yùn)動(dòng)員將球在邊界處正上方水平向右擊出，球剛好過(guò)網(wǎng)落在圖中位置（不計(jì)空氣阻力），相關(guān)數(shù)據(jù)如圖，下列說(shuō)法中正確的是 A．擊球點(diǎn)高度h1與球網(wǎng)高度h2之間的關(guān)系為h1 =1.8h2 B．若保持擊球高度不變，球的初速度只要不大于，一定落在對(duì)方界內(nèi) C．任意降低擊球高度（仍大于），只要擊球初速度合適，球一定能落在對(duì)方界內(nèi) D．任意增加擊球高度，只要擊球初速度合適，球一定能落在對(duì)方界內(nèi) a b B M

8、 N P Q R L C 11.如圖所示，MN和PQ為處于同一水平面內(nèi)的兩根平行的光滑金屬導(dǎo)軌，導(dǎo)軌的電阻不計(jì)．垂直導(dǎo)軌放置一根電阻不變的金屬棒ab，金屬棒與導(dǎo)軌接觸良好．N、Q端接理想變壓器的原線圈，理想變壓器的輸出端有三組副線圈，分別接電阻元件R、電感元件L（電阻不為零）和電容元件C．在水平金屬導(dǎo)軌之間加豎直向下的磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間均勻增加的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，若用IR、IL、Ic分別表示通過(guò)R、L和C的電流，則下列判斷正確的是 A．若ab棒靜止，則IR=0、IL=0、IC=0 B．在ab棒向左勻速運(yùn)動(dòng)過(guò)程中， IR≠0、IL≠0、IC≠0 C．在ab棒向左勻速運(yùn)動(dòng)過(guò)程中， IR≠

9、0、IL≠0、IC=0 D．在ab棒向左勻加速運(yùn)動(dòng)過(guò)程中，則IR≠0、IL≠0、IC=0 12.利用氦-3（）和氘進(jìn)行的聚變安全無(wú)污染，容易控 制。月球上有大量的氦-3，每個(gè)航天大國(guó)都將獲取氦-3作為開(kāi)發(fā)月球的重要目標(biāo)之一?！版隙鹨惶?hào)”探月衛(wèi)星執(zhí)行的一項(xiàng)重要任務(wù)就是評(píng)估月壤中氦-3的分布和儲(chǔ)量。已知兩個(gè)氘核聚變生成一個(gè)氦-3和一個(gè)中子的核反應(yīng)方程是：2H→He＋n＋3.26 MeV 若有2g氘全部發(fā)生聚變，則釋放的能量是（NA為阿伏加德羅常數(shù)） A、0.5×3.26 MeV B、3.26 MeV C、0.5NA×3.26 MeV D、NA×3.26 M

10、eV 第二部分 非選擇題（共102分） 二、本題共8小題，滿(mǎn)分102分。其中13、14題為選做題，考生只能選其中一題作答。要按題目要求做答。解答題應(yīng)寫(xiě)出必要的文字說(shuō)明、方程式和重要演算步驟。只寫(xiě)出最后答案的不能得分。有數(shù)值計(jì)算的題，答案中必須明確寫(xiě)出數(shù)值和單位。 13．（供選修3-3考生作答，11分） （1）（5分）以下是有關(guān)熱學(xué)內(nèi)容的若干敘述： A．布朗運(yùn)動(dòng)雖然不是液體分子的運(yùn)動(dòng)，但是它可以說(shuō)明分子在永不停息地做無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng) B．給自行車(chē)輪胎打氣，越來(lái)越費(fèi)力，主要是由于打氣過(guò)程中分子間斥力逐漸增大，引力逐漸減小的緣故 C．系統(tǒng)的熵只能增大或不變，不可能減小 D．通常情況下，一

11、定質(zhì)量的理想氣體在等溫膨脹的過(guò)程中，既不吸熱，也不放熱 E．非晶體的結(jié)構(gòu)跟液體非常類(lèi)似，可以看作是粘滯性極大的液體 F．所有的金屬在常溫下都呈固態(tài) G．液體表面層的分子比液體內(nèi)部的分子有更大的分子勢(shì)能 H．由熱力學(xué)第二定律可以判斷物理過(guò)程能否自發(fā)進(jìn)行 其中正確的是 _____（選填字母代號(hào)）． （2）（6分）如圖所示，彈簧一端固定于水平臺(tái)面上，另一端與質(zhì)量為m活塞拴接 在一起，開(kāi)口向下．質(zhì)量為M的氣缸與活塞一起封閉了一定質(zhì)量的氣體。 氣缸和活塞均可與外界進(jìn)行熱交換。由于外界環(huán)境的溫度緩慢降低，被封 閉氣體向外界釋放熱量Q，同時(shí)其內(nèi)能減少ΔU。已知大氣壓強(qiáng)為p0，氣

12、缸的橫截面積為S，氣缸壁厚忽略不計(jì)，重力加速度為g 。則 ①被封氣體的體積V　　　　。（填“增大”．“減小”．“不變”） ②活塞移動(dòng)距離x為　　　?。粴飧滓苿?dòng)距離y為　　　。 14.Ⅰ選修3-4模塊，本題共11分． （1）（5分）下列說(shuō)法中正確的是 （ ） A．簡(jiǎn)諧波沿長(zhǎng)繩傳播，繩上相距半個(gè)波長(zhǎng)的兩個(gè)質(zhì)點(diǎn)振動(dòng)位移的大小相等 B．機(jī)械波和電磁波一樣從空氣進(jìn)入水中波長(zhǎng)變短 C．某同學(xué)在做“用單擺測(cè)定重力加速度”的實(shí)驗(yàn)，開(kāi)始計(jì)時(shí)時(shí)，秒表提前按下。 D．在波的干涉中，振動(dòng)加強(qiáng)的點(diǎn)一定處在波峰或波谷的疊加處 E．全息照片的拍攝利用了光的衍射原理 F．振蕩電

13、場(chǎng)和振蕩磁場(chǎng)交替產(chǎn)生，相互依存，形成不可分離的統(tǒng)一體，即電磁場(chǎng)。 G．除了從光源直接發(fā)出的光以外，我們通?？吹降慕^大部分 光都是偏振光。 H．太陽(yáng)輻射的能量大部分集中在可見(jiàn)光及附近的區(qū)域 (2)（6分） 如圖所示，己知平行玻璃磚的折射率，厚度為.入射光線以入射角60°射到玻璃磚的上表面，經(jīng)玻璃磚折射從下表面射出，出射光線與入射光線平行，求兩平行光線間距離.（結(jié)果可用根式表示） 15.（12分）某同學(xué)利用透明直尺和 光電計(jì)時(shí)器來(lái)驗(yàn)證機(jī)械能守恒定 律，實(shí)驗(yàn)的簡(jiǎn)易示意圖如下，當(dāng) 有不透光物體從光電門(mén)間通過(guò) 時(shí)，光電計(jì)時(shí)器就可以顯示物體 的擋光時(shí)間.所用的西甌XDS-007

14、光電門(mén)傳感器可測(cè)的最短時(shí)間為 0.01ms.將擋光效果好、寬度為d ＝3.8×10－3m的黑色磁帶貼在透 明直尺上，從一定高度由靜止釋 放，并使其豎直通過(guò)光電門(mén).某同 學(xué)測(cè)得各段黑色磁帶通過(guò)光電門(mén) 的時(shí)間△ti與圖中所示的高度差 △hi，并將部分?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行了處理， 結(jié)果如下表所示。（取g＝9.8m/s2，注：表格中M為直尺質(zhì)量） i （10-3s） vi （m·s-1） △E ki= △hi （m） Mg△hi 1 1.21 3.13 2 1.15 3.31 0.58M 0.06 0.58M 3 1.00 3.78 2.2

15、4M 0.23 2.25M 4 0.95 4.00 3.10M 0.32 3.14M 5 0.90 0.41 （1）從表格中數(shù)據(jù)可知，直尺上磁帶通過(guò)光電門(mén)的瞬時(shí)速度是利用求出的，請(qǐng)你簡(jiǎn)要分析該同學(xué)這樣做的理由是： _______________． （2）請(qǐng)將表格中數(shù)據(jù)填寫(xiě)完整． （3）通過(guò)實(shí)驗(yàn)得出的結(jié)論是： ． （4）根據(jù)該實(shí)驗(yàn)請(qǐng)你判斷下列k-△h圖象中正確的是（ ） A O O O O △h △h △h

16、△h B C D △Ek △Ek △Ek △Ek 16.（12分）現(xiàn)有兩個(gè)電阻元件，其中一個(gè)是由金屬材料制成的，它的電阻隨溫度的升高而增大，而另一個(gè)是由某種半導(dǎo)體材料制成的，其電阻隨溫度的升高而減小?，F(xiàn)對(duì)其中一個(gè)元件R0進(jìn)行測(cè)試，測(cè)得通過(guò)其中的電流與加在它兩端的電壓數(shù)據(jù)如下表所示： I/A 0.20 0.45 0.80 1.25 1.80 2.81 3.20 U/V 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.50 1.60 ⑴ 根據(jù)表中數(shù)據(jù)，判斷元件R0可能是由上述 _____材料制成的，并簡(jiǎn)要說(shuō)明理

17、由。 理由：_____________________ _____________________________ ⑵ 把元件R0接入如圖所示的電路中，閉合開(kāi)關(guān)后，電流表讀數(shù)為1.80A。已知電路中電源的電動(dòng)勢(shì)為3V，內(nèi)阻不計(jì)。此時(shí)定值電阻R的電功率________W. ⑶ 請(qǐng)根據(jù)表中數(shù)據(jù)在（a）圖中作出I－U圖線。為了求出通過(guò)該元件R0的電流I與電壓U間的具體關(guān)系式，請(qǐng)你適當(dāng)選取坐標(biāo)軸，將表中有關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行適當(dāng)計(jì)算，在（b）圖中作出線性圖線，并求出I和U之間的具體關(guān)系式。 I和U之間的具體關(guān)系式為：________________ 17.（15分）對(duì)于兩物體碰撞前后速度

18、在同一直線上，且無(wú)機(jī)械能損失的碰撞過(guò)程，可以簡(jiǎn)化為如下模型：A、B兩物體位于光滑水平面上，僅限于沿同一直線運(yùn)動(dòng)，當(dāng)它們之間的距離大于等于某一定值d時(shí)，相互作用力為零；當(dāng)它們之間的距離小于d時(shí)，存在大小恒為F的斥力，設(shè)A物體質(zhì)量m1=1.0kg，開(kāi)始時(shí)靜止在直線上某點(diǎn)；B物體質(zhì)量m2=3.0kg，以速度v0從遠(yuǎn)處沿該直線向A 運(yùn)動(dòng)，如圖所示，若F=0.60N，v0=0.20m/s，求： （1）相互作用過(guò)程中A、B加速度的大小； （2）從開(kāi)始相互作用到A、B間的距離最小時(shí)，系統(tǒng)（物體組）動(dòng)能的減少量； 18.（16分）如圖所示，兩根足夠長(zhǎng)的光滑平行金屬導(dǎo)軌相距為

19、L，導(dǎo)軌平面與水平面成θ角，上端通過(guò)導(dǎo)線連接阻值為R的電阻，阻值為r的金屬棒ab放在兩導(dǎo)軌上，棒與導(dǎo)軌垂直并保持良好接觸，整個(gè)裝置處在垂直導(dǎo)軌平面向上的磁場(chǎng)中，若所加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小恒為B，使金屬棒沿導(dǎo)軌由靜止向下運(yùn)動(dòng)，金屬棒運(yùn)動(dòng)的v-t圖像如圖（b）所示，當(dāng)t=t0時(shí)刻，物體下滑距離為s。已知重力加速度為g。試求： （1）金屬棒ab勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)電流強(qiáng)度I的大小和方向； （2）求導(dǎo)體棒質(zhì)量m的大??； （3）在t0時(shí)間內(nèi)電阻R產(chǎn)生的焦耳熱． 19.(18分）光滑的長(zhǎng)軌道形狀如圖所示，底部為半圓型，半徑R，固定在豎直平面內(nèi)。AB兩質(zhì)量相同的小環(huán)用長(zhǎng)為R的輕桿連

20、接在一起，套在軌道上。將AB兩環(huán)從圖示位置靜止釋放，A環(huán)離開(kāi)底部2R。不考慮輕桿和軌道的接觸，即忽略系統(tǒng)機(jī)械能的損失，求： A B R 2R （1）AB兩環(huán)都未進(jìn)入半圓型底部前，桿上的作用力 （2）A環(huán)到達(dá)最低點(diǎn)時(shí)，兩球速度大小 （3）若將桿換成長(zhǎng)，A環(huán)仍從離開(kāi)底部2R處?kù)o止釋放， 經(jīng)過(guò)半圓型底部再次上升后離開(kāi)底部的最大高度 O M R2 R1 a b 18題圖 20.（18分）未來(lái)人類(lèi)要通過(guò)可控?zé)岷朔磻?yīng)取得能源，要持續(xù)發(fā)生熱核反應(yīng)必須把溫度高達(dá)幾百萬(wàn)攝氏度以上的核材料約束在一定的空間內(nèi)，約束的辦法有多種，其中技術(shù)上相對(duì)成熟的是用

21、磁場(chǎng)約束，稱(chēng)為“托卡馬克”裝置，如圖為這種裝置的模型圖：垂直紙面的有環(huán)形邊界的勻強(qiáng)磁場(chǎng)（b區(qū)域）圍著磁感應(yīng)強(qiáng)度為零的圓形a區(qū)域，a區(qū)域內(nèi)的離子向各個(gè)方向運(yùn)動(dòng)，離子的速度只要不超過(guò)某值，就不能穿過(guò)環(huán)形磁場(chǎng)的外邊界而逃逸，從而被約束，設(shè)環(huán)形磁場(chǎng)的內(nèi)半徑R1=0.5m，外半徑R2=1.0m，若磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度B0=1.0T，被約束的離子比荷q/m=4.0×107C/kg。（1）若a區(qū)域中沿半徑OM方向射入磁場(chǎng)的離子不能穿過(guò)磁場(chǎng)，粒子的速度不能超過(guò)多大？（2）若要使從a區(qū)域沿任何方向射入磁場(chǎng)的速率為2.0×107m/s的離子都不能越出磁場(chǎng)的外邊界，則b區(qū)域磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B至少要有多大？

22、（參考答案） 題號(hào) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 答案 D ACD A D D B AC BD BCD AD AC C 13. 12．（11分） (1)（共5分） AEGH　 （全對(duì)得5分，不全對(duì)的每對(duì)一項(xiàng)得1分，錯(cuò)一項(xiàng)扣1分，錯(cuò)2項(xiàng)扣3分，錯(cuò)3項(xiàng)本題不得分，本題不得負(fù)分） 　　　　 (2)（6分） ① 減小…………………………………（2分） ② 0 ；……………………………（兩空各2分） 14.Ⅰ選修3-4模塊，本題共11分． （1） A F G H

23、 (5分) 15.（1）瞬時(shí)速度等于極短時(shí)間或極短位移內(nèi)的平均速度 (2分) （2）4.22 ； 4.00M或4.01M； 4.01M或4.02M (4分) （3）在誤差允許的范圍內(nèi)，重力勢(shì)能的減少量等于動(dòng)能的增量 (2分) （4）C (4分) 16.⑴ 半導(dǎo)體

24、 (2分) 隨著電流增大，即元件R0的發(fā)熱功率越大，對(duì)應(yīng)電壓與電流的比值越小， 即電阻值越小 （2分) ⑵ 由表中數(shù)據(jù)可知,當(dāng)電流為1.8A時(shí)，U0=1.2V 定值電阻兩端的電壓UR = U－U0 =1.8V 定值電阻消耗的功率P = UR I = 3.24W (2分)

25、⑶ I－U圖如圖(a) (2分) I/A U/V 0 （a） 0.4 0.8 1.2 1.6 0.8 1.6 2.4 3.2 I/A U2/V2 0 （b） 3.2 2.4 1.6 0.8 0.8 1.6 2.4 3.2 根據(jù)I－U圖的形狀可以猜想I與U2成線性關(guān)系，如圖(b) (2分) 從圖(b)可得直線的斜率為1.25，所以I = 1.25U2 (2分) 17.（）1

26、5分（解：（1） （6′） （2）兩者速度相同時(shí)，距離最近，由動(dòng)量守恒 ……………………………（9分） 18.（16分） …………………………2分 …………………………2分 …………………………3分 …………………………2分 …………………………3分 …………………………2分 …………………………2分 19.（18分） ⑴ 對(duì)整體分析，自由落體，加速度g 以A為研究對(duì)象，A作自由落體則桿對(duì)A一定沒(méi)有作用力。 (或列式或以B研究）

27、 （4分） ⑵ AB都進(jìn)入圓軌道后，兩環(huán)具有相同角速度，則兩環(huán)速度大小一定相等 （或通過(guò)速度分解得到兩環(huán)速度大小相同） （4分） 整體機(jī)械能守恒： （3分） （1分） ⑶ A再次上升后，位置比原來(lái)高h(yuǎn)，如圖所示。 由動(dòng)能定理（或機(jī)械能守恒）： （4分） ，

28、 （1分） B A 2R A B A離開(kāi)底部 （1分） 注：由于桿超過(guò)了半圓直徑，所以?xún)森h(huán)運(yùn)動(dòng)如圖。 O M R2 R1 a b r1 r2 20.解：（1）速度越大軌跡圓半徑越大，要使OM方向運(yùn)動(dòng)的離子不能穿越磁場(chǎng)，則其在環(huán)形磁場(chǎng)內(nèi)的運(yùn)動(dòng)軌跡圓中敢大者與磁場(chǎng)外邊界圓相切（本段文字也可用圖形表達(dá)2分） 設(shè)軌跡圓的半徑為r1，則……….3分 代入數(shù)據(jù)解得……….1分 設(shè)該圓運(yùn)動(dòng)的離子速度為v1, ……….2分 即 ……….3分 （2）設(shè)離子以v2的速度沿與內(nèi)邊界圓相切的方向射入磁場(chǎng),且軌道與磁場(chǎng)外圓相切時(shí),則以該速度沿各個(gè)方向射入磁場(chǎng)區(qū)的離子都不能穿出磁場(chǎng)邊界(也可用圖形表達(dá)2分) 設(shè)軌跡圓的半徑為r2,mj ……….3分 由 ……….2分