制造三部品質(zhì)控制計劃-最終版

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1、深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD.品 質(zhì) 控 制 計 劃 樣件 試產(chǎn) 批量生產(chǎn)部門：文件名稱產(chǎn)品名稱產(chǎn)品型號文件編號版本版次頁碼制定日期制造三部質(zhì)量控制計劃DMOST/D/E系列SI5.412F2001GZKB2014/9/24“”代表操作 代表倉儲控制類型流程圖序號過程名稱操作描述小流程機器、裝置、夾具、工裝管管制制重重點點方方法法異常處理編號特性產(chǎn)品規(guī)范.公差和要求檢查和測量方法(儀器工具)抽樣計劃責(zé)任部門/工序控制表單記錄數(shù)量頻率來料檢驗 1材料接收1表面無亮點、劃傷紫光燈每片每批來料投片來料檢驗記錄SQE通知供應(yīng)商處理:質(zhì)量

2、異常通知書或糾正預(yù)防措施報告制程控制 2正面刻標打標打標機1表面字跡清晰目檢1片每批投片檢驗記錄通知工程師 1#液清洗清洗臺2時間10分鐘面板顯示時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 3溫度655面板顯示溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 4周期2小時內(nèi)做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 5配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換酸擴散每次配液前查看配比標簽通知工程師 6顆粒度0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 擦

3、片擦片機7顆粒度0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 3一次氧化1#液清洗清洗臺1時間10分鐘面板顯示時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2溫度655面板顯示溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3周期2小時內(nèi)做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師1 4配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換酸擴散每次配液前查看配比標簽通知工程師 5顆粒度0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴

4、散顆粒度測試記錄通知工程師 20：1HF清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：20按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽通知工程師 3漂酸時間20秒面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度0.5um以上顆粒增加數(shù)量200個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 氧化3#，8#，19#1爐溫10001控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4氣體流量N2：80.4LO2

5、：40.20LH2：70.35L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 6排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 7顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 8CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試膜厚儀1氧化層厚度參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測SPC控制通知工程師 4一次光刻勻膠DNS、TEL1設(shè)備定期確認項目腔體溫度：2203設(shè)備自動檢

6、測1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 排風(fēng)靜壓力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱設(shè)備自動檢測1次 每班光刻點檢記錄通知工程師 HMDS液面在下刻度線以上設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警按操作規(guī)程添加新液。過期的殘液報廢，返回庫房3一次氧化1#液清洗清洗臺2 2勻膠程序G線程序操作界面顯示1次 每次運行光刻工藝流程卡通知工程師 3光刻膠厚度12000200A膜厚測試儀1次每班光刻SPC控制通知工程師 4熱板溫度 953設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 5光刻膠液面高于規(guī)定下限設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警更換新膠瓶 6設(shè)備排風(fēng)大于等于1.0Kpa

7、或10mm水柱界面數(shù)值顯示1次每班光刻點檢記錄通知工程師 對位I7、I8、I9、I111光刻機參數(shù)光強：I-Line光強大于400，均勻性3.5%光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 平整度：MAX-MIN40，相鄰點的極差20光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 聚焦偏移：TPR：0.3um顯微鏡檢查1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 互套：倍率、旋轉(zhuǎn)絕對值不大于1.5光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 2光刻機空調(diào)溫度230.5界面顯示1次 每次

8、運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 3確認掩膜版信息MES掩膜板信息與所使用掩膜版名稱一致目視1次每批光刻工藝流程卡更正，培訓(xùn)操作者光刻版操作規(guī)范，班組加強管理 4確認曝光時間根據(jù)各機臺標簽操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡填寫NCW記錄，硅片隔離，工藝工程師確認，返工 5樣片檢驗參照“檢驗卡”顯微鏡、紫光燈5點1片/批光刻MOS光刻檢驗樣片記錄表通知工程師 顯影DNS、TEL、SVG1顯影液溫度222溫控箱界面顯示1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 2確認儲罐內(nèi)顯影液容量高于最低液面刻度線液面高度指示計顯示報警1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警停機，加液4一次光刻勻膠DNS、TEL3 3確認使用

9、程序MES信息程序名與設(shè)備使用程序名一致操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡停機，更改程序 鏡檢顯微鏡1圖形檢查參照“檢驗卡”顯微鏡參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”5一次腐蝕堅膜GCA、SVG1堅膜溫度1105設(shè)備自動檢測 1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 堅膜時間2分鐘操作界面顯示1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 打底膜IPC40001反射功率小于等于50設(shè)備自動顯示1次 每班刻蝕電子表格通知工程師 BOE腐蝕21BOE腐蝕槽1換液周期參照“MOS光刻BOE腐蝕作

10、業(yè)指導(dǎo)書”BOE腐蝕操作記錄1次每批做片前光刻光刻清洗換酸登記表換酸 氧化層腐蝕速率67550/min膜厚測試儀5點/片1片/每班光刻SPC控制通知工程師 腐蝕液溫度201設(shè)備自動檢測1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 測試膜厚儀1剩余氧化層參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測工藝流程卡通知工程師 6一次注入堅膜烘箱1烘箱堅膜溫度12015溫度計一次每月一次注入烘箱點檢通知工程師 2堅膜時間30min計時器一次每批注入工藝流程卡 P+注入350D-1/350D-2/300XP1設(shè)備SPC監(jiān)控94090/RS75一片每天一次；更換源氣；設(shè)備大清理維修后；設(shè)備參數(shù)調(diào)整；動力條件停供恢復(fù)

11、后注入每天查看SPC監(jiān)控數(shù)據(jù)停止做片，通知工藝，設(shè)備工程師處理 2初始真空5.00E-06面板顯示一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 3注入離子種類350D-1:13.00.5350D-2：13.00.5300XP：12.00.5操作人員確認一次每批注入員工做片前檢查確認分析器數(shù)值是否在范圍內(nèi)停止做片，異常片隔離，通知工藝處理 4掃描波形主波形成M狀，X軸Y軸波形3個波峰一致，左右對齊操作人員確認一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 DNS、TEL、SVG4 5能量/劑量 80kev 3.2E12面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知

12、工藝工程師處理 6注入束流4.51 uA面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 7一次腐蝕去膠等離子去膠915/A10001壓力 PRE=20.7Torr控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 2MFC氣體流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L/min控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 H2SO4+H2O23#液清洗槽1換酸周期參照“MOS光刻3#液去膠作業(yè)指導(dǎo)書”光刻去膠登記表1次每批做片前光刻光刻清洗換酸登記表換酸 2去膠液溫度標準溫度145度，控制范圍125-170；溫度計1次1次/班光刻光刻清洗溫度檢控表通知工

13、程師 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”8一次擴散H2SO4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspect cleaningrecord1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液

14、擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄設(shè)備down機標識，打掃相關(guān)部位衛(wèi)生，測試合格后生產(chǎn)Markdown,cleaningequipment,check out5 1#液清洗清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度655控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期2h內(nèi)有效查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上

15、貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 20：1HF清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：20按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 3漂酸時間20秒面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量200個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散

16、顆粒度測試記錄通知工程師 P+擴散（程序）9#，22#1洗管干洗管道/1周2次，濕法洗管/每2月1次工藝記錄，洗管記錄1次每2月擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫1150110001控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：80.4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散

17、顆粒度測試記錄通知工程師 6CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師8一次擴散6 測試膜厚儀1氧化層厚度Tox：9500500膜厚測試儀(1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師 9二次光刻勻膠DNS、TEL1設(shè)備定期確認項目腔體溫度：2203設(shè)備自動檢測1次 每月光刻點檢記錄通知工程師 排風(fēng)靜壓力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱設(shè)備自動檢測1次 每班光刻點檢記錄通知工程師 HMDS液面在下刻度線以上設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警按操作規(guī)程添加新液。過期的殘液報廢，返回庫房 2勻膠程序G線程序操作界面顯

18、示1次 每次運行光刻工藝流程卡通知工程師 3光刻膠厚度12000200A膜厚測試儀1次每班光刻SPC控制通知工程師 4熱板溫度 953設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 5光刻膠液面高于規(guī)定下限設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警更換新膠瓶 6設(shè)備排風(fēng)大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面數(shù)值顯示1次每班光刻點檢記錄通知工程師 對位I7、I8、I9、I111光刻機參數(shù)光強：I-Line光強大于400，均勻性3.5%光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 平整度：MAX-MIN40，相鄰點的極差20光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 聚焦偏

19、移：TPR：0.3um顯微鏡檢查1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 互套：倍率、旋轉(zhuǎn)絕對值不大于1.5光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 2光刻機空調(diào)溫度230.5界面顯示1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 3確認掩膜版信息MES掩膜板信息與所使用掩膜版名稱一致目視1次每批光刻工藝流程卡更正，培訓(xùn)操作者光刻版操作規(guī)范，班組加強管理 4確認曝光時間根據(jù)各機臺標簽操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡填寫NCW記錄，硅片隔離，工藝工程師確認，返工 5樣片檢驗參照“檢驗卡”顯微鏡、紫光

20、燈5點1片/批光刻MOS光刻檢驗樣片記錄表通知工程師7 顯影DNS、TEL、SVG1顯影液溫度222溫控箱界面顯示1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 2確認儲罐內(nèi)顯影液容量高于最低液面刻度線液面高度指示計顯示報警1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警停機，加液 3確認使用程序MES信息程序名與設(shè)備使用程序名一致操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡停機，更改程序 鏡檢顯微鏡1圖形檢查參照“檢驗卡”顯微鏡參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”10二次光刻腐蝕堅膜GCA、SVG1堅膜溫度110

21、5設(shè)備自動檢測 1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 2堅膜時間2分鐘操作界面顯示1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 打底膜IPC40001反射功率小于等于50設(shè)備自動顯示1次 每班刻蝕電子表格通知工程師 BOE腐蝕21BOE腐蝕槽1換液周期參照“MOS光刻BOE腐蝕作業(yè)指導(dǎo)書”BOE腐蝕操作記錄1次每批做片前光刻光刻清洗換酸登記表換酸 2 氧化層腐蝕速率67550/min膜厚測試儀5點/片1片/每班光刻SPC控制通知工程師 3腐蝕液溫度201設(shè)備自動檢測1次每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師8 測試膜厚儀1剩余氧化層參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測工藝流程卡通知工程師 11

22、二次去膠等離子去膠915/A10001壓力 PRE=20.7Torr控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 2MFC氣體流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L/min控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 H2SO4+H2O23#液清洗槽1換酸周期參照“MOS光刻3#液去膠作業(yè)指導(dǎo)書”光刻去膠登記表1次每批做片前光刻光刻清洗換酸登記表換酸 2去膠液溫度標準溫度145度，控制范圍125-170；溫度計1次1次/班光刻光刻清洗溫度檢控表通知工程師 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”12柵前氧化H2SO

23、4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspect cleaningrecord1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒

24、個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 柵前氧化2#，18#1洗管干洗管道/10天1次，濕法洗管/每月1次工藝記錄，洗管記錄1次每2月擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫9001控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：80.4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師9 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆

25、粒度測試記錄通知工程師 6CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試1氧化層厚度Tox：40025膜厚測試儀(1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師 13柵前注入柵前注入350D-1/350D-21設(shè)備SPC監(jiān)控83.514.5/RS75一片每天一次；更換源氣；設(shè)備大清理維修后；設(shè)備參數(shù)調(diào)整；動力條件停供恢復(fù)后注入每天查看SPC監(jiān)控數(shù)據(jù)停止做片，通知工藝，設(shè)備工程師處理 2初始真空5.00E-06面板顯示一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 3注入離子種類350D-1:22.50.5350D-2

26、：22.50.5操作人員確認一次每批注入員工做片前檢查確認分析器數(shù)值是否在范圍內(nèi)停止做片，異常片隔離，通知工藝處理 4掃描波形主波形成M狀，X軸Y軸波形3個波峰一致，左右對齊操作人員確認一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 5能量/劑量100kev 2E12面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 6注入束流1.5uA到2uA面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 14柵退火H2SO4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的

27、溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspect cleaningrecord1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師10 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 1#液清洗清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警

28、通知工程師 2酸液溫度655控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期2h內(nèi)有效查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 20：1HF20秒清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：20按照設(shè)備上貼

29、的配比標簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 3漂酸時間20秒面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量200個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 柵退火5#，20#1洗管干洗管道/1周2次，濕法洗管/每2月1次工藝記錄，洗管記錄1次每2月擴散洗管記錄通知工程師14柵退火11 2爐溫11501控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：80.4L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點

30、檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 1顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 2CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試膜厚儀1膜厚測試Tox：35025A膜厚測試儀(1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師 15柵氧化腐蝕10:1 HF清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：10按照

31、設(shè)備上貼的配比標簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 3漂酸時間250秒面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 測試膜厚儀1剩余氧化層參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”RCA清洗（不用HF）清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散工藝流程卡通知工程師 2酸液溫度655控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期2h內(nèi)有效查看做片記錄1次每次做片前擴

32、散MOS 清洗液更換記錄通知工程師柵退火5#，20#12 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度655控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期2h內(nèi)有效查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比HCL：H2O2:

33、H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 柵氧化（加陪片）1#，17#1洗管干洗管道/1周2次，濕法洗管/每2月1次工藝記錄，洗管記錄1次每2月擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫8001控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：80.4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師

34、 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 6CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試膜厚儀1氧化層厚度Tox：85030膜厚測試儀(1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師 16多晶硅淀積多晶硅淀積(柵氧化后1小時內(nèi)進爐）27#，28#1多晶硅厚度6300300膜厚測試儀5點/片1次/批擴散工藝流程卡暫停異常設(shè)備做片,通知工藝工程師15柵氧

35、化RCA清洗（不用HF）清洗臺13 2漏率20mt/min面板顯示1次1次/爐擴散LPCVD爐管程序點檢表暫停異常設(shè)備做片,通知工藝工程師 3淀積溫度爐口：5975爐中：6065爐尾：6185面板顯示口、中、里位置做片時每隔1小時記錄1次擴散LPCVD爐管程序點檢表正常做片，出爐后暫停異常批次與設(shè)備,通知工藝工程師 4淀積壓力30030mt面板顯示1次/爐1次/爐擴散LPCVD爐管程序點檢表正常做片，出爐后暫停異常批次與設(shè)備,通知工藝工程師 5硅烷流量11010ml/min流量計測試儀1次/爐1次/爐擴散LPCVD爐管程序點檢表正常做片，出爐后暫停異常批次與設(shè)備,通知工藝工程師 測試膜厚儀1膜

36、層厚度參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測SPC控制參照“檢驗卡”17多晶擴散H2SO4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散工藝流程卡通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspect cleaningrecord1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新

37、配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 多晶摻雜（POLYDIFF，加陪片）29#，30#1洗管濕法洗管，1次/每120爐工藝記錄，洗管記錄1次每120爐擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫8901控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置做片時每隔1小時記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師16多晶硅淀積多晶硅淀積(柵氧化后1小時內(nèi)進爐）27#，28#14 3氣體流量N2：30.6LL-O2：36030mlL-N2：35030ml控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師

38、4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5POLY R口R口：204使用RS75四探針測試儀測試5點/片1片/爐擴散SPC控制通知工程師 漂酸清洗臺1換液周期12小時做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspect cleaningrecord1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2配比HF(1.5L)：H2O(30L)=1：20按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 3漂酸時間3分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 測試膜厚儀1膜層厚度參

39、照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”18POLY光刻勻膠DNS、TEL1設(shè)備定期確認項目腔體溫度：2203設(shè)備自動檢測1次 每月光刻點檢記錄通知工程師 排風(fēng)靜壓力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱設(shè)備自動檢測1次 每班光刻點檢記錄通知工程師 HMDS液面在下刻度線以上設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警按操作規(guī)程添加新液。過期的殘液報廢，返回庫房 2勻膠程序G線程序操作界面顯示1次 每次運行光刻工藝流程卡通知工程師 3光刻膠厚度12000200A膜厚測試儀1次每班光刻SPC控制通知工程師 4熱板溫度 953設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程

40、師 5光刻膠液面高于規(guī)定下限設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警更換新膠瓶 6設(shè)備排風(fēng)大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面數(shù)值顯示1次每班光刻點檢記錄通知工程師 對位I7、I8、I9、I111光刻機參數(shù)光強：I-Line光強大于400，均勻性3.5%光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師17多晶擴散多晶摻雜（POLYDIFF，加陪片）29#，30#15 平整度：MAX-MIN40，相鄰點的極差20光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 聚焦偏移：TPR：0.3um顯微鏡檢查1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 互套：倍率、旋轉(zhuǎn)絕對值不大于1.5光刻機測

41、試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 2光刻機空調(diào)溫度230.5界面顯示1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 3確認掩膜版信息MES掩膜板信息與所使用掩膜版名稱一致目視1次每批光刻工藝流程卡更正，培訓(xùn)操作者光刻版操作規(guī)范，班組加強管理 4確認曝光時間根據(jù)各機臺標簽操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡填寫NCW記錄，硅片隔離，工藝工程師確認，返工 5樣片檢驗參照“檢驗卡”顯微鏡、紫光燈5點1片/批光刻MOS光刻檢驗樣片記錄表通知工程師 顯影DNS、TEL、SVG1顯影液溫度222溫控箱界面顯示1次每

42、次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 2確認儲罐內(nèi)顯影液容量高于最低液面刻度線液面高度指示計顯示報警1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警停機，加液 3確認使用程序MES信息程序名與設(shè)備使用程序名一致操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡停機，更改程序 鏡檢顯微鏡1圖形檢查參照“檢驗卡”顯微鏡參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”19POLY刻蝕堅膜烘箱1堅膜烘箱溫度12010C溫度計1次每周刻蝕點檢記錄通知工程師 P5000刻蝕P50001刻蝕速率，射頻，壓力，氣體流量，顆粒度55-65A/s；

43、300W；100MT；CF4=40sccmCL2=36SCCMHBr=90sccmHe/O2=6sccm 顆粒度在0.25尺徑要小于100個膜厚儀測試、控制面板顯示、MFC流量校準、顆粒度測試儀速率監(jiān)控每天一次，MFC流量校準一周一次每周刻蝕點檢記錄通知工程師18POLY光刻對位I7、I8、I9、I111光刻機參數(shù)16 測試膜厚儀1膜層厚度參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”20POLY去膠等離子去膠915/A10001壓力 PRE=20.7Torr控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 2MFC氣體流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L

44、/min控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 H2SO4+H2O23#液清洗槽1換酸周期參照“MOS光刻3#液去膠作業(yè)指導(dǎo)書”光刻去膠登記表1次 每次運行光刻光刻清洗換酸登記表換酸 2去膠液溫度標準溫度145度，控制范圍125-170；溫度計1次1次/班光刻光刻清洗溫度檢控表通知工程師 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”21P-注入P-注入350D-1/350D-2/300XP1設(shè)備SPC監(jiān)控94090/RS75一片每天一次；更換源氣；設(shè)備大清理維修后；設(shè)備參數(shù)調(diào)整；動力條件停供恢復(fù)后注入每天查看SPC監(jiān)控數(shù)據(jù)停止做片

45、，通知工藝，設(shè)備工程師處理 2初始真空5.00E-06面板顯示一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 3注入離子種類350D-1:13.00.5350D-2：13.00.5300XP：12.00.5操作人員確認一次每批注入員工做片前檢查確認分析器數(shù)值是否在范圍內(nèi)停止做片，異常片隔離，通知工藝處理 4掃描波形主波形成M狀，X軸Y軸波形3個波峰一致，左右對齊操作人員確認一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 5能量/劑量 80kev 5.5E13面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 6注入束流7015 uA面板顯示一次每次做片前

46、注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 22P-擴散H2SO4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師制程控制17 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspect cleaningrecord1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重

47、新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 1#液清洗清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度655控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期2h內(nèi)有效查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試

48、儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 20：1HF清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：20按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 3漂酸時間20秒面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量200個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 P-擴散4#，6#，21#1洗管干洗管道/1周2次，濕法洗管/每2月1次工藝記錄，洗管記錄1次每1月擴散洗管記錄通知工程師 2爐

49、溫11501控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師22P-擴散H2SO4+H2O2清洗臺18 3氣體流量N2：80.4Llo O2：50025mL控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 6CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師

50、 測試膜厚儀1氧化層厚度Tox：70050A膜厚測試儀(1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師 23N+光刻勻膠DNS、TEL1設(shè)備定期確認項目腔體溫度：2203設(shè)備自動檢測1次 每月光刻點檢記錄通知工程師 排風(fēng)靜壓力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱設(shè)備自動檢測1次 每班光刻點檢記錄通知工程師 HMDS液面在下刻度線以上設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警按操作規(guī)程添加新液。過期的殘液報廢，返回庫房 2勻膠程序G線程序操作界面顯示1次 每次運行光刻工藝流程卡通知工程師 3光刻膠厚度12000200A膜厚測試儀1次每班光刻SPC控制通知工程師 4熱板溫度 953設(shè)備自動檢測

51、1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 5光刻膠液面高于規(guī)定下限設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警更換新膠瓶 6設(shè)備排風(fēng)大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面數(shù)值顯示1次每班光刻點檢記錄通知工程師 對位I7、I8、I9、I111光刻機參數(shù)光強：I-Line光強大于400，均勻性3.5%光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 平整度：MAX-MIN40，相鄰點的極差20光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 聚焦偏移：TPR：0.3um顯微鏡檢查1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師 互套：倍率、旋轉(zhuǎn)絕對值不大于1.5光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試

52、登記表通知工程師 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻機測試1次每周光刻光刻機參數(shù)測試登記表通知工程師P-擴散4#，6#，21#19 2光刻機空調(diào)溫度230.5界面顯示1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 3確認掩膜版信息MES掩膜板信息與所使用掩膜版名稱一致目視1次每批光刻工藝流程卡更正，培訓(xùn)操作者光刻版操作規(guī)范，班組加強管理 4確認曝光時間根據(jù)各機臺標簽操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡填寫NCW記錄，硅片隔離，工藝工程師確認，返工 5樣片檢驗參照“檢驗卡”顯微鏡、紫光燈5點1片/批光刻MOS光刻檢驗樣片記錄表通知工程師 顯影DNS、TEL、SVG1顯影液溫度222溫控箱界面顯示1次

53、每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 2確認儲罐內(nèi)顯影液容量高于最低液面刻度線液面高度指示計顯示報警1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警停機，加液 3確認使用程序MES信息程序名與設(shè)備使用程序名一致操作界面顯示1次每批光刻工藝流程卡停機，更改程序 鏡檢顯微鏡1圖形檢查參照“檢驗卡”顯微鏡參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”24N+磷注入堅膜烘箱1烘箱堅膜溫度12015溫度計一次每月一次注入烘箱點檢停止做片，隔離，通知工藝，設(shè)備工程師處理 2堅膜時間30min計時器一次無注入工藝流程卡停止

54、做片，隔離，通知工藝，設(shè)備工程師處理 N+注入160-7/1801設(shè)備SPC監(jiān)控202/RS75一片每天一次；更換源氣；設(shè)備大清理維修后；設(shè)備參數(shù)調(diào)整；動力條件停供恢復(fù)后注入每天查看SPC監(jiān)控數(shù)據(jù)停止做片，通知工藝，設(shè)備工程師處理 2初始真空2.00E-05面板顯示一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 3注入離子種類160-7:310.5180:500.5操作人員確認一次每批注入員工做片前檢查確認分析器數(shù)值是否在范圍內(nèi)停止做片，異常片隔離，通知工藝處理 對位I7、I8、I9、I1120 4大盤轉(zhuǎn)速95010 r/min操作人員確認一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工

55、程師處理 5能量/劑量 100kev 5E15面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 6注入束流41 MA面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 25N+去膠等離子去膠915/A10001壓力 PRE=20.7Torr控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 2MFC氣體流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L/min控制面板顯示1次每次運行刻蝕設(shè)備自動報警通知工程師 H2SO4+H2O23#液清洗槽1換酸周期參照“MOS光刻3#液去膠作業(yè)指導(dǎo)書”光刻去膠登記表1次 每次運行光刻光刻清洗換酸登記表換酸

56、2去膠液溫度標準溫度145度，控制范圍125-170；溫度計1次1次/班光刻光刻清洗溫度檢控表通知工程師 目檢紫光燈1表面檢查參照“檢驗卡”紫光燈參照“檢驗卡”參照“檢驗卡”檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”26LTOH2SO4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspect cleaningrecord1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 4清洗液配比H2S

57、O4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師21 20：1HF清洗臺1換液周期12小時查看做片記錄1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師 2清洗液配比HF：H2O=1：20按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 3漂酸時間20秒面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 4顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)

58、量200個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 LTO7#，23#1洗管干洗管道/1周2次，濕法洗管/每2月1次工藝記錄，洗管記錄1次每1月擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫9001控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 3氣體流量N2：80.4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表

59、面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試記錄通知工程師26LTO22 6CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 測試膜厚儀1氧化層厚度Tox：陪片dx=28050 N區(qū)：dx=1000100P區(qū)：dx=800100膜厚測試儀(1#程序)5點/片2片/批擴散SPC控制通知工程師 27P+注入P+注入160-8/160-7/180/GSD1設(shè)備SPC監(jiān)控33030/RS75一片每天一次；更換源氣；設(shè)備大清理維修后；設(shè)備參數(shù)調(diào)整；動力條件停供恢復(fù)后注入每天查看SPC監(jiān)控數(shù)據(jù)停止做片，通知工藝，設(shè)備工程師處理 2初始真空2.0

60、0E-05面板讀數(shù)顯示一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 3注入離子種類160-7：19.51180：320.5160-8：10.00.5操作人員目視一次每批注入員工做片前檢查確認分析器數(shù)值是否在范圍內(nèi)停止做片，異常片隔離，通知工藝處理 4大盤轉(zhuǎn)速95010 r/min操作人員目視一次每批注入員工做片前檢查停止做片，通知設(shè)備工程師處理 5能量/劑量 120kev 3E15面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 6注入束流1.70.5 MA面板顯示一次每次做片前注入員工做片前檢查停止做片，隔離，通知工藝工程師處理 28CVDH2SO4+H2

61、O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量Inspect cleaningrecord1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄重新?lián)Q液再進行清洗，將異常片進行隔離，通知工藝工程師Recleanafterchangingchemical,separat it andinformProcessEngineer 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼

62、的配比標簽配液，用量杯取液1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制23 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄設(shè)備down機標識，打掃相關(guān)部位衛(wèi)生，測試合格后生產(chǎn)Markdown,cleaningequipment,check out PSG31#，32#1PSG厚度100001000膜厚測試儀5點/片1次/批擴散工藝流程卡暫停異常設(shè)備做片,通知工藝工程師 2漏率20mt/min面板顯示1次1次/爐擴散LPCVD爐管程序點檢表暫停異常設(shè)備做片,通知工藝工程師 3淀積溫度4255面板顯示口、中、里位置做片時每隔1小

63、時記錄1次擴散LPCVD爐管程序點檢表正常做片，出爐后暫停異常批次與設(shè)備,通知工藝工程師 4淀積壓力30030mt面板顯示1次/爐1次/爐擴散LPCVD爐管程序點檢表正常做片，出爐后暫停異常批次與設(shè)備,通知工藝工程師 5硅烷流量SIH4 F:905ml/minSIH4 R:705ml/min流量計測試儀1次/爐1次/爐擴散LPCVD爐管程序點檢表正常做片，出爐后暫停異常批次與設(shè)備,通知工藝工程師 6氧氣流量O2 F:1005ml/minO2 R:855ml/min流量計測試儀1次/爐1次/爐擴散LPCVD爐管程序點檢表正常做片，出爐后暫停異常批次與設(shè)備,通知工藝工程師 7磷烷流量173ml/m

64、in流量計測試儀1次/爐1次/爐擴散LPCVD爐管程序點檢表正常做片，出爐后暫停異常批次與設(shè)備,通知工藝工程師 測試膜厚儀1膜層厚度參照工藝流程卡膜厚測試儀5點/片1片/籃檢測工藝流程卡參照“檢驗卡”擦片擦片機1顆粒度0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄 29增密H2SO4+H2O2清洗臺1煮酸時間10分鐘面板顯示的時間1次每批擴散程序控制器計時，報警通知工程師 2酸液溫度1255控制面板顯示的溫度1次每次做片前擴散目視控制面板溫度顯示通知工程師 3換液周期12小時以內(nèi)或1800200片做片前查看擴散工序清洗記錄換液時間和累計做片量

65、Inspect cleaningrecord1次每次做片前擴散MOS 清洗液更換記錄通知工程師28CVD24 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照設(shè)備上貼的配比標簽配液，按瓶上刻度配酸1次每次換液擴散每次配液前查看配比標簽停用，重新配制 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 增密10#，24#1洗管干洗管道/1周2次，濕法洗管/每2月1次工藝記錄，洗管記錄1次每1月擴散洗管記錄通知工程師 2爐溫9501控制面板顯示的溫度口、中、里3點位置每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通

66、知工程師 3氣體流量N2：80.4LO2：80.4L控制面板顯示的氣體流量1次每爐記錄1次擴散MOS 擴散程序運行點檢表通知工程師 4排風(fēng)0.5-1.5 inch ofwater查看表頭顯示1次每班擴散日常點檢記錄通知工程師 5顆粒度 0.5um以上顆粒增加數(shù)量100個使用4500表面沾污測試儀測試顆粒個數(shù)1次每1周擴散顆粒度測試記錄通知工程師 6CV、Vgs測試CV:|shift|0.08V/ACV測試儀，576測試儀1次每兩周擴散電子表格通知工程師 30接觸孔光刻勻膠DNS、TEL1設(shè)備定期確認項目腔體溫度：2203設(shè)備自動檢測1次 每月光刻點檢記錄通知工程師 排風(fēng)靜壓力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱設(shè)備自動檢測1次 每班光刻點檢記錄通知工程師 HMDS液面在下刻度線以上設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警按操作規(guī)程添加新液。過期的殘液報廢，返回庫房 2勻膠程序G線程序操作界面顯示1次 每次運行光刻工藝流程卡通知工程師 3光刻膠厚度12000200A膜厚測試儀1次每班光刻SPC控制通知工程師 4熱板溫度 953設(shè)備自動檢測1次 每次運行光刻設(shè)備自動報警通知工程師 5光刻