高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)考點(diǎn)專項(xiàng)突破練習(xí)： 專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 9含解析

《高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)考點(diǎn)專項(xiàng)突破練習(xí)： 專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 9含解析》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)考點(diǎn)專項(xiàng)突破練習(xí)： 專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 9含解析（7頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、2020屆高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)考點(diǎn)專項(xiàng)突破練習(xí)專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（9）1、化學(xué)選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等?；卮鹣铝袉?wèn)題:（1）寫(xiě)出基態(tài)As原子的核外電子排布式_。（2）根據(jù)元素周期律,原子半徑Ga_As,第一電離能Ga_As。(填“大于”或“小于”)（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為_(kāi),其中As的雜化軌道類型為_(kāi)。（4）GaF3的熔點(diǎn)高于1000,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9,其原因是_。（5）GaAs的熔點(diǎn)為1238,密度為 gcm-3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為_(kāi),Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別

2、為MGa gmol-1 和MAs gmol-1,原子半徑分別為rGa pm和rAs pm,阿伏伽德羅常數(shù)值為NA,則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_(kāi)。2、W、X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，元素W是宇宙中最豐富的元素，元素X的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍，元素Z的基態(tài)原子核外電子有24種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，YX、不在同一周期，且Y原子核外p電子比s電子多5個(gè)。（1）基態(tài)原子的核外電子排布式為 。（2）Z的氧化物是石油化工中重要的催化劑之一，如催化異丙苯（）裂化生成苯和丙烯。1mol丙烯分子中含有鍵與鍵數(shù)目之比為 。苯分子中碳原子軌道的雜化類型為 。Z的一種氧化物中，Z的化合價(jià)

3、為6，則其中過(guò)氧鍵的數(shù)目為 個(gè)。（3）W、X、Y三種元素的電負(fù)性由小到大順序?yàn)?（請(qǐng)用元素符號(hào)回答）（4）熔點(diǎn)為1152，熔融狀態(tài)下能夠?qū)щ姄?jù)此可判斷晶體屬于 （填晶體類型）。（5）晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，每個(gè)Z原子周圍最近的X原子數(shù)目為 。若該化合物的相對(duì)分子質(zhì)量為M，晶胞邊長(zhǎng) acm，阿伏加德羅常數(shù)為，則該晶體的密度為 .3、化學(xué)選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題:1.基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為_(kāi)。2.在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有_、_,所含鍵數(shù)目和鍵數(shù)目之比為_(kāi)。3.甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比

4、較三者鍵角的大小_(由大到小,用H一RH表示),其原因是_。4.C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是_。5.C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20 (1=10-8cm),則C60的晶體密度為_(kāi)g/cm3。(C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有_個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為

5、_。4、自然界中存在大量的金屬元素，其中鈉、鎂、鋁、鐵、銅等在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用。1.請(qǐng)寫(xiě)出Fe的基態(tài)原子核外電子排布式_。2.金屬A的原子只有3個(gè)電子層，其第一至第四電離能如下：電離能/(kJmol1)I1I2I3I4A932182115 39021 771則A原子的價(jià)電子排布式為_(kāi)。3.合成氨工業(yè)中，原料氣(N2、H2及少量CO、NH3的混合氣)在進(jìn)入合成塔前常用醋酸二氨合銅()溶液來(lái)吸收原料氣體中的CO(Ac代表CH3COO-)，其反應(yīng)是：Cu(NH3)2AcCONH3 Cu(NH3)3COAc醋酸羰基三氨合銅()H ”“”或“ =”） ，理由是_ _。4.銅晶體和鎳晶體的晶胞均

6、為面心立方最密堆積，配位數(shù)為_(kāi)。5.鎢與碳組成一種特殊材料，其晶體的晶胞如圖所示，它的化學(xué)式為_(kāi)。它的熔點(diǎn)為2870、硬度類似金剛石，預(yù)測(cè)它的晶體類型是_。6.鈧晶體的晶胞如圖所示，已知鈧晶胞底邊邊長(zhǎng)為a pm，高為b pm，表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則鈧晶體的密度為_(kāi) 。（只列出計(jì)算式） 答案以及解析1答案及解析：答案：（1）1s22s22p63s23p63d104s24p3;（2）大于,小于; （3）三角錐形,sp3;（4）GaF3是離子晶體,GaCl3是分子晶體,離子晶體GaF3的熔沸點(diǎn)高;（5）原子晶體;共價(jià)；解析： 2答案及解析：答案:（1）（2）8:1 2（3）（4）離子晶體（5）6

7、 解析:W、X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，元素W是宇宙中最豐富的元素，W是H。元素X的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍，X是O。元素Z的基態(tài)原子核外電子有24種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，Z是CrY、X、Z不在同一周期，Y是第三周期元素，Y原子核外p電子比s電子多5個(gè)，Y是Cl（1）Cr基態(tài)原子的核外電子排布式為（2）單鍵都是鍵，雙鍵中含有1個(gè)鍵、1個(gè)鍵，所以1mol丙烯分子（）中含有鍵與鍵數(shù)目之比為8:1。苯分子是平面形結(jié)構(gòu)，分子中碳原子軌道的雜化類型為。設(shè)過(guò)氧鍵的數(shù)目為x，則一2價(jià)氧原子的個(gè)數(shù)是，Cr的化合價(jià)為6，則根據(jù)正負(fù)價(jià)代數(shù)和為0可知，解得。（3）非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，則W、X、Y三種

8、元素的電負(fù)性由小到大順序?yàn)镠CO.（4）熔點(diǎn)為1152，熔融狀態(tài)下能夠?qū)щ姡瑩?jù)此可判斷晶體屬于離子晶體。（5）根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可判斷每個(gè)Cr原子周圍最近的O原子數(shù)目為6個(gè)。晶胞中Cr是181/82個(gè)，則該晶體的密度為 3答案及解析：答案：1.;2.sp;sp2;2:1;3.H-C-HH-N-HH-O-H;C、N、O均為sp3雜化,孤電子對(duì)分別為0、1、2,“孤電子對(duì)成鍵電子對(duì)”的斥力大于“成鍵電子對(duì)成鍵電子對(duì)”的斥力,孤電子對(duì)越多斥力越大,鍵角越小。4.分子晶體; 5.1.67;8;7.10解析： 4答案及解析：答案：1.Ar3d64s2 2.3s23.CON; 4; sp2、sp3; 7NA4.

9、MgO晶體所含離子半徑小，電荷數(shù)多，晶格能大5.正四面體;SO3或BF3 6.解析： 5答案及解析：答案：1.2.苯甲醇分子間除范德華力外還存在氫鍵，苯甲醛分子間只存在范德華力3. ； 所帶正電荷數(shù)較多,對(duì)Co原子d軌道上的電子吸引力較強(qiáng)4.125.WC；原子晶體6. 解析：4.采用面心立方最密堆積的金屬晶體的配位數(shù)為12。5.六棱柱中含6個(gè)C原子，12個(gè)鎢原子位于頂點(diǎn)，2個(gè)鎢原子位于面心,1個(gè)鎢原子位于中心,6個(gè)鎢原子位于棱心，故1個(gè)晶胞中含鎢原子數(shù)為,故該晶體的化學(xué)式為WC。依題意，該晶體的沸點(diǎn)高、硬度大，屬于原子晶體。6.鈧晶胞的1個(gè)底面由6個(gè)正三角形構(gòu)成，每個(gè)正三角形的高，晶胞底面積，則晶胞體積；一個(gè)晶胞中含鈧原子個(gè)數(shù)為，則鈧晶體密度。