提高習(xí)題 -模擬集成電路

上傳人:沈*** 文檔編號(hào):161836206 上傳時(shí)間:2022-10-15 格式:DOC 頁(yè)數(shù):8 大小:103.50KB
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1、模擬集成電路 1.電路如圖1a所示,用鏡像電流源(T1、T2)對(duì)射極跟隨器進(jìn)行偏置。設(shè)β>>1,VCC= –VEE=10V,VBE=0.6V。求電流Io的值。若ro(rce)=100kW。與圖b電路比較,該電路有何優(yōu)點(diǎn)? (a) (b) 圖1 2.電路如圖2所示,設(shè)T1、T2的特性完全相同,且rce>> Re2,re≈<< R,求電流源的輸出電阻。 圖2 3.電路如圖3所示,NMOS管的參數(shù)為:VT=1V,Kn = 50mA/V2,ln =0。PMOS管的參數(shù)為:VT =

2、–1V,KP = 25mA/V2,l = 0,設(shè)全部管子均運(yùn)行于飽和區(qū),試求R、I3和I4的值。各管的W/L值見(jiàn)圖示。 圖3 4.圖4是由P溝道MOSFET管T2,T3組成鏡像電流源作為有源負(fù)載,N溝道MOSFET管T1構(gòu)成共源放大電路。當(dāng)rds1 = rds2 = 2MW,VT1=1V,導(dǎo)電系數(shù)K =100 mA/V2,IREF =100 mA,求Av。 圖4 5.在圖5所示的射極耦合差分式放大電路中,+VCC=+10V,-VEE=-10V,Io=1mA,ro=25kΩ(電路中未畫(huà)出),Rc1=Rc2=10kΩ,BJT的β=200

3、,VBE=0.7V;(1)當(dāng)vi1=vi2=0時(shí),求IC、VE,VCE1和VCE2;(2)當(dāng)vi1=-vi2=+時(shí),求雙端輸出時(shí)的Avd,和單端輸出的Avd1,Avc1和KCMR1的值。 圖5 6.電路如圖6所示,Re1=Re2=100Ω,BJT的β=100,VBE=0.6V,電流源動(dòng)態(tài)輸出電阻ro=100 kΩ,求:(1)當(dāng)vi1=0.01V、vi2=-0.01V時(shí),求輸出電壓vo=vo1-vo2的值;(2)當(dāng)c1、c2間接入負(fù)載電阻RL=5.6kW時(shí),求的值;(3)單端輸出且RL=∞時(shí),vo2=?求Avd2、Avc2和KCMR2的值。(4)電路的差模輸入電阻Rid、共模輸入電阻

4、Ric和不接RL時(shí),單端輸出的輸出電阻Ro2。 圖6 7.電路如圖7所示,設(shè)BJT的β1=β2=30,β3=β4=100,VBE1=VBE2=0.6V,VBE3=VBE4=0.7V。試計(jì)算雙端輸入、單端輸出時(shí)的Rid、Avd1、Avc1及KCMR1的值。 圖7 8.電路如圖8所示,已知BJT的β1=β2=β3=50,rce=200kΩ,VBE=0.7V,試求單端輸出的差模電壓增益Avd2、共模抑制比KCMR2、差模輸入電阻Rid和輸出電阻Ro。 圖8 9.電路如圖9所示,T1~T4特性相同,設(shè)β=107,rbb'=200Ω,VBE=0.7V,rce2=rce

5、4=167kW,T5的rce5=100kW,Re5=100Ω,Re6=51Ω,R=4.7kΩ,VCC=+6V,-VEE=-6V。(1)計(jì)算電路的偏置電流;(2)求c2端輸出時(shí)的差模電壓增益Avd2,共模電壓增益Avc2和共模抑制比KCMR;(3)求差模輸入電阻Rid,從c2看入的輸出電阻Ro。提示: 圖9 10.CMOS源極耦合差分式放大電路如圖10所示,電路參數(shù)為+VDD=10V,-VSS=-10V,Io=0.1mA,PMOSFET T3、T4的KP=80 μA/V2,λ=0.015V-1,VT=-1V。NMOSFET T1、T2的Kn=100 μA/V2,λ=0.01V-1

6、,VT=1V。確定差模電壓增益Avd2=? 圖10 11.電路如圖11所示,電路參數(shù)如圖所示,已知JFET的IDSS=4mA,VP=-2V,T1、T2的gm=1.41ms電流源電路T3的gm3=2mS,電流源的動(dòng)態(tài)電阻RAB=2110kΩ。(1)求電路Avd2、Avc2(從d2輸出時(shí)和KCMR2);(2)當(dāng)vi1=50mV,vi2=10mV時(shí),求vo2=? 圖11 12.電路如圖12所示,電路中JFET T1、T2的gm=1.41ms,λ1=0.01V-1,BJT的rce4=100 kW電流源電流Io=1mA,動(dòng)態(tài)電阻ro=2000kΩ(圖中未畫(huà)出);RL=40kΩ,當(dāng)

7、vid=40mV,求輸出電壓vo2、共模電壓增益Avc2和共模抑制比KCMR2。 圖12 13.在射極耦合差分式放大電路中,為什么在差分對(duì)管的射極電路里各接入的射極電阻Re時(shí),可以擴(kuò)大傳輸特性的線性工作范圍?它是以什么代價(jià)來(lái)?yè)Q取的? 14.圖14表示一BJT集成運(yùn)放電路。(1) 試判斷兩管T1和T2的兩個(gè)基極,哪個(gè)為同相端,哪個(gè)為反相端?(2) 電路共有幾級(jí)放大?各級(jí)分別是什么組態(tài)的放大電路?它們各有什么特點(diǎn)? 圖14 15.失調(diào)電流補(bǔ)償電路如圖15所示。當(dāng)IBN=I1+I(xiàn)F=100nA,IBP=80nA,使輸出誤差電壓Vor=0V時(shí),求平衡電阻R2的值是多少?

8、 圖15 16.運(yùn)放的單位增益帶寬fT=1MHz,轉(zhuǎn)換速率SR=1V/μs,當(dāng)運(yùn)放接成反相放大電路的閉環(huán)增益Avd=-10,確定小信號(hào)閉環(huán)帶寬fHf;當(dāng)輸出電壓不失真幅度Vom=10V時(shí),求全功率帶寬BWP。 17.有效值檢測(cè)電路如圖17所示,若R2為∞,試證明 vo= 式中T=。 圖17 18.電路如圖18所示,試求輸出電壓vo的表達(dá)式。 圖18 19.電路如圖19所示,運(yùn)放和乘法器都具有理想特性。(1)求vo1、vo2和vo的表達(dá)式;(2)當(dāng)vs1=Vsmsinωt,vs2=Vsmcosωt,說(shuō)明此電路具有檢測(cè)正交振蕩幅值的功能(稱(chēng)平方律振幅檢測(cè)電路)。 提示:sin2ωt+cos2ωt=1 圖19

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