提高習(xí)題 -模擬集成電路

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1、模擬集成電路 1．電路如圖1a所示，用鏡像電流源(T1、T2)對(duì)射極跟隨器進(jìn)行偏置。設(shè)β>>1，VCC= –VEE=10V，VBE=0.6V。求電流Io的值。若ro(rce)=100kW。與圖b電路比較，該電路有何優(yōu)點(diǎn)？ (a) (b) 圖1 2．電路如圖2所示，設(shè)T1、T2的特性完全相同，且rce＞＞ Re2，re≈＜＜ R，求電流源的輸出電阻。 圖2 3．電路如圖3所示，NMOS管的參數(shù)為：VT=1V，Kn = 50mA/V2，ln =0。PMOS管的參數(shù)為：VT =

2、–1V，KP = 25mA/V2，l = 0,設(shè)全部管子均運(yùn)行于飽和區(qū),試求R、I3和I4的值。各管的W/L值見(jiàn)圖示。 圖3 4．圖4是由P溝道MOSFET管T2，T3組成鏡像電流源作為有源負(fù)載，N溝道MOSFET管T1構(gòu)成共源放大電路。當(dāng)rds1 = rds2 = 2MW，VT1=1V，導(dǎo)電系數(shù)K =100 mA/V2，IREF =100 mA，求Av。 圖4 5．在圖5所示的射極耦合差分式放大電路中，+VCC＝＋10V，－VEE＝－10V，Io＝1mA，ro＝25kΩ（電路中未畫(huà)出），Rc1＝Rc2＝10kΩ，BJT的β＝200

3、，VBE＝0.7V；（1）當(dāng)vi1＝vi2＝0時(shí)，求IC、VE，VCE1和VCE2；（2）當(dāng)vi1＝－vi2＝＋時(shí)，求雙端輸出時(shí)的Avd，和單端輸出的Avd1，Avc1和KCMR1的值。 圖5 6．電路如圖6所示，Re1＝Re2＝100Ω，BJT的β＝100，VBE＝0.6V，電流源動(dòng)態(tài)輸出電阻ro=100 kΩ，求：（1）當(dāng)vi1＝0.01V、vi2＝－0.01V時(shí)，求輸出電壓vo＝vo1－vo2的值；（2）當(dāng)c1、c2間接入負(fù)載電阻RL＝5.6kW時(shí)，求的值；（3）單端輸出且RL＝∞時(shí)，vo2＝？求Avd2、Avc2和KCMR2的值。（4）電路的差模輸入電阻Rid、共模輸入電阻

4、Ric和不接RL時(shí)，單端輸出的輸出電阻Ro2。 圖6 7．電路如圖7所示，設(shè)BJT的β1＝β2＝30，β3＝β4＝100，VBE1＝VBE2＝0.6V，VBE3＝VBE4＝0.7V。試計(jì)算雙端輸入、單端輸出時(shí)的Rid、Avd1、Avc1及KCMR1的值。 圖7 8．電路如圖8所示，已知BJT的β1＝β2＝β3＝50，rce＝200kΩ，VBE＝0.7V，試求單端輸出的差模電壓增益Avd2、共模抑制比KCMR2、差模輸入電阻Rid和輸出電阻Ro。 圖8 9．電路如圖9所示，T1～T4特性相同，設(shè)β＝107，rbb'＝200Ω，VBE＝0.7V，rce2＝rce

5、4＝167kW，T5的rce5＝100kW，Re5＝100Ω，Re6＝51Ω，R＝4.7kΩ，VCC＝＋6V，－VEE＝－6V。（1）計(jì)算電路的偏置電流；（2）求c2端輸出時(shí)的差模電壓增益Avd2，共模電壓增益Avc2和共模抑制比KCMR；（3）求差模輸入電阻Rid，從c2看入的輸出電阻Ro。提示： 圖9 10．CMOS源極耦合差分式放大電路如圖10所示，電路參數(shù)為+VDD＝10V，－VSS＝－10V，Io＝0.1mA，PMOSFET T3、T4的KP＝80 μA/V2，λ＝0.015V－1，VT＝－1V。NMOSFET T1、T2的Kn＝100 μA/V2，λ＝0.01V－1

6、，VT＝1V。確定差模電壓增益Avd2＝？ 圖10 11．電路如圖11所示，電路參數(shù)如圖所示，已知JFET的IDSS＝4mA，VP＝－2V，T1、T2的gm＝1.41ms電流源電路T3的gm3＝2mS，電流源的動(dòng)態(tài)電阻RAB＝2110kΩ。（1）求電路Avd2、Avc2（從d2輸出時(shí)和KCMR2）；（2）當(dāng)vi1＝50mV，vi2＝10mV時(shí)，求vo2＝？ 圖11 12．電路如圖12所示，電路中JFET T1、T2的gm＝1.41ms，λ1＝0.01V－1，BJT的rce4＝100 kW電流源電流Io＝1mA，動(dòng)態(tài)電阻ro＝2000kΩ（圖中未畫(huà)出）；RL＝40kΩ，當(dāng)

7、vid＝40mV，求輸出電壓vo2、共模電壓增益Avc2和共模抑制比KCMR2。 圖12 13．在射極耦合差分式放大電路中，為什么在差分對(duì)管的射極電路里各接入的射極電阻Re時(shí)，可以擴(kuò)大傳輸特性的線性工作范圍？它是以什么代價(jià)來(lái)?yè)Q取的？ 14．圖14表示一BJT集成運(yùn)放電路。(1) 試判斷兩管T1和T2的兩個(gè)基極，哪個(gè)為同相端，哪個(gè)為反相端？(2) 電路共有幾級(jí)放大？各級(jí)分別是什么組態(tài)的放大電路？它們各有什么特點(diǎn)？ 圖14 15．失調(diào)電流補(bǔ)償電路如圖15所示。當(dāng)IBN＝I1＋I(xiàn)F＝100nA，IBP＝80nA，使輸出誤差電壓Vor＝0V時(shí)，求平衡電阻R2的值是多少？

8、 圖15 16．運(yùn)放的單位增益帶寬fT＝1MHz，轉(zhuǎn)換速率SR＝1V/μs，當(dāng)運(yùn)放接成反相放大電路的閉環(huán)增益Avd＝－10，確定小信號(hào)閉環(huán)帶寬fHf；當(dāng)輸出電壓不失真幅度Vom＝10V時(shí)，求全功率帶寬BWP。 17．有效值檢測(cè)電路如圖17所示，若R2為∞，試證明 vo＝ 式中T＝。 圖17 18．電路如圖18所示，試求輸出電壓vo的表達(dá)式。 圖18 19．電路如圖19所示，運(yùn)放和乘法器都具有理想特性。（1）求vo1、vo2和vo的表達(dá)式；（2）當(dāng)vs1＝Vsmsinωt，vs2＝Vsmcosωt，說(shuō)明此電路具有檢測(cè)正交振蕩幅值的功能（稱平方律振幅檢測(cè)電路）。 提示：sin2ωt＋cos2ωt＝1 圖19