《第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》單元測試

上傳人:緣*** 文檔編號:25271559 上傳時間:2021-07-22 格式:DOCX 頁數(shù):4 大?。?03.40KB
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1、AI2O3+N2+3C高溫2A1N+3COA.B.C.D.第三章單元測試部分原子量:H: 1 C: 12N: 140: 16 Na: 23第卷一、選擇題(共48分。每小題只有一個選項符合題意。)1 .下列化學式能真.實表示物質(zhì)分子組成的是A. NaOH B. S03 C. Au D. SiO22 .支持固態(tài)皴是分子晶體的事實是A.氮原子不能形成陽離子B.核離子不能單獨存有C.常溫下,氨是氣態(tài)物質(zhì)D.氨極易溶于水3 .下列各組物質(zhì)性質(zhì)的比較中準確的是A.熔點:Na-K合金H:SH:Se, HC1HsSPH5C.第一電離能NaMgAlD.空間利用率:體心立方堆積六方最密堆積而心立方 最密堆積4 .

2、下列的晶體中,化學鍵種類相同,晶體類型也相同的是A.SOz 與 SiO2 B.CO2 與 H20C.NaCl 與 HC1 D.CCU 與 KC15 .固體熔化時,必須破壞非極性共價鍵的是A.冰B.晶體硅C.澳D.二氧化硅6 .下列相關金屬犍的敘述錯誤的是A.金屬鍵沒有飽和性和方向性B.金屬鍵和共價鍵都是靠共用多個電子成鍵,其本質(zhì)都 是電性作用C.金屬鍵是金屬陽離子和“自由電子”之間存有的強烈 的靜電吸引作用D.金屬的物理性質(zhì)和金屬固體的形成都與金屬鍵相關7 .下列各項所述的數(shù)字不是6的是A.在NaCl晶體中,與一個Na+最近的且距離相等的C1- 的個數(shù)B.在金剛石晶體中,最小的環(huán)上的碳原子個數(shù)

3、C.在二氧化硅晶體中,最小的環(huán)上的原子個數(shù)D.在石墨晶體的片層結(jié)構(gòu)中,最小的環(huán)上的碳原子個數(shù)8 .關于晶體的下列說法準確的是A.只要含有金屬陽離子的晶體就一定是離子晶體B.離子晶體中一定含金屬陽離子C.在共價化合物分子中各原子都形成8電子結(jié)構(gòu)D.分子晶體的熔點不一定比金屬晶缽熔點低9 .根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的溶沸點判斷說法錯誤的是NaC1必颯aici3SiCl4單質(zhì)R熔點幻110七1犯七.70七2330沸點141$ 177.85?七2刃QPA. SiCL是分子晶體B. MgCh中鍵的強度比NaCl中鍵的強度小C.單質(zhì)R是原子晶體D. AlCh為離子晶體10 .組成晶體的質(zhì)點(分子、原子、離子

4、)以確定的位置在空 間作有規(guī)則排列,具有一定幾何形狀的空間格子,稱為晶 格,晶格中能代表晶體結(jié)構(gòu)特征的最小重復單位稱為晶胞。 在冰晶石(NH3A1F6)晶胞中,AHV-占據(jù)的位置相當于NaCl 晶胞中CT占據(jù)的位置,則冰晶石晶胞中含有的原子數(shù)與食 鹽晶胞中含有的原子數(shù)之比為A. 2: 1 B. 3: 2C. 5: 2 D. 5:111 .氮化鋁(A1N)具有耐高溫、抗沖擊、導熱性好等優(yōu)良 性質(zhì),被廣泛應用于電子工業(yè)、陶瓷工業(yè)等領域。在一定 條件下,氮化鋁可通過如下反應合成:下列敘述準確的是 在此反應中,N?是還原劑,AK)3是氧化劑上述反應中每生成2 mol AIN, N:得到3 mol電子氮

5、化鋁中氮元素的化合價為-3氮化鋁晶體屬于分子晶體12 .下列相關金屬的說法準確的是A、金屬原子的核外電子在金屬晶體中都是自由電子B、鎂型和銅型的原子堆積方式空間利用率最高C、金屬原子在化學變化中失去的電子數(shù)越多,其還原性越 強D、溫度升高,金屬的導電性將變大13 .右圖為冰晶體的結(jié)構(gòu)模型,大球代表0原子,小球代表 H原子。下列相關說法準確的是A、冰晶體中每個水分子與另外四個水分子形成四而體B、冰晶體具有空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),是原子晶體C、水分子間通過H-0鍵形成冰晶體D、冰晶體熔化時,水分子之間的空隙增大14 .右圖是已經(jīng)合成的一種硫氮化合物的分子結(jié)構(gòu),下列說 法中準確的是A.該物質(zhì)的分子中既有極性鍵

6、又有非極性鍵B.該物質(zhì)具有極大的熔、沸點C.該物質(zhì)是原子晶體D.該物質(zhì)與化合物S2N2互為同素異形體15 .最近科學家成功制成了一種新型的碳氧化合物,該化合 物晶體中每個碳原子均以四個共價單鍵與氧原子結(jié)合為一 種空間網(wǎng)狀的無限伸展結(jié)構(gòu),下列對該晶體敘述錯誤的是A.該晶體類型是原子晶體B.該晶體中碳原子和氧原子的個數(shù)比為1 : 2C.晶體中碳原子數(shù)與CO化學鍵數(shù)之比為1 : 2D.晶體的空間最小環(huán)共有12個原子構(gòu)成16.高溫下,超氧化鉀(KO?)晶體結(jié)構(gòu)與NaCl相似,其晶 體結(jié)構(gòu)的一個基本重復單元如圖所示,已知晶體中氧的化 合價可看作部分為0價,部分為一2價。下列說法準確的是A.晶體中,0價氧

7、原子與一2價氧原子的數(shù)目比為1 : 1B.晶體中每個K周圍有8個03每個0?一周圍有8個K+C.超氧化鉀晶體中陽離子與陰離子的個數(shù)比為1 : 2D.晶體中與每個K+距離最近的e有12個第II卷二、填空題17. (12分)銅單質(zhì)及其化合物在很多領域有重要的用 途,如金屬銅用來制造電線電纜,五水硫酸銅可用 作殺菌劑.(1)Cu位于元素周期表第 族.CY的核外電子排布式為;(2)下圖是銅的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,可 確定該晶胞中陰離子的個數(shù)為;(3)膽磯 CUS0.5H??蓪懗蒀u (HM) SOH。其結(jié)構(gòu)示意圖如下:下列說法準確的是A.上述結(jié)構(gòu)示意圖中,所有氧原子都采用sp雜化 B.上述結(jié)構(gòu)示

8、意圖中,存有配位鍵、共價鍵和離子 鍵C.膽機是分子晶體,分子間存有氫鍵D.膽機中的水在不同溫度下會分步失去(4)Cu:0的熔點比Cu=S的(填“高”或“低”), 請解釋原因18. (10分)氮化硅是一種高溫陶瓷材料,它的硬度大、熔 點高、化學性質(zhì)穩(wěn)定。工業(yè)上曾普遍采用高純硅與純氮在1 300C反應獲得。(1)氮化硅晶體屬于 晶體。(2)已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中,原子間以單鍵相連,且N 原子和N原子,Si原子和S原子不直接相連,同時每個原 子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。請寫出氮化硅的化學式(3)現(xiàn)用SiCL和N?在H?氣氛保護下,增強熱發(fā)生反應, 可得較高純度的氮化硅。反應的化學方程式為:19. (8分

9、)現(xiàn)有甲、乙、丙、丁四種晶胞(如圖2-8所示), 可推知:甲晶體中A與B的離子個數(shù)比為:乙晶 體的化學式為:丙晶體的化學式為: 丁晶 體的化學式為o(1)其中代表金剛石的是 (填編號,下同),每個碳 原子與 個碳原子最接近且距離相等:(2)代表石墨的是,每個六邊形占有 個C,碳原子個數(shù)與碳碳鍵之比為;(3)表示NaCl的是,每個鈉離子周圍與它最接近且距離相等的鈉離子有 個;(4)表示CsCl的是,每個鈉離子與 個氯離子緊鄰,氯離子的配位數(shù)為 o21. (12分)金屬銀及其化合物在合金材料以及催化劑等方 面應用廣泛。(1)基態(tài)Ni原子的價電子(外圍電子)排布式:(2)金屬銀能與C0形成配合物Ni

10、 (CO)寫出與CO互 為等電子體的一種分子和一種離子的化學式、: (3) N嚴和Fe”的半徑分別為69 pm和78 pm,則熔點 NiOFeO (填 “V” 或):(4)金屬銀與錮(La)形成 的合金是一種良好的儲氫材 料,其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖所 示。該合金的化學式(5)Ni0晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體類似,其晶胞的棱長為a cm, 則該晶體中距離最近的兩個陽離子核間的距離為cm (用含有a的代數(shù)式表示)。在一定溫度下NiO晶體能夠 自發(fā)地分散并形成“單分子層”(如左上圖),能夠認為氧 離子作密置單層排列,銀離子填充其中,列式并計算每平 方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量氧離子的半 徑為1.40X10結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)20. (10分)如圖所示是一些晶體的結(jié)構(gòu),它們分別 是NaCl、CsCl、干冰、金剛石、石墨結(jié)構(gòu)中的某一 種的某一部分

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