數(shù)電模電測(cè)試題

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1、第一部分：模電數(shù)電基礎(chǔ)知識(shí) 技術(shù)測(cè)試題 姓名： 安江濤 得分： 1. 電阻的特性有（A）,電容的特性有（B）,電感的特性有（C）二極管的特性有（D） A 分壓、限流 B 、通交隔直 C 、通直阻交 D、單向?qū)? 2. 電阻越大，說(shuō)明（A） A 、阻礙電流的能力越大 B、同一時(shí)間內(nèi)消耗的能量越多 C、功率越大D、電壓越大 3回憶總結(jié)：盡可能多的寫(xiě)出你接觸到的電阻阻值（從小到大） 18Q ,1K,4.7K,10K 4. 回憶總結(jié)：盡可能多的寫(xiě)出你所知道的電阻的作用 （每種作用要聯(lián)想實(shí)際電路畫(huà)出最好 ）：1.分壓限流（穩(wěn)壓二極管 電路）2.上下拉 3. RC 震蕩電路 5.

2、 關(guān)于上拉電阻，正確的有 （AC） A、上拉，就是通過(guò)一個(gè)電阻將信號(hào)接電源，一般用于時(shí)鐘信號(hào)數(shù)據(jù)信號(hào)等。 B TTL驅(qū)動(dòng)CMOS時(shí),如果TTL輸出最低高電平低于 CMOS最低高電平時(shí)，提高輸出高電平值 C加大輸出的驅(qū)動(dòng)能力 D 、提高抗電磁能力，空腳易受電磁干擾 6. 關(guān)于下拉電阻正確的有（AD ） A、下拉，就是通過(guò)一個(gè)電阻將信號(hào)接地，一般用于保護(hù)信號(hào)。 B TTL驅(qū)動(dòng)CMOS時(shí),如果TTL輸出最低高電平低于 CMOS最低高電平時(shí)，提高輸出高電平值 C加大輸出的驅(qū)動(dòng)能力 D 、提高抗電磁能力，空腳易受電磁干擾 7. 關(guān)于上下拉電阻的選擇， 結(jié)合開(kāi)關(guān)管特性和下級(jí)電路的輸入特性進(jìn)

3、行設(shè)定，要考慮的因素以下正確的有（ AB） A、驅(qū)動(dòng)能力與功耗的平衡。以上拉電阻為例，一般地說(shuō)，上拉電阻越小，驅(qū)動(dòng)能力越強(qiáng)，但功耗越大，設(shè)計(jì)是應(yīng) 注意兩者之間的均衡。 B下級(jí)電路的驅(qū)動(dòng)需求。同樣以上拉電阻為例，當(dāng)輸出高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)管斷開(kāi)，上拉電阻應(yīng)適當(dāng)選擇以能夠向下 級(jí)電路提供足夠的電流。 C高低電平的設(shè)定。不同電路的高低電平的門(mén)檻電平會(huì)有不同，電阻應(yīng)適當(dāng)設(shè)定以確保能輸出正確的電平。以上 拉電阻為例，當(dāng)輸出低電平時(shí)，開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通，上拉電阻和開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通電阻分壓值應(yīng)確保在零電平門(mén)檻之下。 D頻率特性::以上拉電阻為例，上拉電阻和開(kāi)關(guān)管漏源級(jí)之間的電容和下級(jí)電路之間的輸入電容會(huì)形成 RC延遲，

4、 電阻越大，延遲越大。上拉電阻的設(shè)定應(yīng)考慮電路在這方面的需求。下拉電阻的設(shè)定的原則和上拉電阻一樣的 8. 關(guān)于電容，以下說(shuō)法正確的有 （BCD A 、兩片相距很近的金屬中間被某物質(zhì)（固體、氣體或液體）所隔開(kāi)，就構(gòu)成了電容器。兩片金屬稱(chēng)為極板，中間 的物質(zhì)叫做介質(zhì)。電容器也分為容量固定的與容量可變的。但常見(jiàn)的是固定容量的電容，最多見(jiàn)的是電解電容 和瓷片電容。 B 、在電子線路中，電容用來(lái)通過(guò)交流而阻隔直流，也用來(lái)存儲(chǔ)和釋放電荷以充當(dāng)濾波器，平滑輸出脈動(dòng)信號(hào) C、電容通交流，交流頻率越高越容易通過(guò)，越低越不容易通過(guò)，可以說(shuō)：通高阻低。 D 、大電容主要用來(lái)通低頻、小電容主要用來(lái)通高頻。

5、 9?電容是通交隔直，說(shuō)明交流電流可以穿過(guò)電容內(nèi)部，對(duì)嗎？（ 錯(cuò)） 10. 直流和交流都能對(duì)電容充電嗎 ?（對(duì)）。聯(lián)想51單片機(jī)的上電復(fù)位電路：直流充電過(guò)程中會(huì)有瞬時(shí)電流嗎 ?（會(huì)） 充電完成后還有電流嗎 ?（沒(méi)有） 11. 電容越大，對(duì)電荷的存儲(chǔ)能力越強(qiáng)， 對(duì)嗎?（對(duì)）。理論上講，電容越大，容抗就越小，頻率越高就越能通過(guò)，對(duì)嗎？ （不對(duì)）。但實(shí)際上，為什么高頻旁路電容卻選擇小電容，低頻旁路電容選擇卻大電容 （或者用一句話(huà)說(shuō)：高頻通不過(guò)大 電容，低頻通不過(guò)小電容）?電容上的電荷量不會(huì)突變，而是時(shí)間的函數(shù)。充放電都需要時(shí)間。 12. 容抗和阻抗類(lèi)似，都是對(duì)電流的阻礙作用，只不過(guò)容抗

6、主要是在交流電路里面說(shuō)的，對(duì)嗎 ？（對(duì)） 13. 回憶總結(jié)：盡可能多的寫(xiě)出你所接觸的帶電壓參數(shù)電容容值 （從小到大）：6pf , O.1uf , 1OOuf 14. 回憶總結(jié)：盡可能多的寫(xiě)出你所知道的在電路中電容的作用 （每種作用要聯(lián)想實(shí)際電路畫(huà)出做好 ）:濾波，去耦， 旁路。 15. 關(guān)于電容容值大小選擇問(wèn)題：同容抗下，頻率越高，容量可以選的越小。另外就是對(duì)脈沖電路中，因?yàn)殡娙菔浅潆? 后保持電壓緩慢放電，負(fù)載電流越大，容量就要越大，經(jīng)驗(yàn)是，音頻信號(hào)耦合是在 1U以下，高頻調(diào)制在 1n以下，電 源和濾波是在100U以上，對(duì)嗎？（對(duì)） 16. 電感是衡量線圈產(chǎn)生電磁感應(yīng)能力的物理

7、量 ，電感的特性與電容的特性正好相反，它具有阻止交流電通過(guò)而讓直流 電順利通過(guò)的特性，對(duì)嗎？（對(duì)） 17. 感抗和容抗類(lèi)似，都是指在交流電路中對(duì)電流的阻礙作用，對(duì)嗎？（對(duì)） 18. 電感量越大，電感的阻礙作用就越大；交流電的頻率高，也難以通過(guò)線圈，電感的阻礙作用也大，對(duì)嗎 ？對(duì)） 19. 濾波作用時(shí)，電感一般是串 _聯(lián)（串并聯(lián)）在電路里，電容一般是聯(lián) 并 聯(lián)（串并聯(lián)）在電路里。 20. LC振蕩電路主要用來(lái)產(chǎn)生 交流 信號(hào)，電路中的選頻網(wǎng)絡(luò)由 電感 和 電容 組成。常見(jiàn)的LC正弦波 振蕩電路有 LC 振蕩電路、 LC 振蕩電路和 LC 振蕩電路，它們的選頻網(wǎng)絡(luò)采用 LC并聯(lián)諧振回

8、路。 LC振蕩電路運(yùn)用了電容跟電感的儲(chǔ)能特性，讓電磁兩種能量交替轉(zhuǎn)化，也就是說(shuō)電能跟磁能都會(huì)有一個(gè)最大最小值， 也就有了振蕩。不過(guò)這只是理想情況，實(shí)際上所有電子元件都會(huì)有損耗，能量在電容跟電感之間互相轉(zhuǎn)化的過(guò)程中要 么被損耗，要么泄漏出外部，能量會(huì)不斷減小，所以實(shí)際上的 LC振蕩電路都需要一個(gè)放大元件，要么是三極管，要么 是集成運(yùn)放等數(shù)電IC,利用這個(gè)放大元件，通過(guò)各種信號(hào)反饋方法使得這個(gè)不斷被消耗的振蕩信號(hào)被反饋放大，從而 最終輸出一個(gè)幅值跟頻率比較穩(wěn)定的信號(hào)。 21. 硅二極管的導(dǎo)通電壓是（0.7V），導(dǎo)通后，不管外界電源給二極管兩端增加多高電壓 （不損壞的可承受范圍內(nèi)），二 極管

9、兩端的電壓始終在導(dǎo)通電壓附件（變化很?。?對(duì)嗎？（對(duì)） 22. 回憶總結(jié)：盡可能多的寫(xiě)出你所接觸到的二極管型號(hào)： 4148. 23. 回憶總結(jié)二極管 在電路中的作用：如果起限幅作用，一般和負(fù)載 并（串并聯(lián)）。如果起整流（半波和全波整流） 作用，一般和負(fù)載 串（串并聯(lián)）。如果起穩(wěn)壓作用，是利用 反向擊穿 特性制成的,一般和負(fù)載 并聯(lián) （ 串 并聯(lián)） 24. 關(guān)于三極管作用以下說(shuō)法正確的有（ ABCD A、放大作用，（工作時(shí)，三極管工作在放大區(qū)）用來(lái)組成放大電路 B電子開(kāi)關(guān)作用（工作時(shí)，三極管工作在飽和區(qū)和截止區(qū)） C不一樣的三極管的作用都是不一樣的。有穩(wěn)壓三極管，整流三極管，放

10、大三極管，導(dǎo)通電路三極管等 ,三極管控制電的流量?三極管有3條線，一條入，一條出,另一條是控制的 （A）,截止?fàn)顟B(tài)的是（B）,飽和狀態(tài)的是（C） |3.3也 和水龍頭差不多，水龍頭控制水的流量 25.如下圖NPN三極管三種狀態(tài)，放大狀態(tài)的是 8V T T 12V 3V 26.如下圖PNP三極管三種狀態(tài)，放大狀態(tài)的是 8V T 12V T 13V （/） （A）,截止?fàn)顟B(tài)的是（C）,飽和狀態(tài)的是（B） :T lav a 27.回憶總結(jié)：盡可能多的寫(xiě)出你所接觸到的三極管: 9012,9013 28. TTL工作電平是：（B） CMOS工作電平有：（A

11、） A 3.3V B 、5V C 、 9V D 、12V 29. TTL電平輸出高電平是（A）輸出低電平是（B） 、＜ 0.8V 、＜ 0.8V D 、＜ 0.3VCC D 、 ＜ 0.3VCC A >2.4V B 、>2.0V C 、 < 1.2V D 30. TTL電平輸入高電平是（A）輸入低電平是（B） A >2.

12、4V B 、>2.0V C 、 < 1.2V D 31. CM0S電平輸出高電平是（A）輸出低電平是（D） A >0.9VCC B 、>0.7VCC C 、 < 0.1VCC 32. CMOS電平輸入高電平是（A）輸入低電平是（D） A >0.9VCC B 、 >0.7VCC C 、 < 0.1VCC 33. 關(guān)于TTL和CMO以下說(shuō)法正確的有（AB ） A、coms電路是電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對(duì)干擾信號(hào)的捕捉能力很強(qiáng)。所以，不用的管腳不要懸空，要 接上拉電阻或者下拉電阻 B TTL電路的速度快，傳輸延遲時(shí)間短 （5-10ns），但是功耗大，COMS電路的速度慢，傳輸延

13、遲時(shí)間長(zhǎng) （25-5Ons）, 但功耗低。 C COMS電路本身的功耗與輸入信號(hào)的脈沖頻率有關(guān)，頻率越高，芯片集越熱，這是正?，F(xiàn)象。 D TTL電路是電流控制器件，懸空時(shí)相當(dāng)于輸入端接高電平。因?yàn)檫@時(shí)可以看作是輸入端接一個(gè)無(wú)窮大的電阻。 34. COMS電路當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時(shí)， COMS的內(nèi)部電流能達(dá)到 40mA以上，很容易燒毀芯片。關(guān)于鎖定效應(yīng)，正確的有 （B） A、鎖定效應(yīng)是指：COMS電路由于輸入太大的電流，內(nèi)部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大。 B、 防御措施可以是在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過(guò)不超過(guò)規(guī)定電壓 C、 防御措施：芯片的電源輸入端加

14、去耦電路，防止 VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。 D、 防御措施：在 VDD和外電源之間加線流電阻，即使有大的電流也不讓它進(jìn)去。 35.16進(jìn)制0XAB變?yōu)槎M(jìn)制是（1010 1011）, 0XFE 變?yōu)槎M(jìn)制是（1111 1110） 36.二進(jìn)制 0110 1011 1010 0101 變?yōu)槭M(jìn)制是（0x6BA5 ） 37. （560） 10=（ 230） 16=（0010 0011 0000 ） 2=（0x0230） 8421BCD 38. 對(duì)160個(gè)符號(hào)進(jìn)行二進(jìn)制編碼，至少需要（ 8）位二進(jìn)制數(shù) 39. 三態(tài)門(mén)的三種輸出狀態(tài)是（ 0 ）, （ 1 ）,（高阻 ） 40. 邏輯代數(shù)

15、又稱(chēng)布爾代數(shù)，基本的邏輯關(guān)系有（ 與）（或）（非）三種。 41. 含用觸發(fā)器的數(shù)字電路屬于 時(shí)序邏輯電路 （組合邏輯電路、時(shí)序邏輯電路） 42. 時(shí)序邏輯電路按其觸發(fā)器有無(wú)統(tǒng)一時(shí)鐘控制信號(hào)分為 43. TTL與非門(mén)輸入端懸空，則可以看作輸入電平為 44. 要對(duì)256個(gè)存貯單元進(jìn)行編址，則所需的地址線是 45. 我們講話(huà)的聲音通過(guò)話(huà)簡(jiǎn)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)之后是 號(hào)要通過(guò)AD轉(zhuǎn)換電路。 46. 串行傳輸?shù)臄?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為并行數(shù)據(jù)時(shí)，可采用 — 時(shí)序電路和（ 異步）時(shí)序電路。（蒙的） （ 同步） 高（高、低電平）。 8 條。 模擬（模擬、數(shù)字）信號(hào)；若要轉(zhuǎn)換為計(jì)計(jì)算機(jī)能夠處理的信 寄存器。

16、 數(shù)據(jù)（地址、數(shù)據(jù)、控 47. 存儲(chǔ)器中，通過(guò) 地址 （地址、數(shù)據(jù)、控制、電源）線要找到相應(yīng)的存儲(chǔ)單元；通過(guò) 制、電源）線送入或輸出的數(shù)據(jù)。 48. 只讀存儲(chǔ)器是 ROM （RAM、ROM、PLD ）。 49. 用紅綠黃三個(gè)指示燈反映三種設(shè)備的工作情況：綠燈亮表示全部正常；紅燈亮表示一臺(tái)不正常；黃燈亮表示兩臺(tái)不 正常。紅黃等亮表示全部不正常。請(qǐng)列出控制電路真值表，寫(xiě)出邏輯表達(dá)式，畫(huà)出電路。 紅1亮、0不亮 黃 綠 1、2、3三臺(tái)設(shè)備1正常0不正常 0 0 1 111 0 1 0 100 1 0 0 110 1 1 0 000  50.

17、 如圖電路中，寫(xiě)出表達(dá)式，并畫(huà)出真值表。F = !((!C)||(A&& B) ) x A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 51. 共陰的LED數(shù)碼管，若要顯示字形“ L”，則 a= 0 ， b= 0 ， c== J_， d= 1 ， e= 1 ， f= 0 ， g= 0。(選擇 0 或 1 填入) 52. 數(shù)模電結(jié)吉合:石十一雷達(dá)探測(cè)器測(cè)速系統(tǒng)：現(xiàn)有二雷達(dá)探測(cè)傳感器 — (HB100微波模塊模塊)，輸出的是正弦波信號(hào)， 但這個(gè)正弦波信號(hào)極弱。原理是通過(guò)測(cè)頻率測(cè)速。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)硬件電路和軟件程序。 (思路提醒：?jiǎn)纹瑱C(jī)不好直接測(cè)試正弦 波頻率，需要轉(zhuǎn)換成方波，但因信號(hào)弱，需要加放大電路進(jìn)行放大。雷達(dá)傳感器 -放大器-轉(zhuǎn)換成方波的比較器-單片機(jī), 可先用Protues進(jìn)行硬軟件仿真)