ZrCl4分子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機理的理論分析研究畢業(yè)論文

《ZrCl4分子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機理的理論分析研究畢業(yè)論文》由會員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《ZrCl4分子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機理的理論分析研究畢業(yè)論文（19頁珍藏版）》請在裝配圖網(wǎng)上搜索。

1、. . . . 科技學院新科學院 2012屆本科畢業(yè)論文 論文題目： ZrCl4分子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機理的理論研究（第2，3個氯原子） 學生： 杰 所在院（系）： 化學工程系 所學專業(yè)： 化學工程與工藝 導師： 樹文 完成時間： 2012年5月 ZrCl4分

2、子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機理的理論研究 （第2,3個氯原子） 摘要 使用密度函數(shù)理論研究了ZrCl4分子在羥化硅表面ALD的薄層中釋放Cl原子的反應(yīng)機理，對于脫去四個氯原子中第2，3個氯原子，設(shè)計了四條反應(yīng)途徑。結(jié)果表明，在0K時一個標準大氣壓下：R3a是一個放熱反應(yīng)，R3b是一個吸熱反應(yīng)，R3a的能壘比R3b低，因此我們得出一個結(jié)論R3a比R3b反應(yīng)有利。R5a,R5b分別是接著R3a,R3b的水解反應(yīng)產(chǎn)物，可以發(fā)現(xiàn)R5b相對于R5a有較低的活化能和反應(yīng)熱，因此我們認為R5b比R5a反應(yīng)有利。 關(guān)鍵詞：密度函數(shù)理論，ZrCl4，薄膜，原子層沉積

3、 A density functional theory study on the reactions of chlorine loss in ZrCl4thin films by atomic-layer deposition (the second and third chorine loss) Abstract Using density functional theory,the chlorine loss reactions of ZrCl4 thin films of ALD on the hydroxylated silicon surface de

4、position reaction are researched.For the second and third chlorines loss,four possible pathways have been designed.The results show that a standard atmospheric pressure at 0 K: R3a is an exothermic reaction, and the R3b is an endothermic reaction, the reaction energies of R3a is lower than R3b,Compa

5、red to R1a and R2a,R1b and R2b are more favorable.R5a,R5b then R3a,R3b hydrolysis reaction products can be found R5b relative R5a have lower activation energy and the heat of reaction,therefore we think R5b are more favorable than R5a. Keywords: Density functional theory,ZrCl4, Thin film, Atomic

6、layer deposition 15 / 19 目錄 1.緒論1 2.理論基礎(chǔ)與應(yīng)用軟件2 2.1Gaussian軟件2 2.1.1Gaussian基本功能2 2.1.2Gaussian 03計算原理3 2.2密度泛函理論3 3、實驗部分4 3.1第二個氯原子消去反應(yīng)過以水為前體的消除反應(yīng)6 3.2第三個氯原子消去反應(yīng)過以水為前體的消除反應(yīng)10 結(jié)論13 參考文獻14 致15 1.緒論 在高介電常數(shù)材料的候選物中，ZrO2具有高的介電常數(shù)，廣泛的能帶間隙，高的熱穩(wěn)定性，是替代二氧化

7、硅的一種很有前景的應(yīng)用材料[1]。在現(xiàn)有的眾多的高介電常數(shù)組合材料的各種制備方法中，原子層沉積(ALD)在精確的厚度控制和在大的區(qū)域均勻形成方面顯示了其獨特的優(yōu)勢。在原子層沉積中，各種前體被交替帶到位于反應(yīng)釜中的硅表面上，進來的前體和表面的物質(zhì)反應(yīng)是自我終止的。因此，原子薄膜形成的控制可以實現(xiàn)[2]。 因為我們知道，知識以與反應(yīng)機制的動力學熱力學數(shù)據(jù)可以幫助優(yōu)化ALD工藝條件。因此，它是重要的探索高K氧化物ALD的成長的反應(yīng)機制。 正如我們知道的增長機制包括反應(yīng)動力學和熱化學會有利于優(yōu)化工藝條件，因此原子沉積理論是研究high-k氧化物薄膜的原子層沉積反應(yīng)的重要方法。近年來，人們大量的從實

8、驗和理論上研究high-k氧化物薄膜（例如：二氧化鉿[1，2，3，4，5]，二氧化鋯[6，7，8]和三氧化鋁[9,10]）在硅表面上的原子沉積層反應(yīng)。 二氧化鋯薄膜的原子層沉積反應(yīng)被廣泛用作四氯化鋯[6，7，11，12]和四碘化鋯[8,13]的金屬前驅(qū)物，其中的氧源通常是水、過氧化氫和臭氧[8,13,14]。四氯化鋯被用作金屬前體時具有諸如氯污染和釋放腐蝕性的鹽酸產(chǎn)品等明顯的缺點。因此在二氧化鋯薄膜的原子沉積反應(yīng)中氯原子的反應(yīng)途徑是十分重要的。實驗[15]表明兩個氯原子配體在低溫下（如180℃）從四氯化鋯的脈沖中被釋放出來，剩下的二氯基團在水的脈沖表面被釋放出來。然而，隨著物質(zhì)反應(yīng)溫度的上升

9、，氯原子在四氯化鋯脈沖中的釋放逐漸減少。在400℃時，只有一個氯原子配體被釋放出來，剩余的三個氯原子在水的脈沖中被釋放出來。 基于兩種不同的反應(yīng)模式，對于以四氯化鋯作為沉積金屬前體，水為氧源的，二氧化鋯的沉積，總的來講四個氯原子的消去反應(yīng)被劃分為十四種途徑（R1a-R7a and R1b-R7b）來描述，第一組R1a到R7a二聚體的表面反應(yīng)發(fā)生在自身，R1b到R7b表面反應(yīng)發(fā)生在相鄰的兩個二聚體。R1a和R1b第一個氯原子消去反應(yīng)分別發(fā)生在自身的二聚體和相鄰的二聚體。R2a和R2b對于第二個氯原子的消去反應(yīng)顯示了兩個可能的途徑:A、R1a和R1b易于和它鄰近的氫原子發(fā)生反應(yīng)。B、ZrCl4的

10、第二個氯原子失去也可以在水與其產(chǎn)物的前體R1a和R1b之間,也就是說,R3a和R3b處完成反應(yīng)。R2a ,R2b,R3a, R3b的產(chǎn)物跟水一起與ZrCl4的第三個氯反應(yīng)，由于經(jīng)過第一個第二個氯的反應(yīng)之后沒有足夠的能力和鄰近的參加反應(yīng)的氫氧根反應(yīng)，它們分別通過R4b R4a,R5a和R5b引入。R6a,R7a和R7b途徑同樣適用于表示第四個氯分別與前體水和R4b R4a,R5a和R5b的產(chǎn)物的消去反應(yīng)。 2.理論基礎(chǔ)與應(yīng)用軟件 徐光憲院士說過“進入21世紀以來，計算方法與分子模擬、虛擬實驗、已經(jīng)繼實驗方法、理論方法之后，成為第三個重要的科學方法，對未來科學與技術(shù) 的發(fā)展，將起著越來越重要的

11、作用”。量子化學方法的軟件包，如：MOPAC、Zindo、Gaussian，Dmol3、和Games、CASTEP等。其中，MOPAC和Zindo基于半經(jīng)驗算法，Gaussian和Games基于Hartree-Fock方法，但現(xiàn)在均已加入了密度泛函( DFT) 方法；DMol3和CASTEP是近年來發(fā)展起來的基于DFT算法的量子化學軟件包。 2.1 Gaussian軟件[16] Gaussian是一個量子化學軟件包，是目前應(yīng)用最廣泛的計算化學軟件之一，其代碼最初由理論化學家1998年諾貝爾化學獎得主約翰、波普爵士編寫。Gaussian軟件的出現(xiàn)降低了量子化學計算的門檻，使得從頭計算方法可以

12、廣泛使用，從而極推動了其在方法學上的進展。 Gaussian是應(yīng)用最廣泛的半經(jīng)驗計算和從頭計算量子化學軟件。可以研究 的容包括:分子能量和結(jié)構(gòu)，過渡態(tài)的能量和結(jié)構(gòu)，化學鍵以與反應(yīng)能量，分子軌道、偶極矩和多極矩、原子電荷和電勢、振動頻率、紅外和拉曼光譜、NMR、化率和超極化率、熱力學性質(zhì)、反應(yīng)路徑。計算可以模擬在氣相和溶液中的體系，模擬基態(tài)和激發(fā)態(tài)，對周期邊界體系進行計算。因為這款軟件在計算時占用資源不大，所以通過引入該軟件解決實際問題來強化學生對《結(jié)構(gòu)化學》這門課程重要性的認識。 2.1.1 Gaussian基本功能 (1) 簡單快速地構(gòu)造分子 可以使用原子，環(huán)，基團和氨基酸；從其它程

13、序獲取結(jié)構(gòu)；對PDB文件自動加氫；用鼠標檢查和修改結(jié)構(gòu)參數(shù)；放大和縮小功能；平滑地三維旋轉(zhuǎn)，即使是對大分子；四種顯示模式：線形，管型，球棍，以與連接球。 (2) 設(shè)置Gaussian的計算 支持Gaussian的全部主要計算功能；自動確定電荷和自旋多重度；定義任務(wù)類型和化學模型；簡單設(shè)置ONIOM計算；自動設(shè)置適當?shù)腖ink 0命令；隨時監(jiān)測計算。 (3) 顯示Gaussian的計算結(jié)果 優(yōu)化的結(jié)構(gòu)；分子軌道；振動頻率的簡正模式；原子電荷；電子密度曲面；靜電勢曲面；NMR屏蔽密度；曲面可以用實面，半透明和網(wǎng)格形式顯示；曲面可以按照不同的特性著色。 (4) 創(chuàng)建三維分子模型 根據(jù)需要

14、顯示或隱藏構(gòu)造面板；允許自定義分子片斷庫；校正分子的方向；按照對稱性限制分子的結(jié)構(gòu)；對一維、二維和三維周期體系的計算，根據(jù)空間群創(chuàng)建結(jié)構(gòu)單元。 2.1.2 Gaussian 03計算原理 分子力學方法為：很多情況下，對大分子體系的處理可以完全避免使用量子化學計算。分子力學模擬使用經(jīng)典力學模型（例如諧振子）描述化合物的能量。分子力學模型的所有常數(shù)均通過實驗數(shù)據(jù)或第一原理計算結(jié)果得到。參數(shù)和方程的優(yōu)化結(jié)果稱為分子力場。 電子結(jié)構(gòu)理論方法為：電子結(jié)構(gòu)可以通過求解定態(tài)薛定諤方程（也成為不含時薛定諤方程）得到。求解過程常使用原子軌道線性組合(LCAO)得到的基組來進行近似。通過這種近似，薛定諤方程

15、可以轉(zhuǎn)化為一個“簡單”的電子哈密頓量的本征值方程。該方程的解為離散集。解得的本征值是分子結(jié)構(gòu)的函數(shù)。這種對應(yīng)關(guān)系稱為勢能面。 第一原理電子結(jié)構(gòu)方法的?？煞譃椋篐artree-Fock方程；多體微擾理論；多組態(tài)自洽場理論 (MCSCF) ；組態(tài)相互作用方法 (CI) ；多組態(tài)相互作用 (MRCI) ；耦合簇理論 (Coupled Cluster) ；二次組態(tài)相互作用 (QCI) ；量子蒙特卡羅 ；密度泛函理論 ；廣義價鍵理論 (GVB) ；現(xiàn)代價鍵理論。 2.2密度泛函理論 密度泛函理論可以是笛卡爾高斯函數(shù)或角動量函數(shù)多種基組存儲于程序中，通過名稱調(diào)用。即可對任何一般的收縮Gaussian

16、函數(shù)進行單電子和雙電子積分。這些基函數(shù)分可儲存在存，外接存儲器上，或用到時重新計算對于某些類型的計算，計算的花費可以使用快速多極方法(FMM)和稀疏矩陣技術(shù)線性化。將原子軌道(AO)積分轉(zhuǎn)換成分子軌道的計算，可用的方法有in-core（將AO積分全部存在存里），直接（不需儲存積分），半直接（儲存部分積分），和傳統(tǒng)方法（所有AO積分儲存在硬盤上）。 從20實際60年代密度函數(shù)理論（DFT）提出，并在局域密度近似（LDA）導出著名的Kohn－Sham方程以來，DFT已經(jīng)成為凝聚態(tài)物理領(lǐng)域電子結(jié)構(gòu)計算的有力工具，最近幾年，密度泛函方法(Density Functional Theory Metho

17、ds，DFT)得到了廣泛的應(yīng)用。 密度泛函理論最初來源于對下面這個問題的考慮：在量子化學從頭算中,對于一個N電子體系,N電子波函數(shù)依賴于3N個空間變量與N個自旋變量共4N個變量,我們是否能用其它相對簡單的變量來替換這4N個變量以達到簡化計算的目的,如用體系的電子密度?因為,對于波函數(shù)計算上無法準確測定,而電子密度卻可以,電子密度同波函數(shù)模的平方相聯(lián)系。另一方面,對于依賴4N個變量的波函數(shù),將隨著體系變大電子數(shù)增多使計算變得越來越困難,而體系的哈密頓只不過由單電子和雙電子算符組成,同時只跟體系中的單個電子和雙電子的信息有關(guān),因此波函數(shù)中4N個變量已經(jīng)包含了多余的信息,對我們的計算目的而言。因此

18、,以電子密度為變量,用Thomas-Fermi模型作了最初的嘗試,將能量表示為密度的泛函,這里有個問題要注意的是：泛函和復合函數(shù)的區(qū)別。TFM雖然是一個很粗糙的模型,但是它的意義非常重要,因為它將電子動能第一次明確地以電子密度形式表示至此,說簡單些,密度泛函方法就是以體系的電子密度為變量的方法。 密度泛函（DFT）是量化計算中非常常用的方法。它通過泛函來計算電子相關(guān)，其將電子能量分為幾個部分，動能，電子-核相互作用，庫侖排斥，以與其余部分的交換相關(guān)項，最后一部分又根據(jù)密度泛函方法分解為交換和相關(guān)項。DFT方法考慮了電子相關(guān)，而且算起來也快，所以很多人喜歡用，其中又以B3LYP最為常用，所以清

19、楚每種方法的優(yōu)劣和適用圍有利于我們對問題的理解。 梯度修正泛函(Gradient-corrected functionals)包含了電子自旋密度和其梯度，其中的一些泛函也被稱為非局域泛函。最普遍應(yīng)用的梯度修正交換泛函是1988年Becke提出的泛函，最廣泛應(yīng)用的梯度修正相關(guān)泛函是Lee，Yang，Parr提出的LYP泛函。這兩個方法的結(jié)合，就是Gaussian中的BLYP方法。Perdew也提出了重要的泛函，如Perdew86和perdew-Wang 91混合泛函?；旌戏汉瘜⒔粨Q泛函定義為Hartree-Fock局域，和梯度修正交換項的線性組合，這樣得到的泛函就是局域和非局域泛函的組合，Ga

20、ussian提供的最有名的方法是B3LYP和B3PW91。B3LYP與其它泛函相比，對分子基態(tài)得到的特性一般相差不大，所以B3LYP很常用。 3、實驗部分 計算方法和模型 在以前的研究中[17]基于定域鍵的主要特點，Si9H12二聚體被經(jīng)常用于模擬Si(100)-2×1表面。在本實驗中，更大的Si23H24二聚體被用來降低團簇效應(yīng)。Si23H24二聚體由四層硅原子組成，頂部的四個硅原子組成表面二聚物。剩下的硅原子構(gòu)成了三個被氫原子終止的表面下層，防止過多的電荷轉(zhuǎn)移。Si23H24-(OH)4的四個羥基將被用作表面活性位點。這些模型的結(jié)構(gòu)將在所有計算中得以完全優(yōu)化。 本文所有的計算都是基

21、于Gaussian03軟件在 B3LYP[18-19]下完成。因為團簇相當大，因此在本實驗中根據(jù)混合基組方案用來減少計算時間。對Cl、O、H原子使用6-31+G(d)基組。在每一個計算中，LANL2DZ基組和有效的核心勢能都用來描述鋯原子和硅原子。通過幾何優(yōu)化(OPT)和頻率分析(TS)來確定它在自然狀態(tài)下幾何構(gòu)型，包括能量最小值，過渡態(tài)和獲得能量的駐點。本文中所有的能量都已經(jīng)被闡述，包括修正的零勢能點。 圖1 ZrCl4在Si二聚體表面的反應(yīng)（水解消去第二、三個氯原子） 3.1第二個氯原子消去反應(yīng)過以水為前體的消除反應(yīng) 圖2 ZrCl4水解消去第二個氯的兩種途徑 對于HCl通

22、過水中羥基的消除反應(yīng)，其兩個路徑（R3a 和R3b）的勢能如圖所示2 在R3a和R3b途徑中水作為前體與三氯化鋯的化學吸附釋放能量分別是64.4和59.7KJ/mol。這里的化學吸附是由于水中氧原子在鋯原子的空軌道上提供的孤對電子。然后，兩種途徑形成第四個過渡態(tài)如圖2，R3b的能壘是69.8KJ/mol,比R3a高3.2KJ/mol。最終，反應(yīng)經(jīng)過一個物理吸附形成一個產(chǎn)物。從圖2可以看出R3a是一個放熱反應(yīng)，R3b是一個吸熱反應(yīng)。因此我們得出一個結(jié)論R3a比R3b反應(yīng)有利。 在R3a和R3b中都可以發(fā)現(xiàn)物理吸附，應(yīng)當指出的是，與氫原子的相互粘結(jié)的羥基來自不同的R1a/R1b,R2a/R2b

23、,R3a/R3b導致HCl發(fā)生物理吸附。圖中顯示R1a/R1b和R2a/R2b以與新形成的R3a/R3b的鋯羥基。 相應(yīng)的優(yōu)化結(jié)構(gòu)如圖3： P(R1a) P(R1b) TS(R3a) TS(R3b) P(R3a) P(R3b) 圖3 3.2第三個氯原子消去反應(yīng)過以水為前體的消除反應(yīng) 圖4 ZrCl4水解消去第三個氯的兩種途徑 對于HCl通過水中羥基的消除反應(yīng)，其兩個路徑（R5a 和R5b）的勢能如圖所示4有兩種類型的產(chǎn)物，即Si-O2-ZrCl4和Si（OH）-O-ZrCl2OH,在第二個氯失去的反應(yīng)中形成（R3a/R3b）。形成的ZrCl

24、2團體只會與水前體反應(yīng)因為沒有更多的鄰近表面的有能力與氯原子反應(yīng)的羥基。R5a,R5b分別是R3a,R3b在水的作用下的反應(yīng)產(chǎn)物。 在表4中顯示了這些途徑的相應(yīng)能量，R5b產(chǎn)生HCl的能壘相對于吸附狀態(tài)是48.6KJ/mol,比R5a低32.1KJ/mol。R5a,R5b都是吸熱反應(yīng)它們所需要的能量分別是52.0和14.1KJ/mol?？梢园l(fā)現(xiàn)R5b相對于R5a有較低的能壘和反應(yīng)熱，因此，我們認為在高溫下R5b更有利于第三個氯原子消去。在0K時R5a比R5b途徑更有利。 相應(yīng)的優(yōu)化結(jié)構(gòu)如圖5： TS(R5a) TS(R5b) P(R5a) P(R5b) 圖5 結(jié)

25、論 本文通過運用Gaussian 03軟件構(gòu)建分子結(jié)構(gòu)，使用 DFT/B3LYP/6-31G方法對這些化合物的幾何構(gòu)型進行優(yōu)化，并進行駐點(分子和反應(yīng)勢能面上的極小點和鞍點)的優(yōu)化和性質(zhì)計算，來研究ZrCl4分子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機理。對于四氯化鋯作為沉積金屬前體的二氧化鋯沉積的反應(yīng)過程，總的來講四個氯原子的消去反應(yīng)被劃分為14種途徑，本文研究其中的四種（R3a、R3b 和 R5a、R5b）來描述與分析。結(jié)果表明在0K時一個標準大氣壓下：R3a是一個放熱反應(yīng)，R3b是一個吸熱反應(yīng)，R3a的能壘比R3b低，因此我們得出一個結(jié)論R3a比R3b反應(yīng)有利。R5a,R5b分別是接著R3a,R

26、3b的水解反應(yīng)產(chǎn)物，可以發(fā)現(xiàn)R5b相對于R5a有較低的活化能和反應(yīng)熱，因此我們認為R5b比R5a反應(yīng)有利。 參考文獻 [1]G.D.Wilk,R.M Wallace,J.M.Anthony,J.Appl.Phys.89(2001) 5243. [2] M. Ritala,M.Leskela,in:H.S.Nalwa (Ed.),Handbook of Thin Film Materials,Vol.1,Academic Press, San Diego,2002,p.103. [3] M. Guto

27、wski, J.E. Jaffe, C.L. Liu, M. Stoker, R.I. Hedge,R.S. Rai,P.J.Tobin, Appl.Phys.Lett.80(2002)1897. [4]M.-H.Cho,Y.S. Roh,C.N.Whang, K.Jeong,S.W.Nahm,D.-H.Ko, J.H.Lee,N.I.Lee,K.Fujihara, Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 472. [5] B.H.Lee, L.Kang, R. Nieh,W.J. Qi, J.C. Lee, Appl.Phys. Lett. 76 (2000)1926.

28、 [6] E. P. Gusev, E. Cartier, D. A. Buchanan, M. Gribelyuk, M. Copel, H. Okorn-Schmidt ,C.D’Emic, Microelectronic Engineering 59 (2001) 341 [7] R.M. Wallace, G.D. Wilk, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 28 (2003) 231. [8] J. Robertson, Rep. Prog. Phys. 69 (2006) 327. [9] E. P. Gusev, M. Copel, E

29、. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug .M. A. Gribelyuk, Appl. Phys.Lett. 76 (2000)176. [10]D.Han,J.Kang,C.Lin.R.Han,Microelectron.Eng.66(2003) 643. [11] L. Niinisto, J. Paivasaari, J. Niinisto, M. Putkonen, M. Nieminen, Phys. Status Solidi A 201 (2004) 1443. [12] M. Ritala, M. Leskela , Appl. Surf

30、. Sci. 75 (1994) 333. [13] K. Kukli, K. Forsgren, J. Aarik, T. Uustare, A. Aidla, A. Niskanen, M. Ritala, M.Leskela, A. Harsta, J. Cryst. Growth 231 (2001) 262. [14]J. Niinisto, A. Rahtu, M. Putkonen, M. Ritala, M. Leskela, L. Niinisto, Langmuir 21(2005)7321. [15]A.Rahtu,M.Ritala,J.Mater.Chem.12(

31、2002)1484. [16]A.Estève, M.Djafari Rouhani,L.Jeloaica,D.Estève,Comput. Mater.Sci.27(2003)75. [17] L.Jeloaica, A. Estève, M. Djafari Rouhani, D. Estève, Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 542. [18]A.D. Becke, Phys. Rev. A 38 (1988) 3098. [19]A.D. Becke, J. Chem. Phys. 98 (1993) 5648. 杰 聯(lián)系： 指導教師：樹文

32、 聯(lián)系：igors2003163. 致 該論文能如期順利地完成完全得益于來自各方面的幫助和支持。 首先感我的指導老師樹文老師，老師不僅學識淵博、治學嚴謹，而且做人達觀、為人謙和。他嚴謹細致、一絲不茍的作風一直是我工作、學習中的榜樣。老師循循善誘的教導和認真嚴謹?shù)目茖W研究態(tài)度讓我銘記在心。在論文的選題、研究和撰寫中，老師給了我充分的指導。老師的指導認真細致，讓我如沐春風。老師既是我的良師，也是我的益友，老師的這些優(yōu)秀品質(zhì)會一直激勵著我前進，使我在以后的學習和工作中取得更大的進步！在此對老師的指導和幫助表示我最真摯的感。 另外，還要感大學里所有傳授我知識的老師，是你們豐富的知識和精彩的授課，拓寬了我的視野，也使我提高了自己的能力，并最終能更順利地完成這篇文章，也是你們教會了我為人處世的道理，讓我更加堅強和自信。在此，我也表示我最真摯的感。 最后，也要感我可愛的同學們，因為你們，我的大學生活才這樣豐富和精彩，感你們的鼓勵和支持，此次畢業(yè)設(shè)計才會得以順利完成。在此，我深表感！ 感各位老師的指導，感各位同學的幫助，感所有給與我?guī)椭椭С值娜?。?