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《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》cha

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《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》cha

本章主要講述如何構(gòu)建一個(gè)合乎自身要求的放大電路。 如何實(shí)現(xiàn)放大,放大倍數(shù)的大小受到哪些因素/元件參數(shù)的影響? 放大電路如何獲得盡可能多的信號(hào)能量?通過改變哪些參數(shù)就可以實(shí)現(xiàn)? 放大電路的輸出信號(hào)如何才能不受外界負(fù)載變化的干擾,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定輸出。 設(shè)計(jì)放大電路,有多少種電路模型可以供你選擇,這些模型的各自特色又在哪里?,第四章,第185頁起: 4.1.1 4.1.2 4.2.1 4.2.3 4.3.1 4.3.5 4.3.8 4.3.9 4.3.12 4.4.3 4.4.4 4.5.2 4.5.3,4 雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ),4.1 半導(dǎo)體三極管,4.3 放大電路的分析方法,4.4 放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定問題,4.5 共集電極放大電路和共基極放大電路,4.2 共射極放大電路的工作原理,4.6 組合放大電路,4.7 放大電路的頻率響應(yīng),4.1 半導(dǎo)體三極管,4.1.1 BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介,4.1.2 放大狀態(tài)下BJT的工作原理,4.1.3 BJT的VI特性曲線,4.1.4 BJT的主要參數(shù),4.1.1 BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介,(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管,半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。它有兩種類型:NPN型和PNP型。,4.1.1 BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介,(a) NPN型管結(jié)構(gòu)示意圖 (b) PNP型管結(jié)構(gòu)示意圖 (c) NPN管的電路符號(hào) (d) PNP管的電路符號(hào),結(jié)構(gòu)特點(diǎn):, 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高;, 集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū),且面積最大;, 基區(qū)最薄,一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米,且摻雜濃度最低。,管芯結(jié)構(gòu)剖面圖,集成電路中典型NPN型BJT的截面圖,4.1.1 BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介,三極管的放大作用:特定的外部條件實(shí)現(xiàn)了三極管的載流子傳輸,在宏觀上就表現(xiàn)為在輸出端得到與輸入小信號(hào)形狀相同的大信號(hào)。 外部條件:發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏,4.1.2 放大狀態(tài)下BJT的工作原理,1. 內(nèi)部載流子的傳輸過程,發(fā)射區(qū):發(fā)射載流子(Je正偏) 集電區(qū):收集載流子(Jc反偏) 基區(qū):傳送和控制載流子 (以NPN為例),雙極型三極管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。,IE=IB+ IC,放大狀態(tài)下BJT中載流子的傳輸過程,IC= ICN+ ICBO,放大狀態(tài)下BJT中載流子的傳輸過程,少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng),基區(qū)空穴的擴(kuò)散,因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū),因基區(qū)薄且多子濃度低,使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合,因集電區(qū)面積大,在外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū),IE=IB+ IC,IC= ICN+ ICBO,2. 電流分配關(guān)系,根據(jù)傳輸過程可知,通常 IC ICBO,不考慮少子影響,IE=IB+ IC,載流子的傳輸過程,IC= ICN+ ICBO,2. 電流分配關(guān)系,且令,3. 三極管的三種組態(tài),共集電極接法,集電極作為公共電極,用CC表示。,共基極接法,基極作為公共電極,用CB表示;,共發(fā)射極接法,發(fā)射極作為公共電極,用CE表示;,BJT的三種組態(tài),共基極放大電路,4. 放大作用,電壓放大倍數(shù),vO = -iC RL = 0.98 V,,綜上所述,三極管的放大作用,主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸,然后到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。 實(shí)現(xiàn)這一傳輸過程的兩個(gè)條件是: (1)內(nèi)部條件:發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度,且基區(qū)很薄。 (2)外部條件:發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。,vCE = 0V,iB=f(vBE) vCE=const,(2) 當(dāng)1vCE0V時(shí), vCB= vCE - vBE0,集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài),開始收集電子,基區(qū)復(fù)合減少,同樣的vBE下 IB減小,特性曲線右移。,(1) 當(dāng)vCE=0V時(shí),相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。,1. 輸入特性曲線,(以共射極放大電路為例),(3) 當(dāng)vCE1V時(shí), 在集電結(jié)附近電子已經(jīng)全部被拉走,再增大vCE,對(duì)基區(qū)復(fù)合無影響,特性曲線不變。,4.1.3 BJT的V-I 特性曲線,(3) 輸入特性曲線的三個(gè)部分,死區(qū),非線性區(qū),線性區(qū),1. 輸入特性曲線,4.1.3 BJT的V-I 特性曲線,飽和區(qū):iC明顯受vCE控制的區(qū)域,該區(qū)域內(nèi),一般vCE0.3V 。此時(shí),發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏 C,E之間相當(dāng)于閉合的開關(guān),iC=f(vCE) iB=const,2. 輸出特性曲線,輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域:,截止區(qū):iC接近零的區(qū)域,相當(dāng)iB=0曲線(其對(duì)應(yīng)的iC 為穿透電流)的下方。 此時(shí), vBE小于死區(qū)電壓。發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏 C,E之間相當(dāng)于斷開的開關(guān),放大區(qū):iC平行于vCE軸的區(qū)域,曲線基本平行等距。此時(shí),發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。 模擬放大電路的工作區(qū)域,4.1.3 BJT的V-I 特性曲線,(1) 共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) =(ICICEO)/IBIC / IB vCE=cons1,1. 電流放大系數(shù),4.1.4 BJT的主要參數(shù),與iC的關(guān)系曲線,(2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) =IC/IBvCE=const,1. 電流放大系數(shù),(3) 共基極直流電流放大系數(shù) =(ICICBO)/IEIC/IE <1,(4) 共基極交流電流放大系數(shù) =IC/IEvCB=const,當(dāng)ICBO和ICEO很小時(shí), 、 ,可以不加區(qū)分。,4.1.4 BJT的主要參數(shù),2. 極間反向電流(質(zhì)量好壞),(1) 集電極基極間反向飽和電流ICBO 發(fā)射極開路時(shí),集電結(jié)的反向飽和電流。,4.1.4 BJT的主要參數(shù),(2) 集電極發(fā)射極間的反向飽和電流ICEO穿透電流,4.1.4 BJT的主要參數(shù),2. 極間反向電流,集電極最大允許電流ICM(超過導(dǎo)致放大倍數(shù)下降,不會(huì)燒毀),(2) 集電極最大允許功率損耗PCM,(超過將導(dǎo)致燒毀) PCM= ICVCE,3. 極限參數(shù)(正常工作),4.1.4 BJT的主要參數(shù),3. 極限參數(shù),4.1.4 BJT的主要參數(shù),(3) 反向擊穿電壓, V(BR)CBO發(fā)射極開路時(shí)的集電結(jié)反 向擊穿電壓。, V(BR) EBO集電極開路時(shí)發(fā)射結(jié)的反 向擊穿電壓。, V(BR)CEO基極開路時(shí)集電極和發(fā)射 極間的擊穿電壓。,幾個(gè)擊穿電壓有如下關(guān)系 V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR) EBO,4.1.5 溫度對(duì)BJT參數(shù)及特性的影響,(1) 溫度對(duì)ICBO的影響,溫度每升高10,ICBO約增加一倍。 (每條水平線均抬高),(2) 溫度對(duì) 的影響,溫度每升高1, 值約增大0.5%1%。(水平線間距加大),(3) 溫度對(duì)反向擊穿電壓V(BR)CBO、V(BR)CEO的影響,溫度升高時(shí),V(BR)CBO和V(BR)CEO都會(huì)有所提高。,1. 溫度對(duì)BJT參數(shù)的影響(溫度升高,IC增大),1. 既然BJT具有兩個(gè)PN結(jié),可否用兩個(gè)二極管相聯(lián)以構(gòu)成一只BJT,試說明其理由。,思 考 題,2. 能否將BJT的e、c兩個(gè)電極交換使用,為什么?,3. BJT是電流控制器件,還是電壓控制器件?,4. 放大電路輸出端增加的能量是從哪里來的?,如何根據(jù)工作在放大區(qū)的三極管管腳電位判定該三極管的類型和材料?,三極管放大的外部條件,發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏,PNP 發(fā)射結(jié)正偏 VB<VE 集電結(jié)反偏 VC<VB,從電位的角度看: NPN 發(fā)射結(jié)正偏 VBVE 集電結(jié)反偏 VCVB,所以:NPN管為VCVBVE PNP管為VC<VB<VE,所以:NPN管為VCVBVE PNP管為VC<VB<VE,根據(jù)三極管的各管腳電位判斷三極管類型及管腳類型: 1)處放大狀態(tài)的三極管,電位居中的管腳為基極B 2)與基極B電位相近的管腳為發(fā)射極E 若電位相差值為0.7,則為硅管 若電位相差值為0.2,則為鍺管 VBVE , NPN管;VB<VE, PNP管 3)剩余的最后一個(gè)管腳為集電極C,放大的概念,將微弱的變化信號(hào)放大成較大的信號(hào)。,電壓放大電路可以用有輸入口和輸出口的四端網(wǎng)絡(luò)表示,如圖。,Au,基本放大電路的組成,放大的概念,放大的對(duì)象:變化量 放大的本質(zhì):能量的控制 放大的特征:功率放大 放大的基本要求:不失真,放大的前提,判斷電路能否放大的基本出發(fā)點(diǎn),放大的表象:,幅度小的變化信號(hào)轉(zhuǎn)換成幅度大的變化信號(hào)。,放大的實(shí)質(zhì): 用微小的交流能量通過三極管的電流控制作用,將放大電路中大直流能量(直流電源)轉(zhuǎn)成相應(yīng)的大交流能量,并輸出(能量規(guī)模不變,能量性質(zhì)與輸入相同)。,對(duì)放大電路的基本要求 : 1. 要有足夠的放大倍數(shù)(電壓、電流、功率)。 2. 盡可能小的波形失真。 另外還有輸入電阻、輸出電阻、通頻帶等其它技術(shù)指標(biāo)。,本章主要討論電壓放大電路,同時(shí)介紹功率放大電路。,符號(hào)規(guī)定,UA,大寫字母、大寫下標(biāo),表示直流分量。,uA,小寫字母、大寫下標(biāo),表示混合量。,ua,小寫字母、小寫下標(biāo),表示交流分量。,uA,混合量,交流分量ua,t,直流分量 UA,基本放大電路的分類:,三極管放大電路有三種形式,共射極放大器,共基極放大器,共集電極放大器,以共射極放大器為例講解工作原理,4.2 共射極放大電路的工作原理,4.2.1 基本共射極放大電路的組成,基本共射極放大電路,放大元件iC=iB,工作在放大區(qū),要保證集電結(jié)反偏,發(fā)射結(jié)正偏。,使發(fā)射結(jié)正偏,通過Rb提供適當(dāng)?shù)撵o態(tài)偏置電流(基極的直流電流)。,集電極電源,為電路提供能量。并保證集電結(jié)反偏。,輸入微小的交流控制信號(hào),集電極電阻,將變化的電流轉(zhuǎn)變?yōu)樽兓碾妷骸?4.2.2 基本共射極放大電路的工作原理,1. 靜態(tài)(直流工作狀態(tài)),輸入信號(hào)vi0時(shí),放大電路的工作狀態(tài)稱為靜態(tài)或直流工作狀態(tài)。,直流通路,VCEQ=VCCICQRc,4.2.2 基本共射極放大電路的工作原理,2. 動(dòng)態(tài),輸入正弦信號(hào)vs后,電路將處在動(dòng)態(tài)工作情況。此時(shí),BJT各極電流及電壓都將在靜態(tài)值的基礎(chǔ)上隨輸入信號(hào)作相應(yīng)的變化。,交流通路,4.3 放大電路的分析方法,4.3.1 圖解分析法,4.3.2 小信號(hào)模型分析法,1. 靜態(tài)工作點(diǎn)的圖解分析,2. 動(dòng)態(tài)工作情況的圖解分析,3. 非線性失真的圖解分析,4. 圖解分析法的適用范圍,1. BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型,2. 用H參數(shù)小信號(hào)模型分析基本共射極放大電路,3. 小信號(hào)模型分析法的適用范圍,4.3.1 圖解分析法,1. 靜態(tài)工作點(diǎn)的圖解分析,采用該方法分析靜態(tài)工作點(diǎn),必須已知三極管的輸入輸出特性曲線。,共射極放大電路,直流通路,4.3.1 圖解分析法,1. 靜態(tài)工作點(diǎn)的圖解分析, 列輸入回路方程(輸入直流負(fù)載線), 列輸出回路方程(輸出直流負(fù)載線), 首先,畫出直流通路, 在輸出特性曲線上,作出直線 ,與IBQ曲線的交點(diǎn)即為Q點(diǎn),從而得到VCEQ 和ICQ。, 在輸入特性曲線上,作出直線 ,兩線的交點(diǎn)即是Q點(diǎn),得到IBQ。, 根據(jù)vs的波形,在BJT的輸入特性曲線圖上畫出vBE 、 iB 的波形,2. 動(dòng)態(tài)工作情況的圖解分析, 根據(jù)iB的變化范圍在輸出特性曲線圖上畫出iC和vCE 的波形,2. 動(dòng)態(tài)工作情況的圖解分析,圖解分析,RL=,由uO和ui的峰值(或峰峰值)之比可得放大電路的電壓放大倍數(shù)。,2. 動(dòng)態(tài)工作情況的圖解分析, 共射極放大電路中的電壓、電流波形,3. 靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)波形失真的影響,截止失真的波形,飽和失真的波形,3. 靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)波形失真的影響,例題: 電路的改進(jìn),耦合電容:隔斷輸入輸出部分與主電路的直流聯(lián)系,使主電路靜態(tài)工作不受干擾。,負(fù)載電阻如喇叭,只接收純粹的交流能量,無輸入信號(hào)(ui = 0)時(shí),uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE,UBE,無輸入信號(hào)(ui = 0)時(shí):,uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE,?,有輸入信號(hào)(ui 0)時(shí),uCE = UCC iC RC,uo 0 uBE = UBE+ ui uCE = UCE+ uo,vs和RL對(duì)靜態(tài)工作沒有任何影響!,交流工作則有變化!,圖解法的特點(diǎn),優(yōu)點(diǎn): 形象直觀; 適應(yīng)于Q點(diǎn)分析、失真分析、最大不失真輸出電壓的分析; 能夠用于大信號(hào)分析; 缺點(diǎn): 不易準(zhǔn)確求解; 不能求解輸入電阻、輸出電阻、頻帶等等參數(shù)。,4.3.2 小信號(hào)模型分析法,1. BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型,建立小信號(hào)模型的意義,建立小信號(hào)模型的思路,當(dāng)放大電路的輸入信號(hào)電壓很小時(shí),就可以把三極管小范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來代替,從而可以把三極管這個(gè)非線性器件所組成的電路當(dāng)作線性電路來處理。,由于三極管是非線性器件,這樣就使得放大電路的分析非常困難。建立小信號(hào)模型,就是將非線性器件做線性化處理,從而簡(jiǎn)化放大電路的分析和設(shè)計(jì)。,在交流通路中可將晶體管看成為一個(gè)兩端口網(wǎng)絡(luò),輸入回路、輸出回路各為一個(gè)端口。,BJT雙口網(wǎng)絡(luò),1. BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型,小信號(hào)模型是指BJT在交流低頻小信號(hào)工作狀態(tài)下的模型,考慮電流、電壓間的微變關(guān)系。,1. BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型, H參數(shù)的引出,在小信號(hào)情況下,對(duì)上兩式取全微分得,用小信號(hào)交流分量表示,vbe= hieib+ hrevce,ic= hfeib+ hoevce,對(duì)于BJT雙口網(wǎng)絡(luò),已知輸入輸出特性曲線如下:,iB=f(vBE) vCE=const,iC=f(vCE) iB=const,可以寫成:,BJT雙口網(wǎng)絡(luò),輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻;,輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比或電流放大系數(shù);,輸入端交流開路時(shí)的反向電壓傳輸比;,輸入端交流開路時(shí)的輸出電導(dǎo)。,其中:,四個(gè)參數(shù)量綱各不相同,故稱為混合參數(shù)(H參數(shù))。,1. BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型, H參數(shù)的引出,1. BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型, H參數(shù)小信號(hào)模型,根據(jù),可得小信號(hào)模型,BJT的H參數(shù)模型,BJT雙口網(wǎng)絡(luò),1. BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型, H參數(shù)小信號(hào)模型, H參數(shù)都是小信號(hào)參數(shù),即微變參數(shù)或交流參數(shù)。 H參數(shù)與工作點(diǎn)有關(guān),在放大區(qū)基本不變。 H參數(shù)都是微變參數(shù),所以只適合對(duì)交流信號(hào)的分析。,受控電流源hfeib ,反映了BJT的基極電流對(duì)集電極電流的控制作用。電流源的流向由ib的流向決定。 hrevce是一個(gè)受控電壓源。反映了BJT輸出回路電壓對(duì)輸入回路的影響。,1. BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型, 模型的簡(jiǎn)化,hre和hoe都很小,常忽略它們的影響。,BJT在共射極連接時(shí),其H參數(shù)的數(shù)量級(jí)一般為,1. BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型, H參數(shù)的確定, 一般用測(cè)試儀測(cè)出;,rbe 與Q點(diǎn)有關(guān),可用圖示儀測(cè)出。,rbe= rbb + (1+ ) re,其中對(duì)于低頻小功率管 rbb200,則,在輸入特性曲線上,Q點(diǎn)越高,rbe越??!,基區(qū)體電阻,發(fā)射結(jié)電阻,發(fā)射區(qū)體電阻數(shù)值小可忽略,4.3.2 小信號(hào)模型分析法,2. 用H參數(shù)小信號(hào)模型分析基本共射極放大電路,(1)利用直流通路求Q點(diǎn),共射極放大電路,一般硅管VBE=0.7V,鍺管VBE=0.2V, 已知。,2. 用H參數(shù)小信號(hào)模型分析基本共射極放大電路,(2)畫小信號(hào)等效電路,H參數(shù)小信號(hào)等效電路,2. 用H參數(shù)小信號(hào)模型分析基本共射極放大電路,(3)求放大電路動(dòng)態(tài)指標(biāo),根據(jù),則電壓增益為,(可作為公式),電壓增益,H參數(shù)小信號(hào)等效電路,2. 用H參數(shù)小信號(hào)模型分析基本共射極放大電路,(3)求放大電路動(dòng)態(tài)指標(biāo),輸入電阻,輸出電阻,3. 小信號(hào)模型分析法的適用范圍,放大電路的輸入信號(hào)幅度較小,BJT工作在其VT特性曲線的線性范圍(即放大區(qū))內(nèi)。H參數(shù)的值是在靜態(tài)工作點(diǎn)上求得的。所以,放大電路的動(dòng)態(tài)性能與靜態(tài)工作點(diǎn)參數(shù)值的大小及穩(wěn)定性密切相關(guān)。,優(yōu)點(diǎn): 分析放大電路的動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)(Av 、Ri和Ro等)非常方便,且適用于頻率較高時(shí)的分析。,4.3.2 小信號(hào)模型分析法,缺點(diǎn): 不能用來分析計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)和大輸入信號(hào)情況。,共射極放大電路,放大電路如圖所示。已知BJT的 =80, Rb=300k , Rc=2k, VCC= +12V,求:,(1)放大電路的Q點(diǎn)。此時(shí)BJT工作在哪個(gè)區(qū)域?,(2)當(dāng)Rb=100k時(shí),放大電路的Q點(diǎn)。此時(shí)BJT工作在哪個(gè)區(qū)域?(忽略BJT的飽和壓降),解:(1),(2)當(dāng)Rb=100k時(shí),,靜態(tài)工作點(diǎn)為Q(40A,3.2mA,5.6V),BJT工作在放大區(qū)。,其最小值也只能為0,即IC的最大電流為:,,所以BJT工作在飽和區(qū)。,VCE不可能為負(fù)值,,此時(shí),Q(120uA,6mA,0V),,例題,4.4 放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定問題,4.4.1 溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響,4.4.2 射極偏置電路,1. 基極分壓式射極偏置電路,2. 含有雙電源的射極偏置電路,3. 含有恒流源的射極偏置電路,4.4.1 溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響,4.1.6節(jié)討論過,溫度上升時(shí),BJT的反向電流ICBO、ICEO及電流放大系數(shù)或都會(huì)增大,而發(fā)射結(jié)正向壓降VBE會(huì)減小。這些參數(shù)隨溫度的變化,都會(huì)使放大電路中的集電極靜態(tài)電流ICQ隨溫度升高而增加(ICQ= IBQ+ ICEO) ,從而使Q點(diǎn)隨溫度變化。,要想使ICQ基本穩(wěn)定不變,就要求在溫度升高時(shí),電路能自動(dòng)地適當(dāng)減小基極電流IBQ 。,4.4.2 射極偏置電路,(1)穩(wěn)定工作點(diǎn)原理,目標(biāo):溫度變化時(shí),使IC維持恒定。,如果溫度變化時(shí),b點(diǎn)電位能基本不變,則可實(shí)現(xiàn)靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定。,T , IC, IE, VE、VB不變, VBE , IB,(反饋控制),1. 基極分壓式射極偏置電路,(a) 原理電路 (b) 直流通路,b點(diǎn)電位基本不變的條件:,I1 IBQ ,,此時(shí),,VBQ與溫度無關(guān),VBQ VBEQ,Re取值越大,反饋控制作用越強(qiáng),一般取 I1 =(510)IBQ , VBQ =35V,1. 基極分壓式射極偏置電路,(1)穩(wěn)定工作點(diǎn)原理,1. 基極分壓式射極偏置電路,(2)放大電路指標(biāo)分析,靜態(tài)工作點(diǎn),電壓增益,畫小信號(hào)等效電路,(2)放大電路指標(biāo)分析,電壓增益,輸出回路:,輸入回路:,電壓增益:,畫小信號(hào)等效電路,確定模型參數(shù),已知,求rbe,增益,(2)放大電路指標(biāo)分析,(可作為公式用),Re的影響?,輸入電阻,則輸入電阻,放大電路的輸入電阻不包含信號(hào)源的內(nèi)阻,(2)放大電路指標(biāo)分析,輸出電阻,求輸出電阻的等效電路,(2)放大電路指標(biāo)分析,0,0,

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