高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí) 專題十五 物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)課件.ppt

專題十五 物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),考點一、原子結(jié)構(gòu)和性質(zhì),核心考點突 破,核心自查,1. 把握原子核外電子排布的“三”規(guī)律。,2.明確表示基態(tài)原子核外電子排布的“四”方法。,3. 牢記元素第一電離能和電負(fù)性的遞變性。,答案：(1)M 9 (2)1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d6 4s2 (3)1s22s22p63s23p63d5或Ar3d5 (4)1s22s22p63s23p63d104s1 (5)2s22p3 (6),(7)1s22s22p63s23p63d104s24p1,(4)依據(jù)第二周期元素第一電離能的變化規(guī)律，參照下圖中B、F元素的位置，用小黑點標(biāo)出C、N、O三種元素的相對位置。,(5)已知X的基態(tài)原子L層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍，Y的基態(tài)原子最外層電子排布式為nsnnpn2，則X的電負(fù)性比Y的_(填“大”或“小”)。,(6)Ni是元素周期表中第28號元素，第二周期基態(tài)原子未成對電子數(shù)與Ni相同且電負(fù)性最小的元素是_。 (7)前四周期原子序數(shù)依次增大的元素A、B、C、D中，A和B的價電子層中未成對電子均只有1個，并且A和B的電子數(shù)相差為8；與B位于同一周期的C和D，它們價電子層中的未成對電子數(shù)分別為4和2，且原子序數(shù)相差為2。四種元素中第一電離能最小的是_，電負(fù)性最大的是_(填元素符號)。,答案：(1)OSSe (2)3 (3)NOC (4) (5)小 (6)C(碳) (7)K F,考點二、分子結(jié)構(gòu)和性質(zhì),核心自查 1. 鍵、鍵的判斷。 由軌道重疊方式判斷：“頭碰頭”重疊為鍵，“肩并肩”重疊為鍵。 由共用電子對數(shù)判斷：單鍵為鍵；雙鍵或三鍵，其中一個為鍵，其余為鍵。 由成鍵軌道類型判斷：s軌道形成的共價鍵全是鍵；雜化軌道形成的共價鍵全為鍵。,2中心原子雜化類型和分子空間構(gòu)型的相互判斷。,3.常見等電子體。,突破例練,答案：(1)三角錐形 sp3 (2)sp2雜化 sp3雜化 (3)sp3 正四面體 (4)sp3 (5)平面三角形 sp3 (6)三角錐形 sp3 (7)sp3 小于 (8)H2O中O原子有兩對孤電子對，H3O中O原子只有一對孤電子對，排斥力較小,考點三、晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì),核心自查 1均攤法確定晶胞的組成。 (1)長方體(正方體)晶胞中不同位置的粒子對晶胞的貢獻。在如下圖所示的長方體(正方體)晶胞中：,(2)非長方體晶胞中粒子對晶胞的貢獻視具體情況而定。如石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形，其頂點(1個碳原子)對六邊形的貢獻為1/3。在如下圖所示的正三棱柱形晶胞中：,(2)Al2O3在一定條件下可制得AlN，其晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，該晶體中Al的配位數(shù)是_。,(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以_相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻_個原子。,在硅酸鹽中，SiO四面體如下圖(a)通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根：其中Si原子的雜化形式為_，Si與O的原子數(shù)之比為_，化學(xué)式為_。,