電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路

《電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路》由會(huì)員分享，可在線(xiàn)閱讀，更多相關(guān)《電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路（5頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、驅(qū)動(dòng)電路的性能很大程度上影響整個(gè)系統(tǒng)的工作性能。 有許多問(wèn)題需要慎重設(shè)計(jì)，例 如，導(dǎo)通延時(shí)、泵升保護(hù)、過(guò)壓過(guò)流保護(hù)、開(kāi)關(guān)頻率、附加電感的選擇等。 1. 開(kāi)關(guān)頻率和主回路附加電感的選擇 力矩波動(dòng)也即電流波動(dòng)，由系統(tǒng)設(shè)計(jì)給定的力矩波動(dòng)指標(biāo)為 A 1/1 N,對(duì)有刷直流電 動(dòng)機(jī)而言，通常在 (5~10)% 左右。為了便于分析可認(rèn)為 (1) AI/I N=A I/(U s/R d) AI表達(dá)式中，消去Us, 式中 Rd 為電樞回路總電阻。代入前面各種驅(qū)動(dòng)控制方式的 可求出： 對(duì)于單極性控制 Ld/Rd > 5T?2.5T(可逆或不可逆) (2)

2、 對(duì)于雙極性控制 3) Ld/Rd > 10T~5T 式中 T 為功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)周期。 對(duì)于有刷直流電動(dòng)機(jī)，電磁時(shí)間常數(shù)Ld/Rd 一般在10ms至幾十毫秒。若采用GTR , 開(kāi)關(guān)頻率可取 2KHz 左右， T=0.5ms 。若采用 IGBT ，開(kāi)關(guān)頻率可取 18KHz 以上，所 以上式均能滿(mǎn)足。若采用 GTO 或可控硅功率器件，由于工作頻率只有 100Hz 左右， 此時(shí)應(yīng)考慮在主回路附加電抗器，且 (4) Ld=L f+L a 對(duì)不可逆系統(tǒng)還應(yīng)進(jìn)一步檢查臨界電流， I aL = U sT/8L d <Ia0應(yīng)小于電機(jī)空載電流, 防止空載失控。 對(duì)于低慣量電機(jī)

3、、力矩電動(dòng)機(jī)，由于電磁時(shí)間常數(shù)很?。◣讉€(gè)毫秒或更?。?，此時(shí) 應(yīng)考慮采用開(kāi)關(guān)頻率高的IGBT功率開(kāi)關(guān)器件。 2. 功率驅(qū)動(dòng)電路的選擇 圖1 H橋開(kāi)關(guān)電路（I ） 圖2 H橋開(kāi)關(guān)電路（n ）｛｛分 頁(yè)｝｝ 小功率驅(qū)動(dòng)電路可以采用如圖 1所示的H橋開(kāi)關(guān)電路。Ua和Ub是互補(bǔ)的雙極性 或單極性驅(qū)動(dòng)信號(hào)，TTL電平。開(kāi)關(guān)晶體管的耐壓應(yīng)大于 1.5倍Us以上。由于大功率 PNP晶體管價(jià)格高，難實(shí)現(xiàn)，所以這個(gè)電路只在小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)中使用。 當(dāng)四個(gè)功率開(kāi) 關(guān)全用NPN晶體管時(shí)，需要解決兩個(gè)上橋臂晶體管（BG i和BG3）的基極電平偏移問(wèn)題。 圖2中H橋開(kāi)關(guān)電路利用兩個(gè)晶體管實(shí)現(xiàn)了上橋臂晶

4、體管的電平偏移。但電阻 R上的 損耗較大，所以也只能在小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)中使用。 當(dāng)驅(qū)動(dòng)功率比較大時(shí)，一般橋臂電壓也比較高， 例如直接取工頻電壓， 單相220V , 或三相380V。為了安全和可靠，希望驅(qū)動(dòng)回路（主回路）與控制回路絕緣。此時(shí)，主 回路必須采用浮地前置驅(qū)動(dòng)。 圖3所示的浮地前置驅(qū)動(dòng)電路都是互相獨(dú)立的， 并由獨(dú)立 的電源供電。由于前置驅(qū)動(dòng)電路中采用了光電耦合，使控制信號(hào) —丄. ；分別 與各自的前置驅(qū)動(dòng)電路電氣絕緣， 于是使控制信號(hào)對(duì)主回路浮地 （或不共地） 圖3大功率驅(qū)動(dòng)電路 3. 具有光電耦合絕緣的前置驅(qū)動(dòng)電路 對(duì)于大功率驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)， 希望將

5、主回路與控制回路之間實(shí)行電氣隔離，此時(shí)常采用光 電耦合電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。有三種常用的光電耦合電路如圖 4所示，其中普通型的典型型號(hào)是 4N25、117等，高速型的典型型號(hào)有 985C，高電流傳輸比型也稱(chēng)達(dá)林頓型，典型型 號(hào)有113等。 圖4典型光電耦合器電路｛｛分頁(yè)｝｝ 圖中，普通型光耦的lc/1 d=0.1?0.3 ;高速型光耦采用光敏二極管； 高電流傳輸比 型光耦的Ic/I d=0.5 ；它們的上升延時(shí)時(shí)間和關(guān)斷延時(shí)時(shí)間分別為 tr, ts>4~5 口 s ； tr, ts<1.5 口S ； tr , ts 為 10 口 s 左右。 光電耦合器與后續(xù)電路結(jié)合就能構(gòu)

6、成前置驅(qū)動(dòng)電路， 如圖5所示。這個(gè)前置驅(qū)動(dòng)電 路的上升延時(shí)tr—— 3.9宙，關(guān)斷延時(shí)ts——1.6 ，可以在中等功率系統(tǒng)中使用。 圖5前置驅(qū)動(dòng)電路 為了對(duì)功率開(kāi)關(guān)提供最佳前置驅(qū)動(dòng)，現(xiàn)在已有很多專(zhuān)用的前置驅(qū)動(dòng)模塊。這種驅(qū)動(dòng) 模塊對(duì)功率開(kāi)關(guān)提供理想前置驅(qū)動(dòng)信號(hào)，保證功率開(kāi)關(guān)迅速導(dǎo)通，迅速關(guān)斷，對(duì)功率開(kāi) 關(guān)的飽和深度進(jìn)行最佳控制，對(duì)功率開(kāi)關(guān)的過(guò)電流、過(guò)熱進(jìn)行檢測(cè)和保護(hù)。例如，EX356、 EX840等等。 4. 防直通導(dǎo)通延時(shí)電路 對(duì)H橋驅(qū)動(dòng)電路上下橋臂功率晶體管加互補(bǔ)信號(hào)， 由于帶載情況下，晶體管的關(guān)斷 時(shí)間通常比開(kāi)通時(shí)間長(zhǎng)，這樣，例如當(dāng)下橋臂晶體管未及時(shí)關(guān)斷，而上橋臂

7、搶先開(kāi)通時(shí) 就出現(xiàn)所謂 橋臂直通”故障。橋臂直通時(shí)電流迅速變大，造成功率開(kāi)關(guān)損壞。所以設(shè)置 導(dǎo)通延時(shí)，是必不可少的。圖 6是導(dǎo)通延時(shí)電路及其波形。 圖 6 導(dǎo)通延時(shí)電路及波形 導(dǎo)通延時(shí)，有時(shí)也稱(chēng)死區(qū)時(shí)間，可通過(guò)RC時(shí)間常數(shù)來(lái)設(shè)置；對(duì)GTR可按0.2 口s/A 來(lái)設(shè)置；對(duì)MOSFET可按0.1?0.2 口 s設(shè)計(jì)，且與電流無(wú)關(guān)，IGBT可按2?5口 s設(shè)計(jì)。 舉例說(shuō)明，若為 GTR， f=5kHz ，雙極性工作，調(diào)寬區(qū)域?yàn)?T/2=1/10=0.1ms 。若 I=100A ,則A t=0.2X100=20 口 s則PWM調(diào)制分辨率最大可能性為 (5) (T/2) A t=0.1/0.02=5 這說(shuō)明死區(qū)時(shí)間占據(jù)了調(diào)制周期的 1/5 ，顯然是不可行的。 所以對(duì)于 100A 的電機(jī) 系統(tǒng)，GTR的開(kāi)關(guān)頻率必須低于 5kHz。例如，2kHz以下，此時(shí)分辨率達(dá)12.5左右。 驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)還有很多問(wèn)題，例如過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱、泵升保護(hù)等等。