廣西2019年高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 第5單元 物質(zhì)結(jié)構(gòu) 元素周期律 5.1 原子結(jié)構(gòu) 化學(xué)鍵課件 新人教版.ppt

第1節(jié)原子結(jié)構(gòu)化學(xué)鍵 考綱要求 1 了解元素 核素和同位素的含義 2 了解原子的構(gòu)成 了解原子序數(shù) 核電荷數(shù) 質(zhì)子數(shù) 中子數(shù) 核外電子數(shù)以及它們之間的相互關(guān)系 3 了解相對(duì)原子質(zhì)量 相對(duì)分子質(zhì)量的定義 并能進(jìn)行有關(guān)計(jì)算 4 了解原子核外電子排布規(guī)律 5 了解化學(xué)鍵的定義 了解離子鍵 共價(jià)鍵的形成 6 掌握原子結(jié)構(gòu)示意圖 電子式 分子式 結(jié)構(gòu)式和結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式等表示方法 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 原子結(jié)構(gòu)1 原子的結(jié)構(gòu) 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 2 構(gòu)成原子或離子的微粒間的數(shù)量關(guān)系 1 原子中 質(zhì)子數(shù) 核電荷數(shù) 核外電子數(shù) 原子序數(shù) 2 陽(yáng)離子的核外電子數(shù) 質(zhì)子數(shù) 陽(yáng)離子所帶的電荷數(shù) 3 陰離子的核外電子數(shù) 質(zhì)子數(shù) 陰離子所帶的電荷數(shù) 4 對(duì)于 質(zhì)量數(shù) A 質(zhì)子數(shù) Z 中子數(shù) N 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 3 元素 核素 同位素 同素異形體 1 同素異形體 同種元素組成的不同單質(zhì) 比如白磷與紅磷 石墨 金剛石與C60 O2與O3等 2 元素 核素 同位素 關(guān)系圖示 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 同位素的特征 相同存在形態(tài)的同位素 化學(xué)性質(zhì)相同 物理性質(zhì)不同 天然存在的同一元素各核素所占的原子百分?jǐn)?shù)一般保持不變 常見的重要核素及其應(yīng)用 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 2 元素 核素 同位素的比較 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 答案 解析 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 跟蹤訓(xùn)練1 中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究所研制的NIM5銫原子噴泉鐘 2000萬(wàn)年誤差不到一秒 目前成為國(guó)際計(jì)量局認(rèn)可的基準(zhǔn)鐘之一 參與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間修正 關(guān)于Cs元素 下列說法錯(cuò)誤的是 A 137Cs和133Cs互為同位素B 單質(zhì)Cs與水反應(yīng)非常緩慢C 137Cs比133Cs多4個(gè)中子D 137Cs最外層只有1個(gè)電子 B 解析 137Cs和133Cs是同種元素的不同核素 且中子數(shù)不等 互為同位素 故A正確 單質(zhì)Cs比鈉 鉀活潑 與水反應(yīng)非常劇烈 故B錯(cuò)誤 137Cs比133Cs的中子數(shù)多137 133 4 故C正確 137Cs為第 A族元素 最外層只有1個(gè)電子 故D正確 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 2 醫(yī)學(xué)界通過用放射性14C標(biāo)記C60 發(fā)現(xiàn)一種C60的羧酸衍生物在特定條件下可通過斷裂DNA殺死細(xì)胞 從而抑制艾滋病 AIDS 下列有關(guān)14C的敘述正確的是 A 14C與C60中普通碳原子的化學(xué)性質(zhì)不同B 14C與14N含的中子數(shù)相同C 14C是C60的同素異形體D 14C與12C互為同位素 D 解析 14C與C60中普通碳原子 為同種元素的原子 其化學(xué)性質(zhì)相同 A錯(cuò)誤 14C的中子數(shù)為14 6 8 14N的中子數(shù)為14 7 7 B錯(cuò)誤 14C是原子 不是單質(zhì) 與C60不是同素異形體 C錯(cuò)誤 14C與12C的質(zhì)子數(shù)均為6 中子數(shù)分別為8 6 二者互為同位素 D正確 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 核外電子排布1 在同一原子中各電子層之間的關(guān)系 2 核外電子排布規(guī)律 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 3 最外層電子數(shù)與元素性質(zhì)的關(guān)系 1 稀有氣體元素原子最外層已排滿8個(gè)電子 He排滿2個(gè) 既不易得到電子又不易失去電子 2 金屬元素原子最外層電子數(shù)一般小于4 常易失去最外層電子 形成8電子或2電子 如Li 的穩(wěn)定結(jié)構(gòu) 3 非金屬元素原子最外層電子數(shù)一般大于或等于4 易得到電子或形成共用電子對(duì) 達(dá)到最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu) 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 4 原子 離子 結(jié)構(gòu)示意圖表示方法如Na的原子結(jié)構(gòu)示意圖如下 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 自主鞏固下圖為幾種粒子的結(jié)構(gòu)示意圖 完成以下填空 1 屬于陽(yáng)離子結(jié)構(gòu)的粒子是 填編號(hào) 下同 2 具有穩(wěn)定性結(jié)構(gòu)的原子是 3 只能得電子的粒子是 只能失電子的粒子是 既能得電子 又能失電子的粒子是 4 粒子半徑小于 填 大于 小于 或 等于 粒子半徑 5 某元素R形成的氧化物為R2O3 則R的離子結(jié)構(gòu)示意圖可能是 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 1 1 20號(hào)元素原子核外電子排布的特點(diǎn)與規(guī)律 1 原子核中無(wú)中子的原子 2 最外層只有一個(gè)電子的原子 H Li Na K 最外層有兩個(gè)電子的原子 He Be Mg Ca 3 最外層電子數(shù)等于次外層電子數(shù)的原子 Be Ar 最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)2倍的原子 C 最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)3倍的原子 O 4 電子層數(shù)與最外層電子數(shù)相等的原子 H Be Al 最外層電子數(shù)是電子層數(shù)2倍的原子 He C S 最外層電子數(shù)是電子層數(shù)3倍的原子 O 5 次外層電子數(shù)是最外層電子數(shù)2倍的原子 Li Si 6 內(nèi)層電子總數(shù)是最外層電子數(shù)2倍的原子 Li P 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 例2 2016全國(guó) 改編 a b c d為短周期元素 a的原子中只有1個(gè)電子 b2 和c 的電子層結(jié)構(gòu)相同 d與b同族 下列敘述錯(cuò)誤的是 A a與其他三種元素形成的二元化合物中其化合價(jià)均為 1價(jià)B b與其他三種元素均可形成至少兩種二元化合物C c的原子半徑是這些元素中最大的D d與a形成的化合物的溶液呈弱酸性 A 解析 根據(jù)a的原子中只有1個(gè)電子 可知a為氫元素 依據(jù)b2 和c 的電子層結(jié)構(gòu)相同 且元素都為短周期元素 可知b為氧元素 c為鈉元素 最后根據(jù)d與b同族且為短周期元素可知d為硫元素 NaH中H為 1價(jià) A項(xiàng)錯(cuò)誤 由H2O H2O2 Na2O Na2O2 SO2 SO3等物質(zhì)可知B項(xiàng)正確 原子半徑由大到小的順序?yàn)镹a S O H C項(xiàng)正確 H2S的水溶液呈弱酸性 D項(xiàng)正確 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 易錯(cuò)警示利用核外電子排布推斷元素需要注意的三點(diǎn) 1 核外電子排布的幾條規(guī)律是相互聯(lián)系的 不能孤立地理解 必須同時(shí)滿足各項(xiàng)要求 如M層不是最外層時(shí) 最多能容納18個(gè)電子 當(dāng)M層為最外層時(shí) 最多容納8個(gè)電子 2 細(xì)心審題 看清楚是 最外層電子數(shù) 次外層電子數(shù) 還是 內(nèi)層電子數(shù) 等 3 思維全面 有些描述并不一定指的是一種元素 切勿漏掉 如短周期中最外層電子數(shù)與電子層數(shù)相等的元素是H Be Al三種 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 跟蹤訓(xùn)練3 原子序數(shù)依次增大的元素a b c d 它們的最外層電子數(shù)分別為1 6 7 1 a 的電子層結(jié)構(gòu)與氦相同 b和c的次外層有8個(gè)電子 c 和d 的電子層結(jié)構(gòu)相同 下列敘述錯(cuò)誤的是 A 元素的非金屬性次序?yàn)閏 b aB a和其他3種元素均能形成共價(jià)化合物C d和其他3種元素均能形成離子化合物D 元素a b c各自最高和最低化合價(jià)的代數(shù)和分別為0 4 6 答案 解析 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 4 在電解冶煉鋁的電解槽中存在電解質(zhì)W2 X2Y2Z4 已知其涉及的四種元素的簡(jiǎn)單離子的電子層結(jié)構(gòu)均相同 Y原子最外層電子數(shù)為次外層的3倍 X原子最外層電子數(shù)為Y原子最外層電子數(shù)的一半 下列說法正確的是 A 原子序數(shù) W X Y ZB 原子半徑 W X Y ZC W的最高價(jià)氫氧化物的堿性比X的弱D Y的最簡(jiǎn)單氫化物的穩(wěn)定性比Z的強(qiáng) 答案 解析 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 化學(xué)鍵與物質(zhì)的類別1 化學(xué)鍵 1 化學(xué)鍵的定義及分類 2 化學(xué)反應(yīng)的本質(zhì) 反應(yīng)物的舊化學(xué)鍵斷裂與生成物的新化學(xué)鍵形成 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 2 離子鍵與共價(jià)鍵的比較 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 3 電子式 1 定義 在元素符號(hào)周圍用 或 來(lái)表示原子的最外層電子 價(jià)電子 的式子 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 2 電子式的書寫 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 1 化學(xué)鍵類型的判斷方法 1 從物質(zhì)構(gòu)成角度判斷 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 2 離子化合物與共價(jià)化合物的判斷方法 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 答案 解析 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 跟蹤訓(xùn)練5 下列各組化合物中 化學(xué)鍵類型完全相同的是 A C2H6 H2O2 C2H5OHB HCl NaCl MgCl2C H2O CO2 Na2O2D NaOH NaClO Na2O A 解析 A項(xiàng)各物質(zhì)中只存在共價(jià)鍵 正確 B項(xiàng)HCl中存在共價(jià)鍵 而NaCl MgCl2中存在離子鍵 錯(cuò)誤 C項(xiàng)Na2O2中存在共價(jià)鍵和離子鍵 而H2O CO2中只存在共價(jià)鍵 錯(cuò)誤 D項(xiàng)Na2O中只存在離子鍵 而NaOH NaClO中既存在離子鍵又存在共價(jià)鍵 錯(cuò)誤 考點(diǎn)三 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 基礎(chǔ)梳理 考點(diǎn)突破 6 下表中相關(guān)物質(zhì)的信息都正確的一項(xiàng)是 A 解析 NaClO是由Na ClO 通過離子鍵形成的離子化合物 其中ClO 內(nèi)有共價(jià)鍵 ClO 具有強(qiáng)氧化性 NaClO是常用的消毒劑 84 消毒液的主要成分 A項(xiàng)正確 H2O2是共價(jià)化合物 其電子式是 B項(xiàng)錯(cuò)誤 NH3用于工業(yè)制硝酸 與其水溶液呈堿性無(wú)關(guān) C項(xiàng)錯(cuò)誤 NaHCO3除含離子鍵外還含共價(jià)鍵 用作泡沫滅火劑與NaHCO3的受熱易分解無(wú)關(guān) D項(xiàng)錯(cuò)誤 1 牢記的1個(gè)符號(hào) A表示質(zhì)量數(shù) Z表示質(zhì)子數(shù) X表示元素符號(hào) m表示化合價(jià)數(shù) a表示電荷數(shù) b表示粒子中所含原子數(shù) 2 熟記 兩素 三同 元素 核素 同位素 同素異形體 同分異構(gòu)體 3 理解3條原子核外電子排布的規(guī)律 1 能量最低原則 2 每層最多容納2n2個(gè)電子 3 最外層電子數(shù)不超過8 K層為最外層不超過2 次外層電子數(shù)不超過18 倒數(shù)第三層電子數(shù)不超過32 4 掌握原子中的兩個(gè)關(guān)系 1 質(zhì)子數(shù) 核電荷數(shù) 核外電子數(shù) 原子序數(shù) 2 質(zhì)量數(shù) A 質(zhì)子數(shù) Z 中子數(shù) N 2 1 3 4 6 7 5 1 科研人員發(fā)現(xiàn)放射性元素鈥可有效治療肝癌 下列說法正確的是 A 該原子的相對(duì)原子質(zhì)量為166B 該原子中含有的質(zhì)子數(shù)為99C 該原子含有的電子數(shù)為67D 該原子的質(zhì)子數(shù)比中子數(shù)多32 C 解析 該原子的質(zhì)量數(shù)為166 為該原子的相對(duì)原子質(zhì)量近似整數(shù)值 A項(xiàng)錯(cuò)誤 該原子中含有的質(zhì)子數(shù)為67 中子數(shù)為99 中子數(shù)比質(zhì)子數(shù)多32 B D項(xiàng)錯(cuò)誤 由原子中 原子序數(shù) 核電荷數(shù) 質(zhì)子數(shù) 核外電子數(shù) 可知鈥原子含有的電子數(shù)為67 C項(xiàng)正確 2 1 3 4 6 7 5 B 4 3 1 2 6 7 5 A 4 3 1 2 6 7 5 4 下列說法正確的是 A 非金屬單質(zhì)中一定存在共價(jià)鍵B 金屬元素和非金屬元素形成的化合物一定是離子化合物C 含共價(jià)鍵的化合物不一定是共價(jià)化合物D 溶于水能導(dǎo)電的化合物就是離子化合物 C 解析 非金屬單質(zhì)中不一定存在共價(jià)鍵 如稀有氣體中不存在共價(jià)鍵 A錯(cuò)誤 金屬元素和非金屬元素形成的化合物不一定是離子化合物 如氯化鋁是共價(jià)化合物 B錯(cuò)誤 含共價(jià)鍵的化合物不一定是共價(jià)化合物 如氫氧化鈉是離子化合物 C正確 溶于水能導(dǎo)電的化合物不一定是離子化合物 如HCl CO2等屬于共價(jià)化合物 D錯(cuò)誤 6 7 5 3 1 2 4 5 下列說法正確的是 A 16O和18O原子的核外電子排布不相同B 含有離子鍵的化合物一定是離子化合物C HF HCl HBr HI的熔沸點(diǎn)逐漸升高D 干冰和二氧化硅熔化時(shí)所克服微粒間的相互作用相同 B 解析 兩種核素均為氧元素的不同種原子 核電荷數(shù)為8 核外電子排布方式相同 故A錯(cuò)誤 離子化合物是含有離子鍵的化合物 所以含有離子鍵的化合物一定是離子化合物 故B正確 HF中存在氫鍵 故HF比HCl HBr HI的熔沸點(diǎn)都高 故C錯(cuò)誤 干冰為分子晶體 熔化時(shí)克服分子間作用力 二氧化硅為原子晶體 熔化時(shí)克服共價(jià)鍵 故D錯(cuò)誤 6 7 5 3 1 2 4 6 2016上?；瘜W(xué) 下列各組物質(zhì)的熔點(diǎn)均與所含化學(xué)鍵的鍵能有關(guān)的是 A CaO與CO2B NaCl與HClC SiC與SiO2D Cl2與I2 C 解析 分子晶體 原子晶體 離子晶體的熔沸點(diǎn)分別與分子間作用力 共價(jià)鍵 離子鍵的強(qiáng)弱有關(guān) CO2 HCl Cl2 I2屬于分子晶體 SiC SiO2屬于原子晶體 只有C選項(xiàng)符合題意 6 7 5 3 1 2 4 7 某元素X 其原子的電子層數(shù)為 n 1 最外層電子數(shù)為 2n 1 下列有關(guān)元素X的說法中正確的是 A X可能是金屬元素B 由X形成的含氧酸均為強(qiáng)酸C X不能形成化學(xué)式為KXO4的含氧酸鹽D 元素X的氣態(tài)氫化物一定極易溶于水 D 解析 由X原子的最外層電子數(shù)為 2n 1 可以推知n 4 則X的電子層數(shù) 3 X為短周期元素 當(dāng)n 4時(shí) X為Cl元素 當(dāng)n 3時(shí) X為N元素 當(dāng)n 2時(shí) 不符合題意 A錯(cuò)誤 HNO2和HClO均為弱酸 B錯(cuò)誤 Cl元素能形成KClO4 C錯(cuò)誤 NH3和HCl均極易溶于水 D正確