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1、 精品資料
第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體
1.能用金屬鍵和離子鍵的理論解釋金屬晶體和離子晶體的物理性質(zhì)。(重點(diǎn))
2.了解金屬晶體的三種原子堆積模型和幾種典型離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)。(難點(diǎn))
3.了解晶格能的概念和意義。
金 屬 晶 體
[基礎(chǔ)·初探]
1.概念
金屬原子通過金屬鍵形成的晶體稱為金屬晶體。
2.特點(diǎn)
由于金屬鍵沒有飽和性和方向性,從而導(dǎo)致金屬晶體最常見的結(jié)構(gòu)型式具有堆積密度大、原子配位數(shù)高、能充分利用空間等特點(diǎn)。
3.常見堆積方式
三種典型結(jié)構(gòu)型式
面心立方最密堆積A1
體心立方密堆積A2
2、
六方最密堆積A3
常見金屬
Ca,Cu,Au,Al,Pd,Pt,Ag
Li,Na,K,Ba,W,F(xiàn)e
Mg,Zn,Ti
結(jié)構(gòu)示意圖
配位數(shù)
12
8
12
晶體結(jié)構(gòu)
面心立方晶胞
體心立方晶胞
六方晶胞
4.物理通性
金屬晶體具有金屬光澤,有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱和延展性。
1.金屬在發(fā)生變形延展時(shí),金屬鍵斷裂嗎?
【提示】 不斷裂。
2.金屬在通常狀況下都是晶體嗎?金屬晶體的性質(zhì)與哪些因素有關(guān)?
【提示】 不是,如汞;金屬鍵和金屬原子的堆積方式?jīng)Q定金屬的性質(zhì)。
[核心·突破]
1.金屬物理通性的解釋
2.金屬晶體熔點(diǎn)的影響因素
3、
同類型的金屬晶體的熔點(diǎn)由金屬陽(yáng)離子半徑、離子所帶的電荷決定,陽(yáng)離子半徑越小,所帶電荷越多,相互作用力就越強(qiáng),熔點(diǎn)就越高。例如熔點(diǎn):Li>Na>K>Rb>Cs,Na<Mg<Al。
[題組·沖關(guān)]
1.金屬能導(dǎo)電的原因是( )
A.金屬晶體中金屬陽(yáng)離子與自由電子間的相互作用較弱
B.金屬晶體中的自由電子在外加電場(chǎng)作用下發(fā)生定向移動(dòng)
C.金屬晶體中的金屬陽(yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)
D.金屬晶體在外加電場(chǎng)作用下可失去電子
【解析】 金屬原子失去電子后變?yōu)榻饘匐x子,失去的電子稱為自由電子,自由電子可以在金屬晶體中自由移動(dòng),在外加電場(chǎng)的作用下,自由電子就會(huì)定向移動(dòng)而形成電流。
4、
【答案】 B
2.關(guān)于金屬晶體的體心立方密堆積的結(jié)構(gòu)型式的敘述中,正確的是( )
A.晶胞是六棱柱 B.屬于A2型最密堆積
C.每個(gè)晶胞中含4個(gè)原子 D.配位數(shù)為12
【解析】 金屬晶體的體心立方密堆積的晶胞是平行六面體,體心立方密堆積的堆積方式為立方體的頂點(diǎn)和體心各有1個(gè)原子,屬于A2型最密堆積,每個(gè)晶胞中含有8×+1=2個(gè)原子,A2型的配位數(shù)為8。
【答案】 B
3.金屬晶體堆積密度大,原子配位數(shù)高,能充分利用空間的原因是( )
A.金屬原子的價(jià)電子數(shù)少
B.金屬晶體中有自由電子
C.金屬原子的原子半徑大
D.金屬鍵沒有飽和性和方向性
【解析】 這是因?yàn)榻柚?/p>
5、沒有方向性的金屬鍵形成的金屬晶體的結(jié)構(gòu)中,都趨向于使原子吸引盡可能多的原子分布于周圍,并以密堆積的方式降低體系的能量,使晶體變得比較穩(wěn)定。
【答案】 D
4.下列關(guān)于金屬晶體的敘述正確的是( )
A.常溫下,金屬單質(zhì)都以金屬晶體形式存在
B.金屬離子與自由電子之間有強(qiáng)烈的相互作用,在一定外力作用下,不因形變而消失
C.鈣的熔點(diǎn)低于鉀
D.溫度越高,金屬的導(dǎo)電性越好
【解析】 A項(xiàng),汞在常溫下為液態(tài);C項(xiàng),由于原子半徑r(Ca)<r(K)且價(jià)電子數(shù)Ca>K,所以金屬鍵Ca>K,故熔點(diǎn)Ca>K。
【答案】 B
離 子 晶 體
[基礎(chǔ)·初探]
1.概念
由陽(yáng)離子和陰離子
6、通過離子鍵結(jié)合,在空間呈現(xiàn)有規(guī)律的排列而形成的晶體。
2.常見AB型的離子晶體
晶體類型
NaCl型
CsCl型
ZnS型
晶體結(jié)構(gòu)模型
配位數(shù)
6
8
4
晶胞中微粒數(shù)
Na+ 4
Cl- 4
Cs+ 1
Cl- 1
Zn2+ 4
S2- 4
符號(hào)類型
Li、Na、K、Rb的鹵化物、AgF、MgO等
CsBr、CsI、NH4Cl等
BeO、BeS等
3.晶格能
(1)概念:將1 mol離子晶體中的陰、陽(yáng)離子完全氣化而遠(yuǎn)離所吸收的能量。
(2)意義:衡量離子鍵的強(qiáng)弱。晶格能越大,表示離子鍵越強(qiáng),離子晶體越穩(wěn)定。
(3)影響因素:
7、①晶格能∝,即與陰、陽(yáng)離子所帶電荷的乘積成正比,與陰、陽(yáng)離子間的距離成反比。
②與離子晶體的結(jié)構(gòu)型式有關(guān)。
4.特性
(1)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)較高,而且隨著離子電荷的增加,離子間距的縮短,晶格能增大,熔點(diǎn)升高。
(2)一般易溶于水,而難溶于非極性溶劑。
(3)在固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)或在水溶液中能導(dǎo)電。
離子晶體的化學(xué)式是表示真正的分子構(gòu)成嗎?
【提示】 不是。離子晶體的化學(xué)式僅代表晶體中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比,并不代表分子構(gòu)成,所以離子晶體中不存在分子。
[核心·突破]
對(duì)離子晶體特性的理解
1.離子晶體熔、沸點(diǎn)的比較:一般來說,陰、陽(yáng)離子所帶的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子鍵越
8、強(qiáng),離子晶體的熔、沸點(diǎn)越高,如Al2O3>MgO;NaCl>CsCl等。
2.對(duì)于離子晶體的熔、沸點(diǎn),要注意“一般來說”和“較高”等字詞。“一般來說”說明離子晶體的熔、沸點(diǎn)還有些特例;“較高”是與其他晶體類型比較的結(jié)果。
3.離子晶體的一些特殊物理性質(zhì)可用于確定晶體類型。如在固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電,在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體。
4.離子晶體導(dǎo)電的前提是先電離出自由移動(dòng)的陰、陽(yáng)離子。難溶于水的強(qiáng)電解質(zhì)如BaSO4、CaCO3等溶于水時(shí),由于濃度極小,故導(dǎo)電性極弱。通常情況下,它們的水溶液不導(dǎo)電。
[題組·沖關(guān)]
1.下列物質(zhì)的晶體屬于離子晶體的是( )
A.苛性鉀 B.碘化氫
9、C.硫酸 D.醋酸
【解析】 苛性鉀含有離子鍵,故屬于離子晶體;碘化氫、硫酸、醋酸均含有分子間作用力,故三者均為分子晶體。
【答案】 A
2.下列性質(zhì)適合于離子晶體的是( )
A.熔點(diǎn)1 070 ℃,固態(tài)不導(dǎo)電,液態(tài)能導(dǎo)電
B.熔點(diǎn)10.31 ℃,液態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電
C.能溶于CS2,熔點(diǎn)112.8 ℃,沸點(diǎn)444.6 ℃
D.熔點(diǎn)97.81 ℃,質(zhì)軟,導(dǎo)電,密度0.97 g·cm-3
【解析】 離子晶體的性質(zhì)是熔點(diǎn)較高,固態(tài)不導(dǎo)電,液態(tài)和水溶液能導(dǎo)電,質(zhì)脆。
【答案】 A
3.下列說法正確的是( )
A.晶體中若存在陰離子,就一定存在陽(yáng)離子
B.離子晶體不一
10、定是化合物
C.離子晶體都易溶于水
D.離子晶體一定是由活潑金屬和活潑非金屬形成的
【解析】 離子晶體的構(gòu)成微粒是陰離子與陽(yáng)離子,A項(xiàng)正確。離子晶體中存在離子鍵,存在電子得失,一定是化合物,B項(xiàng)錯(cuò)。CaCO3、BaSO4等離子晶體難溶于水,C項(xiàng)錯(cuò)。NH4Cl晶體全部由非金屬元素組成,D項(xiàng)錯(cuò)。
【答案】 A
4. NaCl晶體模型如下圖所示:
【導(dǎo)學(xué)號(hào):66240026】
(1)在NaCl晶體中,每個(gè)Cl-周圍同時(shí)吸引著________個(gè)Na+;在NaCl晶胞中含有________個(gè)Na+、________個(gè)Cl-,晶體中每個(gè)Na+周圍與它距離最近且相等的Na+共有______
11、__個(gè)。
(2)對(duì)于氯化鈉晶體,下列描述正確的是________。
A.它是六方緊密堆積
B.相鄰的正負(fù)離子核間距等于正負(fù)離子半徑之和
C.與氯化銫晶體結(jié)構(gòu)相同
D.每個(gè)Na+與6個(gè)Cl-鄰近
【解析】 (1)在氯化鈉晶體中,一個(gè)Na+位于晶胞的中心,12個(gè)Na+分別位于晶胞的12條棱上,則屬于該晶胞的Na+相當(dāng)于3個(gè)(×12=3,棱邊上的每個(gè)Na+同時(shí)被4個(gè)晶胞共用,屬于該晶胞的Na+僅占),因此一個(gè)晶胞中共含有4個(gè)Na+;
8個(gè)Cl-分別位于晶胞的8個(gè)頂點(diǎn)上,則屬于該晶胞的Cl-相當(dāng)于1個(gè)(×8=1,頂點(diǎn)上的每個(gè)Cl-同時(shí)被8個(gè)晶胞共用,屬于該晶胞的Cl-僅占),6個(gè)Cl-分
12、別位于晶胞的6個(gè)面心上,則屬于該晶胞的Cl-相當(dāng)于3個(gè)(×6=3,面心上的每個(gè)Cl-同時(shí)被2個(gè)晶胞共用,屬于該晶胞的Cl-僅占),所以一個(gè)晶胞中共含有4個(gè)Cl-。
可見NaCl晶體中Na+、Cl-的個(gè)數(shù)比為1∶1。圖中位于晶胞中心的Na+實(shí)際上共有3個(gè)平面通過它,通過中心Na+的每個(gè)平面都有4個(gè)Na+位于平面的四角,這4個(gè)Na+與中心Na+距離最近且距離相等。所以在NaCl晶體中,每個(gè)Na+周圍與它距離最近且距離相等的Na+共有12個(gè),按相似的方法可推出每個(gè)Cl-周圍與它最近且距離相等的Cl-也共有12個(gè)。
(2)氯化鈉晶體是面心立方最密堆積,故A錯(cuò);氯化銫晶體結(jié)構(gòu)呈體心立方密堆積A2,所以C不正確;氯化鈉晶體中以Na+為中心向三維方向伸展,有6個(gè)Cl-近鄰,所以D正確;相鄰的正、負(fù)離子核間距不等于正、負(fù)離子半徑之和,B錯(cuò)。
【答案】 (1)6 4 4 12 (2)D