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《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題10套及答案.doc

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《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題10套及答案.doc

模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一一、填空題1、在N型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是 ;在P型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是 。2、場效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分為結(jié)型和 兩大類,它屬于 控制性器件。3、為了使高阻信號源與低阻負(fù)載能很好地配合,可以在信號源與負(fù)載之間接入 (共射、共集、共基)組態(tài)放大電路。 4、在多級放大器中,中間某一級的 電阻是上一級的負(fù)載。 5、集成運(yùn)放應(yīng)用電路如果工作在線性放大狀態(tài),一般要引入_。6、根據(jù)下圖中各三極管的電位,判斷它們所處的狀態(tài)分別為_、_、_。7、正弦波振蕩電路通常由 , , 和 四部分組成。二、選擇題1、利用二極管的( )組成整流電路。 A 正向特性 B 單向?qū)щ娦?C反向擊穿特性2、P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入( )后形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 A空穴 B三價(jià)元素硼 C五價(jià)元素銻 3、場效應(yīng)管的漏極特性曲線如圖2-3所示,其類型為( )場效應(yīng)管。A P溝道增強(qiáng)型MOS型 B P溝道耗盡型MOS型 C N溝道增強(qiáng)型MOS型 D N溝道耗盡型MOS型 E N溝道結(jié)型 F P溝道結(jié)型 圖2104、有一晶體管接在放大電路中,今測得它的各極對地電位分別為V1-4,V2-1.2,V3-1.4,試判別管子的三個(gè)管腳分別是( )。A 1:、2:、3: B 1:、2:e、3: C 1:、2:、3: D 其它情況5、集成運(yùn)放中間級的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高輸入電阻 C 提高放大倍數(shù) D 提供過載保護(hù)6、根據(jù)相位平衡條件,判斷圖2-6所示振蕩電路中( )發(fā)生振蕩。A 可能 B 不能7、差模信號電壓是兩個(gè)輸入信號電壓( )的值。 A 差 B 和 C 算術(shù)平均 8、在單相橋式整流電容濾波電路中,已知變壓器二次電壓有效值U224V,設(shè)二極管為理想二極管,用直流電壓表測得RL的電壓值約為21.6V,問電路的現(xiàn)象是( )。A 正常工作情況 B RL開路 C C開路 D 一個(gè)二極管和C開路 E 一個(gè)二極管開路 F 其它情況9、某儀表放大電路,要求輸入電阻大,輸出電流穩(wěn)定,應(yīng)選( )負(fù)反饋。A 電壓串聯(lián) B 電壓并聯(lián) C 電流串聯(lián) D 電流并聯(lián)10、設(shè)圖2-10所示電路中二極管D1、D2為理想二極管,判斷它們是導(dǎo)通還是截止?( )A D1導(dǎo)通,D2導(dǎo)通 B D1導(dǎo)通,D2截止 C D1截止,D2導(dǎo)通 D D1截止,D2截止三、判斷題( )1、溫度升高后,本征半導(dǎo)體中自由電子和空穴數(shù)目都增多,且增量相同。( )2、結(jié)型場效應(yīng)管通常采用兩種偏置方式,即(源極)自給偏壓式和柵極分壓與源極自偏相結(jié)合的偏置方式。 ( )3、共集電極電路沒有電壓和電流放大作用。 ( )4、用電流源代替Re后電路的差模倍數(shù)增加。 ( )5、集成運(yùn)放內(nèi)部第一級是差分放大電路,因此它有兩個(gè)輸入端。( )6、只有兩個(gè)晶體管的類型相同(都為NPN管或都為PNP管時(shí))才能組成復(fù)合管。 ( )7、RC橋式振蕩電路只要R2R就能產(chǎn)生自激振蕩。 ( )8、一個(gè)理想的差分放大電路,只能放大差模信號,不能放大共模信號。 ( )9、電壓負(fù)反饋可以穩(wěn)定輸出電壓。 ( )10、直流電源是一種電能形式轉(zhuǎn)換電路,將交流電變?yōu)橹绷麟?。四、分析題電路如圖所示: (1)寫出輸入級、中間級、輸出級的電路名稱。(2)電阻R3和二級管D1、D2 的作用是什么?(3)靜態(tài)時(shí)T4 管射級電位UE4 =?負(fù)載電流 IL =?(4)動(dòng)態(tài)時(shí),若輸出VO出現(xiàn)正負(fù)半周銜接不上的現(xiàn)象,為何失真?應(yīng)調(diào)哪個(gè)元件?怎樣調(diào)才能消除失真?(5)判斷級間反饋為何種組態(tài)?深度負(fù)反饋時(shí),電路的閉環(huán)增益應(yīng)為多少? (6)求負(fù)載RL上最大輸出幅度Vom和最大輸出功率Pom。(設(shè)VCES=0V,RL=24)(7)若Rf=100k,Rb2=2k,求RL上輸出幅度最大時(shí),輸入VI的有效值為多少? 五、計(jì)算題1、電路如圖所示,晶體管的60,。(1)求電路的Q點(diǎn)。(2)畫出微變等效電路,并計(jì)算。(3)設(shè)Us10mV(有效值),問Ui?Uo?若C3開路,則Ui?Uo?2、如圖所示電路參數(shù)理想對稱,晶體管的均為50,UBEQ0.7。試計(jì)算RW滑動(dòng)端在中點(diǎn)時(shí)T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流IEQ,以及動(dòng)態(tài)參數(shù)Ad和Ri。3、電路如圖所示,設(shè)集成運(yùn)放均有理想的特性,寫出輸出電壓uo與輸入電壓uI1、uI2的關(guān)系式。模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一參考答案一、填空題1、自由電子, 空穴 。2、絕緣柵型, 電壓 3、共射 4、輸入 5、負(fù)反饋 6、飽和, 放大, 截止7、放大電路, 選頻網(wǎng)絡(luò) , 正反饋網(wǎng)絡(luò) ,穩(wěn)幅環(huán)節(jié)二、選擇題1、B 2、B 3、D 4、B 5、C 6、A 7、A 8、C 9、C 10、B 三、判斷題1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、四、分析題答:(1)輸入級為差分放大電路,中間級為共射放大電路,輸出級為無輸出電容的功率放大電路。 (2)消除交越失真。 (3) UE4 =0, IL =0。 (4)為交越失真。應(yīng)調(diào)c3 ,應(yīng)將阻值調(diào)大。 (5)電壓串聯(lián)負(fù)反饋。 (6)(幅值)或(有效值) (7) 五、計(jì)算題1、 解:(1)Q點(diǎn): (2)畫出微變等效電路 動(dòng)態(tài)分析: (3)設(shè)Us10mV(有效值),則 若C3開路,則 2、解:RW滑動(dòng)端在中點(diǎn)時(shí)T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流分析如下: Ad和Ri分析如下: 3、解:由圖可知,運(yùn)放A1、A2組成電壓跟隨器 , 運(yùn)放A4組成反相輸入比例運(yùn)算電路 運(yùn)放A3組成差分比例運(yùn)算電路 以上各式聯(lián)立求解得: 模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題二一、填空題1、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),P區(qū)接電源 極,N區(qū)接電源 極,此時(shí),擴(kuò)散電流 漂移電流。2、二極管最主要的特性是 。3、一個(gè)放大電路的對數(shù)幅頻特性如圖所示。由圖1-3可知,中頻放大倍數(shù)|Avm|=_ _。 圖1-3 圖1-7 4、乙類放大器中每個(gè)晶體管的導(dǎo)通角是_ _,該放大器的理想效率為_ _,每個(gè)管子所承受的最大電壓為_ _。5、差動(dòng)放大電路的基本功能是對差模信號的_ _作用和對共模信號的_ _作用。6、小功率直流穩(wěn)壓電源由變壓、 、_ _、 四部分組成。7、圖1-8 (a)和(b)是兩個(gè)放大管的不完整的符號,根據(jù)圖中所給數(shù)據(jù)和電流方向,判斷它們的導(dǎo)電類型分別為_ 型和_型,用半導(dǎo)體材料_和_制成,電流放大系數(shù)分別為_和_。二、選擇題圖2-3 圖2-8 圖2-9 圖2-101、圖2-3所示復(fù)合管中,下列答案正確的是( )。A NPN型 B PNP型 C 不正確2、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入( )后形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 A 空穴 B 三價(jià)元素 C五價(jià)元素3、有一晶體管接在放大電路中,今測得它的各極對地電位分別為V12,V22.7,V36,試判別管子的三個(gè)管腳分別是( )。A 1:e、2:b、3:c B 1:c、2:e、3:b C 1:c、2:b、3:e D 其它情況4、用萬用表直流電壓檔測得電路中PNP型晶體管各極的對地電位分別是:Vb12.3,Ve12,Vc18。則三極管的工作狀態(tài)為( )。A 放大 B 飽和 C 截止5、判斷圖2-5電路中的反饋組態(tài)為( )。A 電壓并聯(lián)負(fù)反饋 B 電壓串聯(lián)負(fù)反饋 C 電流串聯(lián)負(fù)反饋 D 電流并聯(lián)負(fù)反饋6、已知降壓變壓器次級繞組電壓為12V,負(fù)載兩端的輸出電壓為10.8V,則這是一個(gè)單相( )電路A 橋式整流 B 半波整流 C 橋式整流電容濾波 D 半波整流電容濾波7、直接耦合式多級放大電路與阻容耦合式(或變壓器耦合式)多級放大電路相比,低頻響應(yīng)( )。A 差 B 好 C 差不多8、某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖2-8所示,該管為( )。 A P溝道增強(qiáng)型MOS管 B P溝道結(jié)型場效應(yīng)管C N溝道增強(qiáng)型MOS管 D N溝道耗盡型MOS管9、設(shè)圖2-9所示電路中二極管D1、D2為理想二極管,判斷它們是導(dǎo)通還是截止?( )A D1導(dǎo)通,D2導(dǎo)通 B D1導(dǎo)通,D2截止 C D1截止,D2導(dǎo)通 D D1截止,D2截止10、圖2-10所示電路是( ) 。A差分放大電路 B鏡像電流源電路 C微電流源電路三、判斷題( )1、耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管不能采用自給偏壓方式。 ( )2、放大的實(shí)質(zhì)不是對能量的控制作用。 ( )3、功率的放大電路有功率放大作用,電壓放大電路只有電壓放大作用而沒有功率放大作用。 ( )4、共模信號都是直流信號,差模信號都是交流信號。 ( )5、集成運(yùn)放是直接耦合的多級放大電路。 ( )6、電壓串聯(lián)負(fù)反饋有穩(wěn)定輸出電壓和降低輸入電阻的作用。 ( )7、復(fù)合管的值近似等于組成它的各晶體管值的乘積。 ( )8、反相比例運(yùn)算電路屬于電壓串聯(lián)負(fù)反饋,同相比例運(yùn)算電路屬于電壓并聯(lián)負(fù)反饋。( )9、只要滿足正弦波振蕩的相位平衡條件,電路就一定振蕩。 ( )10、濾波是將交流變?yōu)橹绷鳌?四、分析題圖示電路是沒有畫完的功率放大電路,已知輸入電壓ui為正弦波,運(yùn)算放大電路為理想運(yùn)放。(1)在圖上標(biāo)出三極管VT1和VT2的發(fā)射極箭頭,并合理連接輸入信號ui和反饋電阻Rf,使電路具有輸入電阻大、輸出電壓穩(wěn)定的特點(diǎn)。在題圖上完成。 (2)設(shè)三極管VT1和VT2的飽和管壓降可忽略不計(jì),計(jì)算VT1和VT2的極限參數(shù)ICM、U(BR)CEO、PCM大體應(yīng)滿足什么條件? (3)電路最大的輸出功率有多大?(Pomax =?) 五、計(jì)算題1、電路如下圖所示,晶體管的100,。(1)求電路的Q點(diǎn)。(2)畫出微變等效電路,并計(jì)算。(3)若電容Ce開路,則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化?如何變化?(15分)2、 電路如下圖所示,晶體管的=50,。(1)計(jì)算靜態(tài)時(shí)T1管和T2管的集電極電流和集電極電位;(2)用直流表測得uO=2V,uI=?若uI=10mV,則uO=? 3、電壓電流轉(zhuǎn)換電路如圖所示,已知集成運(yùn)放為理想運(yùn)放,R2R3R4R7R,R52R。求解iL與uI之間的函數(shù)關(guān)系。模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題二參考答案一、填空題1、正 ,負(fù),大于 2、單向?qū)щ娦?3、1004、180, 78.5%, 2VCC5、放大,抑制6、整流,濾波,穩(wěn)壓 7、NPN, PNP,硅,鍺,50,20 二、選擇題1、A 2、C 3、A 4、A 5、B 6、A 7、B 8、D 9、C 10、B 三、判斷題1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 四、分析題解:(1) 1接3,2接地,4接運(yùn)放反相輸入端,5接輸出端。 (2), (3) 五、計(jì)算題1、 解:(1)靜態(tài)分析: (2)畫出微變等效電路 動(dòng)態(tài)分析: (2)若Ce開路,則Ri增大,Ri4.1k; 減小,1.92。 2、解:(1)用戴維寧定理計(jì)算出左邊電路的等效電阻和電源為 靜態(tài)時(shí)T1管和T2管的集電極電流和集電極電位分別為 (2)uOuOUCQ11.23V 若uI=10mV,則 3、解:以uI和uO為輸入信號,A1、R1、R2和R3組成加減運(yùn)算電路,其輸出電壓 以uO1為輸入信號,A2、R4和R5組成反相比例運(yùn)算電路,其輸出電壓 負(fù)載電流 可見,通過本電路將輸入電壓轉(zhuǎn)換成與之具有穩(wěn)定關(guān)系的負(fù)載電流。模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題三一、填空題1用萬用表測量二極管極性時(shí),已知萬用表的黑表筆為電源正極,紅表筆為電源負(fù)極,若測得的二極管為合格產(chǎn)品,則紅表筆所接一端為二極管 極,黑表筆所接一端為二極管的 極。2場效應(yīng)管是 器件,只依靠 導(dǎo)電。3為了穩(wěn)定輸出電壓和提高輸入電阻,應(yīng)引入 反饋;電流負(fù)反饋的反饋信號與輸出 成比例;一反饋放大電路的開環(huán)增益為1000,反饋系數(shù)為0.099,則其閉環(huán)增益為 。4在雙端輸入,單端輸出的差分放大電路中,發(fā)射極電阻RE對 輸入信號無影響,對 輸入信號具有抑制作用。5RC橋式正弦波振蕩電路中,振蕩的條件是 和 。6若乙類互補(bǔ)對稱功率放大電路(OCL)的VCC=15V,vi=10sint (V),RL=10,則PO= W。7在構(gòu)成電壓比較器時(shí)集成運(yùn)放工作在開環(huán)或 狀態(tài)。8負(fù)反饋放大電路產(chǎn)生自激振蕩的條件是 。二、選擇題1在本征半導(dǎo)體中摻入( )構(gòu)成P型半導(dǎo)體。A)3價(jià)元素;B)4價(jià)元素; C)5價(jià)元素; D)6價(jià)元素。2帶射極電阻Re的共射放大電路,在Re上并聯(lián)交流旁路電容Ce后,其電壓放大倍數(shù)將( )。A)減小; B)增大; C)不變; D)變?yōu)榱恪?場效應(yīng)管放大電路的輸入電阻,主要由( )決定。A)管子類型; B)gm; C)偏置電路; D)VGS。4串聯(lián)負(fù)反饋放大電路環(huán)內(nèi)的輸入電阻是無反饋時(shí)輸入電阻的( )。A)1AF倍; B)1/(1AF)倍; C)1/F倍; D)1/AF倍。5集成運(yùn)算放大器構(gòu)成的反相比例運(yùn)算電路的一個(gè)重要特點(diǎn)是( )。A)反相輸入端為虛地; B)輸入電阻大;C)電流并聯(lián)負(fù)反饋; D)電壓串聯(lián)負(fù)反饋。6文氏橋振蕩器中的放大電路電壓放大倍數(shù)( )才能滿足起振條件。A)為1/3時(shí); B)為3時(shí); C)3; D)1/3。7橋式整流電路若變壓器二次電壓為,則每個(gè)整流管所承受的最大反向電壓為( )。A); B); C)20V ; D)。8某儀表放大電路,要求Ri大,輸出電流穩(wěn)定,應(yīng)選( )。A)電流串聯(lián)負(fù)反饋 B)電壓并聯(lián)負(fù)反饋 C)電流并聯(lián)負(fù)反饋 D)電壓串聯(lián)負(fù)反饋9共模抑制比越大,表明電路( )。 A)放大倍數(shù)越穩(wěn)定; B)交流放大倍數(shù)越大; C)抑制溫漂能力越強(qiáng); D)輸入信號中的差模成分越大。10有兩個(gè)放大倍數(shù)相同,輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路A和B,對同一個(gè)具有內(nèi)阻的信號源電壓進(jìn)行放大。在負(fù)載開路的條件下,測得A放大器的輸出電壓小,這說明A的( )。A)輸入電阻大; B)輸入電阻小; C)輸出電阻大; D)輸出電阻小。三、判斷題( )1、因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。( )2、PN結(jié)的單向?qū)щ娦灾挥性谕饧与妷簳r(shí)才能體現(xiàn)出來。 ( )3、增強(qiáng)型MOS管采用自給偏壓時(shí),漏極電流iD必為零。 ( )4、只有電路既放大電流又放大電壓,才稱其具有放大作用。 ( )5、阻容耦合多級放大電路各級的Q點(diǎn)相互獨(dú)立,它只能放大交流信號。( )6、只要在放大電路中引入反饋,就一定能使其性能得到改善。 ( )7、單限比較器比滯回比較器抗干擾能力強(qiáng),而滯回比較器比單限比較器靈敏度高。 ( )8、復(fù)合管的類型取決于第一個(gè)管子的類型。 ( )9、放大電路中輸出的電流和電壓都是由有源元件提供的。 ( )10、整流的目的是將交流變?yōu)閱蜗蛎}動(dòng)的直流。四、分析計(jì)算題1.電路如圖所示,已知T1和T2的飽和管壓降UCES2V,A為理想運(yùn)放,忽略電阻的直流功耗。回答下列問題:(1)R3、R4和T3的作用是什么?(2)負(fù)載上可能獲得的最大輸出功率Pom和電路的轉(zhuǎn)換效率各為多少?(3)電路引入了哪種組態(tài)的交流負(fù)反饋?設(shè)在深度負(fù)反饋條件下,若最大輸入電壓的有效值為1V,為了使電路的最大不失真輸出電壓的峰值達(dá)到16V,電阻R6至少應(yīng)取多少千歐? 2.某集成運(yùn)放的單元電路如圖所示,設(shè)T1、T2的特性相同,且足夠大,問:(1)T1和T2組成什么電路?在電路中起什么作用?(2)寫出IREF和IC2的表達(dá)式,設(shè)VBE=0.7V,VCC和R均為已知。3.在下圖中:,C=0.47uF, 問:(1)由該集成運(yùn)放組成的電路是什么電路?(2)計(jì)算R2的值?(3)計(jì)算輸出電壓的頻率f的值? 4.圖示電路,運(yùn)放均為理想器件,求電路輸出電壓VO與輸入電壓Vi1,Vi2的關(guān)系。5.在下圖中,已知Rb1=300k,Rc1=2k,Rb2=200k,Re=2k,RL=2k,IE2=2.2mA,1=2=60,。求:(1)第一級的靜態(tài)工作點(diǎn);(2)放大器的輸入電阻和輸出電阻;(3)電路總的電壓放大倍數(shù)。(22分)模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題三參考答案一、填空題1陰(負(fù)), 陽(正)2電壓控制電流器件, 多數(shù)載流子 3電壓串聯(lián)負(fù), 電流, 10 4差模, 共模 5放大倍數(shù)大于約等于1, 輸出與輸入同相 65 7正反饋8二、選擇題1、A 2、B 3、C 4、A 5、A 6、C 7、A 8、A 9、C 10、B 三、判斷題1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、四、分析計(jì)算題1解:(1)R3、R4和T3的作用是為T1和T2提供適當(dāng)?shù)闹绷髌茫辉绞д妗?2)最大輸出功率和效率分別為 (3)電壓串聯(lián)負(fù)反饋。 當(dāng)輸出電壓的峰值為16V時(shí),其有效值為: 根據(jù)運(yùn)算“虛短”和“虛斷”的原理有: 即: 2解:(1)T1 、T2組成鏡像電流源, 在電路中作T3的集電極有源負(fù)載,能提高放大電路的電壓增益。(2) 3解:(1)文氏橋式振蕩器。 (2)為能起振,要求,R2 2R1=20K (3) 4一般綜合型(7分)解: V1+=V1=0 V2+=V2=0 (虛地) (虛斷) (虛斷) 5.解:(1) (2) (3) 模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題四一、填空題1PN結(jié)反向偏置時(shí),PN結(jié)的內(nèi)電場 。PN具有 特性。2硅二極管導(dǎo)通后,其管壓降是恒定的,且不隨電流而改變,典型值為 伏;其門坎電壓Vth約為 伏。3為了保證三極管工作在放大區(qū),要求:發(fā)射結(jié) 偏置,集電結(jié) 偏置。對于型三極管,應(yīng)使VBC 。4放大器級間耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和 耦合三大類。5在三極管組成的三種不同組態(tài)的放大電路中,共射和共基組態(tài)有電壓放大作用, 組態(tài)有電流放大作用, 組態(tài)有倒相作用; 組態(tài)帶負(fù)載能力強(qiáng)。6將交流電變換成脈動(dòng)直流電的電路稱為整流電路;半波整流電路輸出的直流電壓平均值等于輸入的交流電壓(即變壓器副邊電壓)有效值的 倍;全波整流電路輸出的直流電壓平均值等于輸入的交流電壓(即變壓器副邊電壓)有效值的 倍。 7為了分別達(dá)到下列要求,應(yīng)引人何種類型的反饋:降低電路對信號源索取的電流: 。當(dāng)環(huán)境溫度變化或換用不同值的三極管時(shí),要求放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)保持穩(wěn)定: 。穩(wěn)定輸出電流: 。8某負(fù)反饋放大電路的開環(huán)放大倍數(shù)A=100000,反饋系數(shù)F0.01,則閉環(huán)放大倍數(shù) 。二、選擇題1某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為4V,接入12k的負(fù)載電阻后,輸出電壓降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為( )。A)10k B)2k C)4k D)3k 2為了使高內(nèi)阻信號源與低阻負(fù)載能很好的配合,可以在信號源與低阻負(fù)載間接入( )。A)共射電路 B)共基電路 C)共集電路 D)共集-共基串聯(lián)電路3與甲類功率放大方式比較,乙類OCL互補(bǔ)對稱功放的主要優(yōu)點(diǎn)是( )。A)不用輸出變壓器 B)不用輸出端大電容 C)效率高 D)無交越失真4有兩個(gè)放大倍數(shù)相同,輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路A和B,對同一個(gè)具有內(nèi)阻的信號源電壓進(jìn)行放大。在負(fù)載開路的條件下,測得A放大器的輸出電壓小,這說明A的( )。A)輸入電阻大 B)輸入電阻小 C)輸出電阻大 D)輸出電阻小5電流源的特點(diǎn)是直流等效電阻( )。A)大 B)小 C)恒定 D)不定6差動(dòng)放大器由雙端輸入變?yōu)閱味溯斎?,差模電壓增益是?)。A)增加一倍 B)為雙端輸入時(shí)的一半 C)不變 D)不確定7正弦波振蕩電路利用正反饋產(chǎn)生振蕩的相位平衡條件是( )。A)2n,n為整數(shù) B)(2n+1),n為整數(shù) C)n/2,n為整數(shù) D)不確定8當(dāng)用外加電壓法測試放大器的輸出電阻時(shí),要求( )。A)獨(dú)立信號源短路,負(fù)載開路 B)獨(dú)立信號源短路,負(fù)載短路C)獨(dú)立信號源開路,負(fù)載開路 D)獨(dú)立信號源開路,負(fù)載短路9在單相橋式整流電路中,若有一只整流管接反,則( )。A)輸出電壓約為2UD B)輸出電壓約為UD/2C)整流管將因電流過大而燒壞 D)變?yōu)榘氩ㄕ?0直流穩(wěn)壓電源中濾波電路的目的是( )。A)將交流變?yōu)橹绷?B)將高頻變?yōu)榈皖lC)將交、直流混合量中的交流成分濾掉 D)保護(hù)電源三、判斷題( )1、溫度升高后,本征半導(dǎo)體內(nèi)自由電子和空穴數(shù)目都增多,且增量相等。( )2、由于放大的對象是變化量,所以當(dāng)輸入信號為直流信號時(shí),任何放大電路的輸出都毫無變化。 ( )3、耗盡型MOS管在柵源電壓uGS為正或?yàn)樨?fù)時(shí)均能實(shí)現(xiàn)壓控電流的作用。( )4、只要是共射放大電路,輸出電壓的底部失真都是飽和失真。 ( )5、互補(bǔ)輸出級應(yīng)采用共集或共漏接法。( )6、任何實(shí)際放大電路嚴(yán)格說都存在某種反饋。 ( )7、負(fù)反饋放大電路不可能產(chǎn)生自激振蕩。 ( )8、反相求和電路中集成運(yùn)放的反相輸入端為虛地點(diǎn),流過反饋電阻的電流等于各輸入電流之代數(shù)和。 ( )9、為使電壓比較器的輸出電壓不是高電平就是低電平,就應(yīng)在其電路中使集成運(yùn)放不是工作在開環(huán)狀態(tài),就是僅僅引入正反饋。 ( )10、功率放大電路的最大輸出功率是指在基本不失真情況下,負(fù)載上可能獲得的最大交流功率。四、分析計(jì)算題1、電路如圖所示,所有電容對交流信號均可視為短路。(1)圖示電路為幾級放大電路?每一級各為哪種基本電路?(2)電路引入了哪種組態(tài)的交流負(fù)反饋?在深度負(fù)反饋條件下電壓放大倍數(shù)為多少?( 12分)2、功率放大電路如圖所示。設(shè)三極管的飽和壓降VCES為1V,為了使負(fù)載電阻獲得12W的功率。請問:(1)該功率放大電路的名稱是什么?理想情況下其效率可達(dá)多少?(2)正負(fù)電源至少應(yīng)為多少伏?(3)三極管的ICM,V(BR)CEO至少應(yīng)為多少? 3、圖示電路中,運(yùn)放均為理想器件,求電路輸出電壓VO與輸入電壓Vi的關(guān)系。4、某晶體管輸出特性和用該晶體管組成的放大電路如下圖所示,設(shè)晶體管的UBEQ0.6V,。電容對交流信號可視為短路。(1)在輸出特性曲線上畫出該放大電路的直流負(fù)載線,標(biāo)明靜態(tài)工作點(diǎn)Q。(2)用作圖法求出靜態(tài)時(shí)ICQ和UCEQ的值以及三極管的電流放大倍數(shù)。(3)當(dāng)逐漸增大正弦輸入電壓幅度時(shí),首先出現(xiàn)飽和失真還是截止失真?(4)為了獲得盡量大的不失真輸出電壓,Rb應(yīng)增大還是減???多大比較合適?(5)畫出小信號模型。(6)計(jì)算輸入電阻和輸出電阻。(7)計(jì)算電壓放大倍數(shù)。 模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題四參考答案一、填空題 1加寬,具有單向?qū)щ?0.7,0.53正向,反向;04變壓器5共射和共集,共射;共集。60.45;0.97串聯(lián)負(fù)反饋;直流負(fù)反饋;電流負(fù)反饋8100二、選擇題1、C 2、C 3、C 4、B 5、B 6、C 7、B 8、A 9、C 10、C 三、判斷題1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 四、分析計(jì)算題1、解:(1)電路為3級放大電路。第一級為共源極放大電路,第二級、第三極均為共射極放大電路。 (2)引入電流串聯(lián)負(fù)反饋。 方法一: 如果 方法二: 2、解:(1)OCL乙類雙電源互補(bǔ)對稱功率放大電路理想情況下其效率可達(dá)78.5%。(2)Pom= VCES=1V RL=6VCC1=12V VCC>0 VCC=13V (3) V(BR)CEO 2VCC=26V 3、解: (虛斷) (虛斷)V+=V (虛短)4、解:(1)M點(diǎn)坐標(biāo),;N點(diǎn)坐標(biāo),。 在圖上正確畫出直流負(fù)載線,標(biāo)明靜態(tài)工作點(diǎn)Q。(2)過Q點(diǎn)做兩條垂線,分別與坐標(biāo)軸相交于一點(diǎn)。得靜態(tài)工作點(diǎn)的值:ICQ=3mA,UCEQ=3V。首先出現(xiàn)的是飽和失真。(4)應(yīng)減少RB。(2分)。應(yīng)為240K比較合適。(5) 小信號模型。(6) (7) 模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題五一、填空題1P型半導(dǎo)體中,以 導(dǎo)電為主。 2場效應(yīng)管屬于 控制型器件,而晶體管 BJT 則是_ _控制型器件。3有一差分放大電路,Aud=100,Auc=0,ui1=10mV,ui2=5mV,則uid= ,uic= ,輸出電壓= 。4已知放大電路加1mV信號時(shí)輸出電壓為1V,加入負(fù)反饋后,為了達(dá)到相同的輸出需要加10mV輸入信號。則反饋深度為 ,反饋系數(shù)為。 5放大器級間耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和 耦合三大類。6交流放大電路和三極管的輸出特性、交、直流負(fù)載線如下圖所示,負(fù)載上獲得的最大不失真輸出電壓的峰峰值是 V。二、選擇題1測得某硅晶體三極管的電位如圖1所示,判斷管子的工作狀態(tài)是( )。 A放大狀態(tài) B截止?fàn)顟B(tài) C飽和狀態(tài) D擊穿狀態(tài)2本征半導(dǎo)體在溫度升高后,( )。 A.自由電子數(shù)目增多,空穴數(shù)目基本不變; B.空穴數(shù)目增多,自由電子數(shù)目基本不變; C.自由電子和空穴數(shù)目都增多,且增量相同; D.自由電子和空穴數(shù)目基本不變。3某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖2所示,該管為( )。 A.P 溝道增強(qiáng)型MOS 管 B.P 溝道結(jié)型場效應(yīng)管 C.N 溝道增強(qiáng)型MOS 管 D.N 溝道耗盡型MOS 管4如圖3所示為放大電路及輸出電壓波形,若要使輸出電壓u0 波形不失真,則應(yīng)( )。ARC 增大 BRB 增大 CRB 減小 D增大 圖1 圖2 圖35放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為4V,接入3k 的負(fù)載電阻后輸出電壓降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為( )。A.10k B.2 k C.1 k D.0.5 k6電壓放大倍數(shù)最高的電路是( )。A.共射電路 B.共集電路 C.共基電路D.不定7三極管的電流放大系數(shù)由三極管的( )決定。A.基極電流B.集電極電流 C.發(fā)射極電流 D.內(nèi)部材料和結(jié)構(gòu)8放大電路需減小輸入電阻,穩(wěn)定輸出電流,則引入( )。A.電壓串聯(lián)負(fù)反饋;B.電流并聯(lián)負(fù)反饋; C.電流串聯(lián)負(fù)反饋;D.電壓并聯(lián)負(fù)反饋。9集成放大電路采用直接耦合方式的原因是( )。A.便于設(shè)計(jì) B.放大交流信號C.不易制作大容量電容 D.便于使用10在變壓器副邊電壓和負(fù)載電阻相同的情況下,橋式整流電路的輸出電壓是半波整流電路輸出電壓的( )倍。A1B.2 C.1.5D.0.5三、分析題1、三極管 BJT 放大電路中,測得一只 BJT 的三個(gè)電極的電位如下圖4所示。試判斷該 BJT 是 NPN 型還是 PNP 型?答: 。是硅材料還是鍺材料?答: 。并判別出三個(gè)電極的名稱。答: , , 。圖4 圖5 圖62、電路如圖5所示,ui=5sinwt(V),uDC=10V,二極管可視為理想二極管。畫出uo的波形。3、如圖 6 所示的電路是一個(gè)實(shí)驗(yàn)電路,試回答下列問題: 1)、電路的名稱是什么?答: 。2)、如果輸出端看不到波形,調(diào)整RW ,便可看到輸出波形,試說明原因。答: 。 3)、 若輸出波形失真嚴(yán)重,調(diào)整哪個(gè)電阻可以改善輸出波形,為什么?答: 。4)、DW起到什么作用?答: 。5)、振蕩頻率fo= 。4、對圖7的OCL電路,解答下列問題: 1)VD1、VD2兩個(gè)二極管可否反接于電路中?答: 。2)V1、V2兩晶體管工作在哪種組態(tài)?答: 。3)若V1、V2的飽和壓降UCES1 =UCES2 =2V,RL =8,求該電路的最大不失真功率Pom。答: 。4)若電源提供的總功率PE=16.3W,求每管的最大管耗PV1 ,PV2。答: 。 圖7 圖85、電路如圖8所示,試回答下列問題: 1)、圖示電路中的交流反饋由哪些電阻構(gòu)成?并判斷其組態(tài)。答: 。2)、反饋對輸入、輸出電阻Ri、Ro的影響,能穩(wěn)定什么增益?答: 。3)、若滿足深度負(fù)反饋條件,試近似求它的閉環(huán)增益。答: 。6、(6分)串聯(lián)型穩(wěn)壓電路如圖9所示,T2和T3管特性完全相同,T2管基極電流可忽略不計(jì),穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為UZ。則調(diào)整管為 ,輸出電壓采樣電阻由 組成,基準(zhǔn)電壓電路由 組成,比較放大電路由 組成;輸出電壓調(diào)節(jié)范圍的表達(dá)式為 。圖9四、計(jì)算題1、如圖所示電路中,100,試計(jì)算:1)畫出直流通路,并求放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn); 2)畫出放大電路的微變等效電路; 3)求電壓放大倍數(shù)Au、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。 2、電路如圖所示,設(shè)運(yùn)放是理想器件,試求vo1,vo2和vo 。3、差分電路中,已知,=200歐。試求: 1)T1管的靜態(tài)值IC1和UCE1;2)Avd1,Avc1,KCMR,Rid,Ro;3)若ui=10mV,則uo=?模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題五參考答案一、填空題1空穴 2電壓 ,電流 35 mV(-5 mV) ,7.5 mV, 0.5V410 , 0.01(或0.009) 5變壓器 6 3二、選擇題1、C 2、C 3、D 4、B 5、C 6、A 7、D 8、B 9、C 10、B 三、分析題1PNP 型; 硅材料; 管腳:1C,2B,3E 23 1). RC橋式振蕩器 2). 起振時(shí),要求AV =1+Rf /R1>3,調(diào)整RW即調(diào)整R f 3). 減小RW ,使AV 起振時(shí)略大于3 4). 起穩(wěn)幅作用。 5) 41).不可以,否則V1和 V2 間直流開路,電路不能工作。2).V1和 V2 共集電極組態(tài)。 3).Pom 6.7W 4). PV1 = PV2 =3.3W 5. 1).R3,R4組成電壓串聯(lián)負(fù)反饋 2). Ri增大,Ro減小,穩(wěn)定閉環(huán)增益 3).1+R3/R4 6.T1 ; R1、R2、R3; R、DZ; T2、T3、RE、RC; 四、計(jì)算題1、1)直流通路為 2)小信號模型 3)rbe=100+(1+100)26/2.21.3k 2、3、模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題六一、 填空題1對于共射、共集和共基三種基本組態(tài)放大電路,若希望電路的電壓放大倍數(shù)大,可選用 組態(tài);若希望帶負(fù)載能力強(qiáng),應(yīng)選用 組態(tài);若希望從信號源索取的電流小,應(yīng)選用 組態(tài);若希望高頻性能好,應(yīng)選用 組態(tài)。2一個(gè)放大電路,空載輸出電壓為6V,負(fù)載電阻為4時(shí)輸出電壓為4V,則其輸出電阻為。3集成運(yùn)算放大器是多級 放大電路,其第一級通常采用 ,因?yàn)檫@種電路能有效抑制 現(xiàn)象。 4一個(gè)放大電路,為穩(wěn)定輸出電流和減小輸入電阻,應(yīng)引入 負(fù)反饋。5乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路會(huì)產(chǎn)生失真。二、選擇題1.( )藕合放大電路具有良好的低頻特性。 A、阻容 B、直接 C、變壓器2.某場效應(yīng)管的電路符號如圖1所示,該管為( )。 A、P 溝道增強(qiáng)型MOS 管 B、P 溝道耗盡型MOS 管 C、N 溝道增強(qiáng)型MOS 管 D、N 溝道耗盡型MOS 管 圖1 圖2 3在如圖2所示電路中,電阻RE的主要作用是( )。A、提高放大倍數(shù) B、穩(wěn)定直流靜態(tài)工作點(diǎn) C、穩(wěn)定交流輸出 D、提高輸入電阻4.在串聯(lián)負(fù)反饋電路中,信號源的內(nèi)阻( ),負(fù)反饋的效果越好。 A、越大, B、越小, C、越恒定, D、越適當(dāng)5用直流電壓表測得放大電路中某三極管各管腳電位分別是2V、6V、2.7V,則三個(gè)電極分別是( )。A、(B、C 、E) B、(C 、B、E) C 、(E、C 、B)6.PN結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將( )。A、變窄 B、基本不變 C、變寬D、不定7.穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在( )。A、正向?qū)?B、反向截止 C、反向擊穿D、熱擊穿8.功率放大電路的效率是指( )。A、輸出功率與晶體管所消耗的功率之比B、最大輸出功率與電源提供的平均功率之比C、晶體管所消耗的功率與電源提供的平均功率之比D、以上說法均不正確9.單相橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值Uo=( )Uz。 A、0.45 B、0.9 C、1.210. 一個(gè)晶體管的極限參數(shù)為PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,則下列( )是正常工作狀態(tài)。A、UCE=3V,IC=10mA B、UCE=2V,IC=40 mA C、UCE=6V,IC=20mA D、UCE=16V,IC=30mA四、分析題1、電路如圖3所示,ui=5sinwt(V) ,uDC=0V,二極管可視為理想二極管。畫出uo的波形。2測得電路中NPN型硅管的各級電位如圖4所示。試分析管子的工作狀態(tài)(截止、飽和、放大)。答: 。3已知BJT管子兩個(gè)電極的電流如圖5所示。求另一電極的電流,說明管子的類型(NPN或PNP)并在圓圈中畫出管子。答: 。 圖3 圖4 圖5 圖64、電路如圖6所示,設(shè)UCES=0。試回答下列問題: 1)ui=0時(shí),流過RL的電流有多大?答: 。2)若V3、V4中有一個(gè)接反,會(huì)出現(xiàn)什么后果?答: 。3)為保證輸出波形不失真,輸入信號ui的最大幅度為多少?答: 。管耗為多少?答: 。5、在圖7所示電路中,要求其輸入電阻為20 k,比例系數(shù)為15,試求解R、RF和的阻值。答:R= , RF= , = 。圖7 圖86、電路如圖8所示,試分析:1)判斷R5引入的反饋類型(整體或局部)和組態(tài);答: 2)反饋對輸入、輸出電阻Ri、Ro的影響,能穩(wěn)定什么增益?答: 3)在深度負(fù)反饋條件下,估算電路的AVf。答: 7、試用相位平衡條件判斷圖9所示(a),(b)兩電路是否可能振蕩?并求可振蕩電路的振蕩頻率。(a): (b): 圖9 圖108、串聯(lián)型穩(wěn)壓電路如圖10所示,穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為UZ。則調(diào)整管為 ,輸出電壓采樣電阻由 組成,基準(zhǔn)電壓電路由 組成,比較放大電路

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