新編高中化學(xué)蘇教版選修3作業(yè): 專題3第二單元 離子鍵 離子晶體 知能優(yōu)化演練 Word版含解析
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新編高中化學(xué)蘇教版選修3作業(yè): 專題3第二單元 離子鍵 離子晶體 知能優(yōu)化演練 Word版含解析
新編化學(xué)精品資料1下列對(duì)于NaCl的正確敘述是()ANaCl是氯化鈉晶體的分子式B氯化鈉晶體中一個(gè)鈉離子吸引一個(gè)氯離子CNaCl晶體中不存在單個(gè)分子DNa和Cl的基態(tài)最外層電子排布都是3s23p6解析:選C。氯化鈉是離子化合物,且“NaCl”也只表示出一個(gè)晶胞中鈉原子和氯原子的個(gè)數(shù)比,而不能表示出鈉原子和氯原子的個(gè)數(shù),因此“NaCl”只是氯化鈉晶體的化學(xué)式。氯化鈉晶體屬于面心立方晶體,可見1個(gè)鈉離子吸引6個(gè)氯離子。Na的基態(tài)最外層電子排布為2s22p6,Cl的基態(tài)最外層電子排布是3s23p6。因此,A、B、D都不正確。2下列對(duì)各物質(zhì)性質(zhì)的比較中,正確的是()A熔點(diǎn):Li<Na<KB導(dǎo)電性:Ag>Cu>Al>FeC密度:Na>Mg>AlD空間利用率:鉀型<鎂型<銅型解析:選B。按Li、Na、K的順序,金屬鍵逐漸減弱,熔點(diǎn)逐漸降低,A項(xiàng)錯(cuò);按Na、Mg、Al的順序,密度逐漸增大,C項(xiàng)錯(cuò);不同堆積方式的金屬晶體空間利用率:簡(jiǎn)單立方為52%,鉀型為68%,鎂型和銅型均為74%,D項(xiàng)錯(cuò);常用的金屬導(dǎo)體中,導(dǎo)電性最好的是銀,其次是銅,再次是鋁、鐵,B項(xiàng)正確。3離子晶體熔點(diǎn)的高低決定于陰、陽(yáng)離子的核間距離、晶格能的大小,據(jù)所學(xué)知識(shí)判斷KCl、NaCl、CaO、BaO四種晶體熔點(diǎn)的高低順序是()AKCl>NaCl>BaO>CaOBNaCl>KCl>CaO>BaOCCaO>BaO>KCl>NaClDCaO>BaO>NaCl>KCl答案:D4螢石(CaF2)晶體屬于立方晶系,螢石中每個(gè)Ca2被8個(gè)F所包圍,則每個(gè)F周圍最近距離的Ca2數(shù)目為()A2 B4C6 D8解析:選B。設(shè)每個(gè)F周圍最近距離的Ca2數(shù)目為x,CaF2中,x4。5下表是NaCl和CsCl的熔沸點(diǎn)的比較。NaClCsCl熔點(diǎn)801 645 沸點(diǎn)1 413 1 290 (1)同為離子晶體,為什么NaCl的熔沸點(diǎn)比CsCl的高?請(qǐng)從影響離子鍵強(qiáng)弱的因素入手進(jìn)行分析。(2)實(shí)驗(yàn)證明,干燥的NaCl晶體不導(dǎo)電,熔融的NaCl或NaCl溶液卻可以導(dǎo)電,你能說明其中的原因嗎?答案:(1)離子鍵是存在于陰、陽(yáng)離子之間的一種靜電作用。其強(qiáng)弱與陰、陽(yáng)離子的半徑和離子電荷數(shù)有關(guān)。一般來說,離子半徑越小,離子電荷數(shù)越高,離子鍵就越強(qiáng),晶體熔沸點(diǎn)就越高。從庫(kù)侖定律可直接看出這一關(guān)系(Fk)。對(duì)于NaCl和CsCl,由于陰、陽(yáng)離子所帶電荷數(shù)相同,而r(Na)r(Cs),所以F(NaCl)F(CsCl),故熔沸點(diǎn)為NaClCsCl。(2)電流是由帶電粒子的定向移動(dòng)形成的。NaCl晶體中雖有帶電的Na、Cl存在,但由于較強(qiáng)的離子鍵將陰、陽(yáng)離子緊密結(jié)合而不能自由移動(dòng),故固態(tài)不能導(dǎo)電,而當(dāng)晶體受熱熔化時(shí),由于溫度升高,離子運(yùn)動(dòng)加快,克服了陰、陽(yáng)離子間的作用力,產(chǎn)生了自由移動(dòng)的離子,所以,熔融NaCl能導(dǎo)電。當(dāng)NaCl晶體溶于水時(shí),受水分子的影響,離子間作用力減弱,電離成能自由移動(dòng)的水合離子,所以,NaCl水溶液也能導(dǎo)電。