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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

物理與電信工程學(xué)院 系 2012 2013 學(xué)年第一學(xué)期期末考試 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 課程試卷 B 專業(yè) 年級 班級 姓名 學(xué)號 題號 一 二 三 四 五 六 七 八 總分 得分 一 填空 24分 1 本征半導(dǎo)體摻入 價元素可生成N型半導(dǎo)體 其。

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)Tag內(nèi)容描述:

1、第七章功率放大電路 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 要求輸出級向負(fù)載提供足夠大的輸出電壓和輸出電流 這種放大器稱為功率放大電路 負(fù)載的形式 如揚聲器 電動機(jī) 顯象管的偏轉(zhuǎn)線圈 記錄儀等 要使這些負(fù)載動作 就要求輸出級向負(fù)載提。

2、第五章負(fù)反饋放大電路 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 一 反饋的基本概念 1 什么是反饋 在電子系統(tǒng)中 把放大電路的輸出量 電壓或電流 的一部分或全部 通過某些元件或網(wǎng)絡(luò) 稱為反饋網(wǎng)絡(luò) 反送到輸入回路中 參與控制 從而構(gòu)成一個閉。

3、2020 2 24 1 電路系統(tǒng)計算機(jī)輔助設(shè)計 2020 2 24 2 準(zhǔn)確 高效地設(shè)計電路電子設(shè)計方法的發(fā)展 1 傳統(tǒng)的設(shè)計方法焊接電路圖 測試 修改電路 反復(fù) 確定 繪制印制板圖 繪圖工具 制作印制板 工藝流程 需要一個具有完備的儀器。

4、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 教案 1 本課程教學(xué)目的 本課程是電氣信息類專業(yè)的主要技術(shù)基礎(chǔ)課 其目的與任務(wù)是使學(xué)生掌握常用半導(dǎo)體器件和典型集成運放的特性與參數(shù) 掌握基本放大 負(fù)反饋放大 集成運放應(yīng)用等低頻電子線路的組成。

5、模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié) 第一章 半導(dǎo)體二極管 一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 1 半導(dǎo)體 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì) 如硅Si 鍺Ge 2 特性 光敏 熱敏和摻雜特性 3 本征半導(dǎo)體 純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體 4 兩種載。

6、物理與電信工程學(xué)院 系 2012 2013 學(xué)年第一學(xué)期期末考試 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 課程試卷 B 專業(yè) 年級 班級 姓名 學(xué)號 題號 一 二 三 四 五 六 七 八 總分 得分 一 填空 24分 1 本征半導(dǎo)體摻入 價元素可生成N型半導(dǎo)體 其。

7、物理與電信工程學(xué)院 系 2012 2013 學(xué)年第一學(xué)期期末考試 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 課程試卷 A 專業(yè) 年級 班級 姓名 學(xué)號 題號 一 二 三 四 五 六 七 八 總分 得分 一 填空 20分 1 本征半導(dǎo)體摻入 價元素可生成P型半導(dǎo)體 其。

8、半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識 1 1 電路如圖P1 1所示 已知ui 5sin t V 二極管導(dǎo)通電壓UD 0 7V 試畫出ui與uO的波形 并標(biāo)出幅值 圖P1 1 解圖P1 1 解 波形如解圖P1 1所示 1 2 電路如圖P1 2 a 所示 其輸入電壓uI1和uI2的波形如圖。

9、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 面向21世紀(jì)課程教材清華大學(xué)電子學(xué)教研組編第三版童詩白華成英主編 嘉應(yīng)學(xué)院物理系 教材 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第三版 童詩白華成英 高等教育出版社 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)實驗 楊剛 電子工業(yè)出版社 參考書 1 電子技術(shù)基礎(chǔ) 模擬部分 康華光 高等教育出版社 2 模擬電子技術(shù) 程開明 重慶大學(xué)出版社 3 模擬電子技術(shù) 胡宴如 高等教育出版社 目錄 第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)第二章基本放大電路 重。

10、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 主講 譚海曙 第一講 緒論 1 電子技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢 2 電子技術(shù)的應(yīng)用范圍 3 本課程與其它專業(yè)課的關(guān)系 4 電子技術(shù)基礎(chǔ)學(xué)習(xí)特點 參考書 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第四版 清華大學(xué)童詩白 華成英主編 2 電子技術(shù)基礎(chǔ) 模擬部分第四版 華中理工大學(xué)康華光主編 1 1半導(dǎo)體的基本知識1 2PN結(jié)1 3半導(dǎo)體二極管 第一章晶體二極管 1 1半導(dǎo)體的基本知識 根據(jù)物體導(dǎo)電能力 電阻率 的。

11、教材 童詩白 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 主講 蔣宏82314573 14 O 新主樓E1115Communication 緒論 一 課程的地位和主要內(nèi)容 電子技術(shù) 研究電子器件 電子電路及其應(yīng)用的科學(xué)技術(shù) 器件為路用 緒論 模擬信號 在時間和數(shù)值上連續(xù)的信號 計算機(jī)檢測控制系統(tǒng)原理框圖 緒論 二 電子技術(shù)的典型應(yīng)用 三 如何學(xué)好模電 緒論 課程特點 內(nèi)容多 內(nèi)容雜 工程實踐性強(qiáng) 1 抓 重點 2 注重綜合。

12、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 機(jī)械工業(yè)出版物社 主編 沈任元 部分習(xí)題參考答案 第二章 半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用電路思考題與習(xí)題解答 2 1填空題 1 半導(dǎo)體 絕緣體 2 雜敏 光敏 熱敏 3 導(dǎo)通 截止 單向?qū)щ娦?4 高于 5 正向 反向擊穿 6 單向?qū)щ娦?最大整流電流 最高反向工作電壓 7 單向?qū)щ?8 面接觸型 點接觸型 點接觸型的 平面型的 9 零 無窮大 理想的開關(guān) 10 反向特性區(qū) 幾乎不變。

13、教材:模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)主講:柯能偉,緒論,一、課程的地位和主要內(nèi)容,電子技術(shù)研究電子器件、電子電路及其應(yīng)用的科學(xué)技術(shù)。器件為路用,緒論,模擬信號:在時間和數(shù)值上連續(xù)的信號。,計算機(jī)檢測控制系統(tǒng)原理框圖,緒論,二、電子技術(shù)的典型應(yīng)用,三、如何學(xué)好模電,緒論,課程特點:內(nèi)容多、內(nèi)容雜、工程實踐性強(qiáng),1、抓“重點”,2、注重綜合分析注重工程化素質(zhì)培養(yǎng),3、提高學(xué)習(xí)效率、培養(yǎng)自學(xué)能力,課堂、答。

14、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)題庫一、填空題1-12( 第一章 )1、雜質(zhì)半導(dǎo)體有 N 型和 P 型之分。2、PN結(jié)最重要的特性是_單向?qū)щ娦訽___,它是一切半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。3、PN結(jié)的空間電荷區(qū)變厚,是由于PN結(jié)加了_____反向電壓_____電壓,PN結(jié)的空間電荷區(qū)變窄,是由于PN結(jié)加的是_正向電壓__電壓。4、N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是。

15、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題及參考答案一、 填空題:1. 半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電。2. 半導(dǎo)體中由漂移形成的電流是反向電流,它由少數(shù)載流子形成,其大小決定于溫度,而與外電場無關(guān)。3. PN結(jié)的P型側(cè)接高電位,N型側(cè)接低電位稱為正向偏置(正偏),反之稱為反向偏置(反偏)。4. PN結(jié)最重要的特性是單向?qū)щ娦?,它是一切半?dǎo)體器件的基礎(chǔ)。在NPN型三極管中,摻雜濃度最。

16、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第1章 常用半導(dǎo)體器件1.1選擇合適答案填入空內(nèi)。(l)在本征半導(dǎo)體中加入( A )元素可形成N 型半導(dǎo)體,加入( C )元素可形成P 型半導(dǎo)體。A.五價 B.四價 C.三價(2)當(dāng)溫度升高時,二極管的反向飽和電流將(A) 。A.增大。

17、個人收集整理資料, 僅供交流學(xué)習(xí), 勿作商業(yè)用途第五章 放大電路地頻率響應(yīng)自 測 題一、選擇正確答案填入空內(nèi).1)測試放大電路輸出電壓幅值與相位地變化,可以得到它地頻率響應(yīng),條件是.A.輸入電壓幅值不變,改變頻率B.輸入電壓頻率不變,改變幅值C.輸入電壓地幅值與頻率同時變化。

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